EV 车载充电器和表贴器件中的半导体电源开关在使用 SiC FET 时,可实现高达数万瓦特的功率。我们将了解一些性能指标。引言在功率水平为 22kW 及以上的所有级别电动汽车 (EV) 车载充电器半导体开关领域,碳化硅 (SiC) MOSFET 占据明显的优势。UnitedSiC(如今为 Qorvo)SiC FET 具有独特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 级联结构,其效率高于 IGBT,且比超结 MOSFET 更具吸引力。不过,这不仅关乎转换系统的整体损耗。对于 EV 车主来说,成本、尺寸和
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Qorvo OBC SiC
Transphorm将在APEC2023会议上展出该产品(展位#853)。加州戈利塔和台湾新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)与伟诠电子 (Weltrend Semiconductor Inc.,TWSE: 2436)今天宣布双方合作推出首款系统级封装(SiP)的氮化镓电源控制芯片。伟诠电子是用于适配器USB PD的控制器IC的全球领导者之一,新推出的WT7162R
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Transphorm 伟诠 集成式GaN SiP
随着全球对环保问题的重视,在汽车领域,新能源汽车肩负着构建良好生态环境的目的和使命走在了前沿,汽车产业从不同技术路线探索环保之道。电动汽车是新能源汽车的主要技术路线之一,其核心部件车载充电机(OBC)经过几年的发展技术日益成熟。但高效可靠,易于控制,高性价比一直是各家方案商以及零部件供应商持续追求的目标。本方案是品佳集团联合国内高校共同设计,基于Infineon AURIX系列MCU开发的一套OBC方案。首次采用单片MCU完成原本DSP+MCU的运算任务,功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
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Infineon TC233LP AIKW40N65DF5 OBC Aurix IGBT
新能源汽车动力域高压化、小型化、轻型化是大势所趋。更高的电池电压如800V系统要求功率器件具有更高的耐压小型化要求功率拓扑具有更高的开关频率。碳化硅(SiC)作为第三代半导体代表,具有高频率、高效率、小体积等优点,更适合车载充电机OBC、直流变换器 DC/DC、电机控制器等应用场景高频驱动和高压化的技术发展趋势。本文主要针对SiC MOSFET的应用特点,介绍了车载充电机OBC和直流变换器DC/DC应用中的SiC MOSFET的典型使用场景,并针对SiC MOSFET的特性推荐了驱动芯片方案。最后,本文根
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TI MOSFET OBC
汽车行业发展创新突飞猛进,车载充电器(OBC)与DCDC转换器(HV-LV DCDC)的应用因此也迅猛发展,同应对大多数工程挑战一样,设计人员把目光投向先进技术,以期利用现代超结硅(Super Junction Si)技术以及碳化硅(SiC)技术来提供解决方案。在追求性能的同时,对于车载产品来说,可靠性也是一个重要的话题。在车载OBC/DCDC应用中,高压功率半导体器件用的越来越多。对于汽车级高压半导体功率器件来说,门极氧化层的鲁棒性和宇宙辐射鲁棒性是可靠性非常重要的两点。宇宙辐射很少被提及,但事实是无论
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Infineon OBC SiC
半导体制造的工艺过程由晶圆制造(Wafer Fabr ication)、晶圆测试(wafer Probe/Sorting)、芯片封装(Assemble)、测试(Test)以及后期的成品(Finish Goods)入库所组成。半导体器件制作工艺分为前道和后道工序,晶圆制造和测试被称为前道(Front End)工序,而芯片的封装、测试及成品入库则被称为后道(Back End)工序,前道和后道一般在不同的工厂分开处理。前道工序是从整块硅圆片入手经多次重复的制膜、氧化、扩散,包括照相制版和光刻等工序,制成三极管、
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芯片封装 半导体封装 先进封装 BGA WLP SiP 技术解析
今年,环旭电子进入智能穿戴模组领域的第九年,并在先进封装技术的开发方面又登上新台阶。双面塑封和薄膜塑封是环旭电子最新开发的技术,双面塑封实现了模组的最优化设计。薄膜塑封技术的引入,实现了信号连接导出区域的最小化设计,同时可以和其他塑封区域同时在基板的同一侧实现同时作业。一直以来,手机是推动微小化技术的主要动力,如今微小化技术正在多项领域体现其优势,其中智能穿戴领域对微小化技术的需求越来越高。系统级封装技术是为智能手表、蓝牙耳机等新型智能穿戴电子产品提供高度集成化和微小化设计的关键技术。环旭电子不断加强研发
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环旭电子 SiP 可穿戴
英国Pickering Electronics 公司是小型化和高性能舌簧继电器方面的领导厂商,拥有超过50年经验。近日它宣布推出 100HV 系列耐高压单列直插 SIL/SIP 舌簧继电器,提供最高3kV的额定截止电压,且线圈电阻是之前产品的两倍以上。高系列继电器适合应用于变压器、电缆测试,或任何其他要求高电压但低线圈功耗的自动测试设备。 Pickering Electronics公司的技术专家 Kevin Mallett 对新产品作了说明:“100HV系列继电器非常适用于需要切换电源电压的应
