- 根西数和铠侠的报告，这两家工厂可能会造成多达16EB的闪存被浪费，影响到本季度闪存市场10%的份额。不光近期准备发布新品的苹果公司收到了影响，原本芯片就很紧缺，加上现在又出现闪存污染的问题，对于那些依赖西部数据和铠侠闪存的厂商来说，更是巨大的打击，就包括了微软、索尼、谷歌等知名厂商。加上相关事件引发市场恐慌，已有消息称群联第一时间调涨模组报价15%，其它厂商则暂停报价。然而在这方面，也并不全是坏消息，竞争对手三星、海力士和美光这几个巨头，会从此类事件受益。其中SK海力士和美光的股价，在盘后交易中应声上涨了
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闪存芯片 西部数据 铠侠
- 日前铠侠及西数位于日本的NAND闪存工厂爆发污染事故，导致6.5EB容量的闪存芯片受到影响，这一黑天鹅事件给全球闪存行业带来了不确定性，原本价格还在下滑，但是最新预测称Q2季度闪存价格将会转向上涨5-10%。来自集邦科技的分析认为，原本NAND闪存全年都有微幅的供过于求压力，今年上半年价格都有下滑压力，但是现在的情况变了，1月份三星位于西安的工厂受到疫情影响，2月份这又曝出铠侠、西数闪存芯片受污染的事故。集邦科技认为在当前的情况下，Q1季度闪存芯片价格跌幅会收窄到5-10%，而Q2季度价格则会反转，变成涨
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装机 闪存芯片
- 西部数据近日新推出了一款嵌入式通用闪存存储（UFS, Universal Flash Storage）设备——西部数据 iNAND MC EU521，借此可以大大提升5G智能手机的用户体验。作为最早支持实现UFS3.1 规范中Write Booster特性的供应商，西部数据在业界第一批提供了针对5G应用优化的UFS3.1闪存方案。 <西部数据 iNAND MC EU521嵌入式闪存设备>西部数据 iNAND MC EU521嵌入式闪存设备帮助移动开发人员充分利用UFS 3.
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UFS 解决方案
- 9月10日消息，据WinFuture报道，三星UFS存储卡现身IFA2019展会，它被装在了海信T91手机上。
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三星 存储卡 UFS
- Mar. 20, 2019 ----
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季各类NAND
Flash产品合约价综合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。 展望第二季，DRAMeXchange分析师叶茂盛表示，历经第一季的需求低谷之后，智能手机、笔记本电脑及服务器等主要需求较第一季有所改善。另一方面，NAND
Flash供应商
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NAND UFS SSD
- 在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。 在使用期的性能恒定。 固态硬盘(SSD)写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。 随着PCIe销售额的增加，SATA逐渐消失不见
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NAND eMMC UFS
- 在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。 在使用期的性能恒定。 固态硬盘(SSD)写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。 随着PCIe销售额的增加，SATA逐渐消失不见
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NAND UFS
- 在高速数字接口中，并行总线越来越少。原因很简单，随着系统频率的提升，并行总线在板级建置时已经遭遇到实体瓶颈，抖动、串扰、信号偏移、传输路径不
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UFS emmc 数字接口
- 相较于处理器芯片，存储性能这些年在智能手机上的重要性也开始逐渐凸显。据Android Authority总结，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存储卡将会成为新一轮旗舰智能机将要占领的技术之制高点。 具体来说，LPDDR5的速度将达到6400Mbps，比LPDDR4翻番，比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC厂商Synopsys透露的，LPDDR5将引入WCK差分时钟，类似于GDDR5，从而在不增加引脚的情况下提升频率。 此外，LPDDR5还将引入
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LPDDR5 UFS 3.0
- 2月26日，美光发布了专为安卓旗舰机打造的UFS 2.1标准闪存，容量设计为64GB、128GB和256GB。
颗粒选用TLC，3D 64层堆叠，美光强调基于人工智能技术进行了APP打开、运行有关的性能优化。
由于是第二代3D闪存，美光称性能提升了50%。
单Die面积59.341mm2，32GB，号称业内最小。因此，在同样芯片面积下的总容量翻番。
新闪存将于今春发货，2018年下半年开始出现在智能机中。
由于此前，UFS2.1能稳定供货的只有三星和东芝，导致价格较高，美
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三星 UFS
- 三星电子(Samsung Electronics)于2018年2月宣布最新256GB嵌入式通用快闪储存(embedded Universal Flash Storage, eUFS) 2.1解决方案已开始量产， 是业界首款将固态技术协会(JEDEC)的UFS 3.0标准导入汽车应用的储存设备。
三星电子在2017年9月宣布首款128GB eUFS技术有所突破之后，于近日发布量产256GB eUFS 2.1车用内存。 该储存设备将为下一代驾驶辅助系统(ADAS)、车用娱乐系统与仪表板应用带来更好的
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三星 UFS
- TrendForce研究指出，明年上半年步入淡季，NANDFlash价格有机会走跌，下半年需求回升，可能再次供不应求，预估2018年NANDFlashASP(平均销售单价)将较2017年缩减10%-20%。
相对而言，TrendForce预计，2018年DRAM产能扩增效益有限，价格趋势与供给状况持续看涨、看紧。
TrendForce表示，就移动存储来看，智能手机应用的存储零组件价格从2016年第三季开始不断攀升，以主流规格而言，到今年第四季价格平均上升40%，不仅影响各大品牌在智能手机的
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UFS NANDFlash
- NAND Flash解决方案供应商群联9、10月连续两月份的固态硬盘(SSD)出货量都破历史新高，上月更达到100万组的水准，另一个好消息是，群联在下一代的嵌入式快闪存储器新款的UFS芯片PS8313上，已经通过手机芯片大厂高通(Qualcomm)和海思等智能手机芯片平台的测试，新产品布局有成。
群联今年全力冲刺SSD和嵌入式存储器解决方案eMMC产品线，继9月SSD出货量突破90万片后，10月再创新高达100万片水准。
以第3季表现来看，群联第3季获利创下单季历史新高，主要是受惠多项主流
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UFS 海思
- eMMC使命完成，UFS时代来临，如何快速从eMMC转移到UFS-在高速数字接口中，并行总线越来越少。原因很简单，随着系统频率的提升，并行总线在板级建置时已经遭遇到实体瓶颈，抖动、串扰、信号偏移、传输路径不完美等因素，都将大幅降低并行总线持续建立时间窗口，从而限制系统带宽的进一步提升。
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emmc ufs 数字接口
- 智能手机体验优秀与否，除了处理器芯片，闪存芯片也是一大影响因素，目前手机上常搭载的闪存有UFS 2.1、UFS 2.0及eMMC 5.1等标准。其中UFS标准于2011年诞生，升级到2.0版本是在2013年，2.1版本则是在2016年发布的，而近日据网友爆料其下一代标准3.0也已经在研发了。
根据网友爆料使用的图片显示，UFS 3.0的速度最高达2666MB/s，较UFS 2.1最高1333MB/s的速度整整快了一倍。
除了快到飞起的速度外，USF 3.0占据的
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UFS
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