- 据国外媒体报道,东芝近日表示,该公司计划通过在新兴经济体寻找新供货商,在未来三年内削减1万亿日元(约合116.4亿美元)的支出。东芝表示,此次削减支出将主要在数字产品和家电领域。
东芝发言人表示,在截至2013年3月末的财年里,东芝预计来自海外的供应将占公司采购支出总额的70%。这一比例在上一财年为53%。
与许多日本科技产业的同行一样,东芝当前面临的来自韩国和中国公司的竞争压力不断加剧。业内人士指出,如果东芝要同亚洲竞争对手进行竞争,那些成本效率将变得至关重要。日立在今年6月曾表示,未来
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东芝 闪存芯片
- iPhone、iPad等苹果i家族产品的热销,正引发连锁反应。
7月28日,闪存企业SanDisk全球高级副总裁兼零售业务部总经理Shuki Nir在上海接受本报记者专访时表示,苹果产品的热销消耗了整个闪存芯片市场不少库存,目前行业正处于供不应求的局面。
受此拉动,闪存芯片巨头们普遍迎来了一个靓丽的财季。
近期陆续出炉的最新一季财报显示,在iPhone以及iPad的拉动下,闪存芯片近期需求及价格大幅上升,英特尔、三星、美光、海力士、东芝、SanDisk等闪存芯片主要提供商在当季的销售
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NAND 闪存芯片 iPhone
- 据国外媒体报道,三星电子周五发布了该公司2010年第二季度财报。财报显示,受芯片业务大幅增长的推动,公司第二季度净利润同比增长83%。
在截至6月30日的第二季度,三星电子净利润为4.28万亿韩元(约合36亿美元)。这一业绩好于上年同期,2009年第二季度,三星电子的净利润为2.33万亿韩元。三星电子第二季度运营利润为5万亿韩元(约合41亿美元),创公司季度运营利润历史新高,同比增长87.5%。三星电子第二季度营收为37.9万亿韩元,较去年同期增长17%。三星电子本月初发布的初步财报显示,公司第
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三星电子 NAND 闪存芯片
- 据iSuppli称,随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品,今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。
iSuppli高级半导体分析师Rick Pierson说,当市场供货量紧张的时候,平均销售价格将上涨。NAND闪存芯片一般用于数码相机、智能手机和视频摄像机等电子产品存储数据。
今年第二季度NAND闪存芯片供货量充足导致价格出现下降的趋势。但是,智能手机等产品正在集成视频摄像机等组件,从而产生了额外的存储需求。
厂商产量不会由于超过了需求而进行限制。但是,供应商将根据合同义务和关系向关键
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NAND 闪存芯片
- 据iSuppli称,随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品,今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。
iSuppli高级半导体分析师Rick Pierson说,当市场供货量紧张的时候,平均销售价格将上涨。NAND闪存芯片一般用于数码相机、智能手机和视频摄像机等电子产品存储数据。今年第二 季度NAND闪存芯片供货量充足导致价格出现下降的趋势。但是,智能手机等产品正在集成视频摄像机等组件,从而产生了额外的存储需求。
厂商产量不会由于超过了需求而进行限制。但是,供应商将根据合同义务和关系向关键的合作
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NAND 闪存芯片
- 据inSpectrum市调机构的报告显示,由于本周内存/闪存芯片的现货市场需求量有所下滑,因此各大存储芯片厂商均对这些产品的现货价格进行了调整。 其中1Gb密度DDR2内存芯片产品的现货价格下调了5-6%,均价于4月30日下午达到2.62美元价位;而1Gb DDR3内存芯片的价格则下跌了3%,均价2.85美元。
近期内存芯片的市场需求表现较为弱势,加上又没有其它可以驱动芯片价格上涨的因素存在,而早先人们预计五一节假日期间大陆市场可能会发生的内存/闪存芯片价格回弹现象也由于实际的购买量并没有实
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存储芯片 闪存芯片 DDR2
- 东芝公司近日宣布他们将在日本三重县四日市现有的生产运营中心附近新建一座Fab5闪存芯片厂,这间芯片厂将于今年七月份开始动工。目前,东芝设在四日市的生产运营中心 已建有四间NAND闪存芯片厂。尽管2008年秋季爆发了全球经济危机,而NAND闪存芯片的市场需求也一度相当萎靡,但近期随着智能手机和其它应用型产 品的热销,闪存芯片的市场需求已经开始回暖,而且未来一段时间内还将保持增长趋势,因此东芝最终作出了开工建造Fab5芯片厂的决定。
按照东芝的计划,其Fab5工厂将于明年春季完工,而后期的投资力度和
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东芝 NAND 闪存芯片
