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ufs 4.0 闪存芯片 文章 进入ufs 4.0 闪存芯片技术社区

三星闪存芯片项目选址西安 一期投资70亿美元

  •   新华网西安3月22日电(记者陈钢 姜辰蓉)记者22日从西安高新技术产业开发区获悉,韩国三星电子公司当日宣布,其拟在中国大陆建设的闪存芯片项目已经选址西安市。   陕西省、西安市相关方面与三星电子公司22日在西安进行的工作会谈中,三星电子常务金秀峰表示,三星电子考虑在西安建设的存储器研发和生产工厂,将采用世界最领先的技术,第一步投资70亿美元,计划2013年底投产。   西安是我国重要的新一代信息技术生产和研发基地,三星电子闪存芯片项目计划在西安南郊的国家级西安高新技术产业开发区建设。   据介绍
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东芝联手SanDisk开发全球最小128Gb闪存芯片

  •   东芝周四表示,该公司已经与闪存技术开发商SanDisk共同研发出全球最小的128Gbit(16GB)NAND闪存芯片。   该闪存芯片采用19nm新工艺,大小为170平方毫米,比一枚普通硬币还小。   该闪存芯片运用3-bit-per-cell存储技术。该存储技术虽然比2-bits-per-cell存储技术更为高效,但存在稳定性不强的问题。这也意味着该闪存芯片将首先用于记忆棒和记忆卡。   据悉,作为苹果等公司主要供应商的东芝将于本月开始生产这种闪存芯片。   随着芯片生产商争相追逐更小的芯片
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三星在华建闪存芯片工厂计划获批 6个月内动工

  •   三星电子公司(SamsungElectronicsCo)拟在中国大陆投资建闪存芯片厂的计划已经得到韩国知识经济部(MinistryofKnowledgeEconomy)的批准,最快有望在未来六个月内动工开建。在中国大陆建闪存芯片厂将加强三星公司在中国电子市场上的地位,预计未来几年内中国将超过美国成为全球最大的消费电子市场。   闪存芯片是一种移动存储产品,广泛应用于音乐播放器、智能手机和平板电脑中。三星公司计划在中国生产的是NAND型闪存芯片,主要用于固态硬盘和大容量数码存储卡。韩国知识经济部在周三
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三星在华建闪存芯片工厂计划获批 6个月内动工

  •   1月4日道琼斯报道说,三星电子公司(Samsung Electronics Co)拟在中国大陆投资建闪存芯片厂的计划已经得到韩国知识经济部(Ministry of Knowledge Economy )的批准,最快有望在未来六个月内动工开建。在中国大陆建闪存芯片厂将加强三星公司在中国电子市场上的地位,预计未来几年内中国将超过美国成为全球最大的消费电子市场。   闪存芯片是一种移动存储产品,广泛应用于音乐播放器、智能手机和平板电脑中。三星公司计划在中国生产的是NAND型闪存芯片,主要用于固态硬盘和大容
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三星计划在中国设闪存芯片厂 或耗资40亿美元

  •   三星电子今日宣称,由于智能手机和平板电脑的热销将会继续推动芯片行业的发展,该公司计划在中国设立一家闪存芯片生产厂。韩国分析师估计,三星可能会投资40亿美元左右来兴建该厂。这个生产厂,如果获得批准,将是三星在国际上设立的第二个芯片生产厂,这也反映出中国市场已变得越来越重要了。作为全球顶级内存芯片和平面显示屏生产商,三星还计划在中国设立一个平面显示屏生产基地。   目前,三星在国际上设立的唯一一个芯片生产厂位于美国德克萨斯州奥斯丁市。   这个新的生产线“将使我们能够满足消费者日益增长的需
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出货不如预期 闪存芯片价格小幅下跌

  •   受到诸多全球总体经济复苏的不确定变数干扰,2011部份的NAND Flash终端应用产品出货量将不如预期,及3Q11受过剩库存去化影响而使传统备货旺季效应递延等因素的综合影响下,8月上旬NANDFlash芯片市场买气依然疲弱,但某些系统客户的OEM订单需求相对于记忆卡及UFD通路市场需求仍相对地稳定,因此,MLCNAND Flash芯片合约均价小跌约1-2%,而TLCNAND Flash芯片合约均价则下跌约4-7%。  
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NANDFlash买卖双方协商 闪存芯片合约价下跌达30%