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Pickering Electronic SIL/SIP 舌簧继电器
未来的汽车将是清洁和安全的汽车,由先进的汽车功能电子化和自动驾驶技术赋能。安森美半导体汽车战略及业务拓展副总裁 Joseph Notaro1 功率器件赋能电动汽车电动车可帮助实现零排放,其市场发展是令人兴奋和充满生机的,随着电动车销售不断增长,必须推出满足驾驶员需求的基础设施,以提供一个快速充电站网络,使他们能够快速完成行程,而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展,需要超过350 kW 的功率水平和95% 的能效成为“常规”。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点,紧凑
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202108 SiC 汽车 OBC
新基建涵盖了广泛的领域,并对半导体电源设计提出了各种挑战。其中最大的挑战之一是要找到一种以更小尺寸和更低成本提供更多电力的方法。第二个挑战是如何帮助设计师在这些竞争激烈的市场中脱颖而出。为应对这些挑战,TI提供了多种解决方案。以下我将分享有关TI GaN解决方案的更多详细信息。1 TI GaN概述:TI的集成GaN FET可用于工业和汽车市场的各类应用。TI GaN在一个封装中集成高速栅极驱动器和保护功能,可提供优异的开关速度和低损耗。如今,我们的GaN应用于交流/直流电源和电机驱动器、电网基础设施和汽车
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OBC GaN 202009
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations 近日宣布 InnoSwitch™3-AQ 已经开始量产,这是一款已通过AEC-Q100认证的反激式开关IC,并且集成了750 V MOSFET和次级侧检测功能。新获得认证的器件系列适用于电动汽车应用,如牵引逆变器、OBC(车载充电机)、EMS(能源管理DC/DC母线变换器)和BMS(电池管理系统)。 InnoSwitch3-AQ 采用Power Integrations的高速Flux
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OBC BMS EMS MOSFET IC
可编程产品平台和技术创新企业易灵思® 近日宣布推出其 Trion® Titanium FPGA 系列。Trion Titanium FPGA 是基于16纳米工艺节点,并采用易灵思的 “Quantum™ 计算架构”。“Quantum 计算架构”是受到了易灵思第一代 Trion FPGA 之基础“Quantum 架构”的启发,在其可交换逻辑和路由的“随变单元” (XLR) 中增添了额外的计算和路由功能。增强的计算能力,加上利用16纳米工艺实现的 3 倍性能(Fmax)的提升,使得 Trion Ti
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XLR AI FPGA IoT SIP
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”,非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。对于功率半导体来说,当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短,两者之间存在着矛盾权衡关系,因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时,如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。此次开发的新产品,通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构※3,改善了二者之间的矛盾权衡关系,与以往产品相比,在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约4
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EV OBC MOSFET
Bosch Sensortec一直以来通过高通平台解决方案生态系统(Qualcomm® Platform Solutions Ecosystem)计划与高通技术公司(Qualcomm Technologies, Inc.)合作开发创新传感器软件解决方案。根据双方的合作协议,Bosch Sensortec可在高通传感器执行环境(Qualcomm® Sensor Execution Environment)中开发基于MEMS传感解决方案的软件,从而为智能手机和可穿戴设备提供先进的功能。首批开发成果包括应用Bo
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合作 开发 SiP BSEC
当汽车应用程序可以用更少的零件完成更多的工作时,就可以在减少重量和成本的同时提高可靠性,这就是将 电动汽车(EV)和混合电动汽车(HEV) 设计与多合一动力总成系统相整合的思路。什么是多合一动力总成组合架构?多合一动力总成系统整合了诸如车载充电器(OBC)、高电压DC/DC(HV DCDC)、逆变器和配电单元(PDU)等动力系统终端器件。如图1所示,可在机械、控制或动力系统级别应用整合。图1:电动汽车标准架构概述为什么多合一动力总成系统最适合HEV/EV?多合一动力总成系统能够实现:●
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OBC PDU HEV EV
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