- 据闪存业者透露,包括威刚,创见,劲永,以及闪存控制器制造商群联在内的多家台系闪存产品供应商已经开始从闪存芯片厂商SanDisk那里以成片晶圆的形式订货。消息来源并指出SanDisk与其合作伙伴东芝已经开始打入台系闪存产品市场,开始为以上这些台系闪存厂商供货。自从2008年9月份开 始,SanDisk要进入台湾闪存芯片市场的消息便开始流传,不过直到今天这个传言才变成现实。
SanDisk此前与部分台系闪存厂商之间曾因NAND闪存专利官司闹得不可开交,前者甚至还在美国起诉这些闪存厂商,不过现在San
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SanDisk 闪存芯片
- 最近NAND闪存芯片产业内部的竞争激烈程度已经到了白热化的阶段,今年一月份,Intel-镁光联盟刚刚宣布将在今年量产25nm制程NAND闪存芯 片,其对手SanDisk-东芝联盟便随后以牙还牙,宣布将于今年下半年推出基于24nm制程的NAND闪存芯片产品。
据SanDisk公司展示的产品发展路线图显示,SanDisk-东芝联盟推出的24nm制程NAND闪存芯片将可适用于两位元存储单元设计和三位元存储单元设计。而Intel-镁光联盟的25nm制程则仅可适用于两位元存储单
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SanDisk NAND 闪存芯片
- 消息人士周三透露,东芝未来三年内将投入8000亿日元(约合89.4亿)美元,在日本三重县(Mie Prefecture)修建一座闪存芯片制造厂。
报道称,东芝的这一计划将使该公司的NAND闪存芯片制造能力提高大约一倍。东芝原本打算在2008年修建该工厂,但受经济衰退致产品需求下滑的影响,东芝随后取消了该建厂计划。
市场调研公司iSuppli此前发布报告称,全球NAND闪存市场去年第三季度营收较第二季度的31亿美元,增长了25.5%,达39.4亿美元。东芝第三季度表现强于市场,其NAND闪存
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东芝 NAND 闪存芯片
- 南韩Hynix公司本周二宣布,继半年前成功开发出基于32nm制程的NAND闪存芯片产品,并于去年8月份开始量产这种闪存芯片之后,他们已经于日前成 功开发出了基于26nm制程的NAND闪存芯片。他们并称将于今年7月份开始量产基于26nm制程的64GB容量NAND闪存芯片产品.
按闪存芯片市占率计算,Hynix公司去年在闪存芯片市场上的市占率排在第三位,仅次于排在前两位的三星与东芝公司。据此前的报道显示,三星公司和由Intel和镁光公司合资成立的IM Flash公司均计划于今年第二季度推出基于25n
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Hynix 26nm NAND 闪存芯片
- 据Lazard 资本市场公司的分析师Daniel Amir预计,美光与Intel的合资闪存公司IM Flash将继续进行新加坡300mm闪存芯片厂的兴建计划。该公司早些时候曾宣布会在新加坡新建这家300mm芯片厂,不过后来公司宣布由于业务方面的 原因暂缓执行这项计划。目前IM Flash公司旗下仅在犹他州拥有一间300mm芯片厂。
Daniel Amir表示:“我们认为美光公司将继续努力增加其在闪存市场的份额,他们目前已经开始为新加坡300mm芯片厂订购生产设备.不过由于Intel目
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Intel 300mm 闪存芯片
- 英特尔公司和美光科技计划下周公布闪存芯片的新进展。
两家公司有一个生产NAND闪存芯片的合资企业,这种芯片应用于手机,音乐播放器和其他驱动器上。
2009年,两家公司表示,它们正开发提高闪存芯片性能的技术,在芯片的存储单元上存储三位数据。大多数NAND芯片单元储存一位或两位数据。
这样,两家公司就能以更高的存储性能,更低的成本生产芯片。
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英特尔 NAND 闪存芯片
- 1月19日,“909工程升级改造———12英寸集成电路生产线项目”启动仪式在上海宏力半导体制造有限公司举行。中共中央政治局委员、上海市委书记俞正声与全国政协原副主席胡启立共同启动了项目启动装置,上海市委副书记、市长韩正与国家发展和改革委员会副主任张晓强、工业和信息化部副部长娄勤俭、科技部副部长曹健林共同为上海华力微电子有限公司揭牌。
中国科学院副院长江绵恒,上海市委常委、常务副市长杨雄出席项目启动仪式,并分别代表中国科学院和上海市委、市
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宏力半导体 集成电路 逻辑芯片 闪存芯片
- 韩国公平交易委员会在一份声明中表示尚未发现韩国或其他地区闪存厂商有操纵价格或其他垄断行为的证据。
该机构调查了四家NAND闪存制造商。在被调查的四家厂商中,两家位于韩国,其他位于美国和日本。不过公平交易委员会没有点出这些厂商的名字。NAND闪存适用于于各种手持设备,包括数字音乐播放器、数码相机和手机。
根据三星电子和东芝的说法,今年8月,美国司法部也结束了这样的调查。三星电子和东芝是全球前两大NAND闪存芯片制造商。
市场调查公司iSuppli的数据显示第三季度三星在全球NAND闪存
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