  •   历经过去2个月的不断地交涉协商后,7月底时多数的NANDFlash买卖双方业者,终于就多数的NANDFlash芯片合约价格大致达成了共识。由于6月到7月期间正值记忆卡和UFD通路市场及系统产品OEM客户的传统淡季,再加上2Q季底效应的影响,下游客户多优先忙于去化手头的过剩库存,故他们在此期间回补库存的意愿也都不太高。
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东芝预计下半年闪存芯片需求将回弹

  •   东芝周二称,今年第二季度中闪存芯片的需求量不及预期,主要由于平板电脑及其他消费电子设备的销售表现疲弱。   但东芝高管同时指出,在今年剩余时间里,圣诞节购物季节以前的闪存芯片需求都将表现强劲。   东芝内存芯片业务部门负责人Yasuo Naruke称:“从客户最近的表现来看,我们已经看到更多的电子设备正处于困境中。我认为,整体而言电子设备需求有所下降。”
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NAND闪存芯片价格创7个月来新高

  •   据国外媒体报道,据台湾集邦科技 (dramexchange technology inc)周一发表的行业数据显示,NAND闪存芯片价格在4月份的上半个月创7个月的新高,反应了在上个月日本发生严重的地震中断了供应链之后其它存储芯片价格的情况。   
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日本地震未致芯片实质性缺货

  •   尽管日本地震暂未导致电子产品芯片市场的实质性缺货,但在电子芯片商家的哄炒下,芯片即将缺货的心理恐慌已经开始大面积蔓延。   《第一财经日报》昨天在上海徐汇区百脑汇询问多家档口发现,目前4G手机内存卡一般要价65元~75元,8G手机内存卡要价100元~135元。绝大部分商家均表示,最近电子产品涨价都很厉害,每天涨幅都在5元~10元,而且未来几天可能会继续上涨。 
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iPad将推动今年NAND闪存出货量增长近五倍

  •   据市场研究公司iSuppli星期五发表的研究报告称,随着消费者越来越多地使用平板电脑,苹果的iPad今年将推动NAND闪存芯片的应用增长将近五倍。   iSuppli称,用于制作移动设备中使用的固态硬盘的NAND闪存芯片今年的消费量预计将达到23亿GB,比2010年消费的4768亿GB增长382.4%。iSuppli预计到2014年,NAND闪存芯片的出货量将达到123亿GB。 
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3C大厂合力推动UFS实现NAND应用接口标准统一

  •   集邦科技旗下研究机构 DRAMeXchange 指出,JEDEC Task group 中的一些主要成员如:三星 (Samsung)、诺基亚(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州仪器(TI)、意法半导体(ST)等国际大厂,近期正在积极推动新的 NAND Flash 应用接口标准 UFS (universal Flash storage)的规格制定事宜。  
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夏普联袂尔必达开发下一代ReRAM闪存芯片

  •   日经新闻报道,夏普正与尔必达联手开发下一代ReRAM可变电阻式闪存芯片,预计在2013年实现量产。   
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苹果效应不再 NAND闪存价格持续下滑

  •   台湾媒体报道,来自存储芯片制造商的消息称,尽管苹果的iPhone和iPad销售火爆,但也难阻主流MLC NAND闪存芯片期货价格在9月份上半月的下滑。   苹果为其iPhone和iPad放出了大量闪存芯片订单,但即便是这样也很难推动NAND闪存价格的上涨,这倒是违背了此前出现的苹果与NAND闪存之间的紧密联系效应。之前苹果产品的热销往往会导致NAND闪存市场的供不应求。   然而现实是,目前各个渠道的闪存芯片需求依旧微弱,学生返校季和即将到来的内地十一黄金周也很难让闪存价格反弹。   更有悲观的
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英特尔美光公布存储密度更高的新型闪存芯片

  •   英特尔和美光当地时间周二公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间,还能增加消费电子产品的存储容量。   新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息,存储容量高达64G位(相当于8GB)。英特尔和美光称这是它们迄今为止尺寸最小的NAND闪存芯片。   两家公司称,使用NAND闪存的数码相机和便携式媒体播放器等产品的尺寸越来越小。新型芯片还有助于降低制造成本。   两家公司已经向客户发送样品,预计将于今年底投入量产。新型NAND闪存芯片将采用 25纳米工艺生产。与每单
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