- 业内人士日前透露,美国金士顿科技公司(Kingston Technology )预付了1亿美元给韩国海力士半导体公司以购买其2010年需要的内存和NAND闪存.
此外,该业内人士还表示,总部在台湾的威刚科技(a-data technology)正在寻求途径,增加其2010年的芯片供应商数量并且保证能通过预付款的方式获得足够多的芯片供应,而威刚所需要的内存此前主要来自韩国供应商.
内存模块制造商正在摆脱对三星电子的依赖,因为三星电子优先向PC和系统OEM厂商供货.
另外有消息称,海力士
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金士顿 内存 NAND
- 存储器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半导体业中经常分成两类，DRAM及闪存类。由于其两大特征，能大量生产以及应用市场面宽，使其半导体业中有独特的地位。业界有人称它为半导体业的风向标。
纵观DRAM发展的历史，几乎每8至10年一次大循环，最终一定有大型的存储器厂退出，表示循环的结束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的东芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇梦达最先退出。奇梦达的退出使市场少了10万片的月产能。
在全球硅片尺寸转移中，存储器也是走在前列，如
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存储器 DRAM NAND NOR SRAM
- 2010年存储器产业热度急速升温，许多熬过景气低潮期但口袋空空的存储器大厂，纷积极募资抢钱，而最直接方式便是向下游存储器模块厂借钱，未来再以货源抵债，近期海力士(Hynix)便获得金士顿(Kingston)达1亿美元金援，未来将以DRAM和NAND Flash货源偿还，形成鱼帮水、水帮鱼的上下游紧密合作关系。海力士可望以此笔金援将NAND Flash制程大量转进32奈米，全力从美光(Micron)手上抢回全球NAND Flash三哥宝座，并防止三星电子(Samsung Electronics)和东芝(
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存储器 DRAM NAND
- 三星近日公布了两款采用新制程技术的闪存产品。其中moviNAND闪存芯片产品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，单片封装的最大容量可达64GB，封装内部堆叠了16块超薄设计的4GB芯片，并集成了闪存控制器，而整个芯片封装的厚度仅不足0.06英寸。
64GB moviNAND
另外，三星还计划升级自己的microSDHC闪存卡产品。将三星microSDHC闪存卡的最高容量提升为32GB(内部由8片4GB芯片堆叠而成)，比目前的最高容量提升了一倍。于此同时，闪存卡的最
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三星 NAND
- 编者点评(莫大康 SEMI China顾问)：国际上有许多市场分析公司与机构，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。为什么它们的预测值不同，有时差异还不小。据编者的看法任何预测都有三类，即乐观、中等和悲观。另外，由于每个市场分析公司其数据来源及分析的范围各不同，所以数据不一样是正常的。那该如何来观察与判断呢?通常要找品牌，即有些公司的数据相对可靠(经验值)，如半导体数据是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而设备材
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IC NAND DRAM
- 镁光刚刚宣布了其34纳米NAND SSD产品线，一个原生6Gbps的SATA设备引起了广泛注意，镁光透露它将被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下发布。
这款SSD具体型号RealSSD C300，2.5寸外形设计，包含128和256GB两种型号，读取速度高达355MB/s,写入速度达215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。预计将面向北美、英国和欧洲大陆发布，128GB版售价大约450美元。
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镁光 34纳米 NAND SSD
- 日本东芝公司在NAND闪存制造领域的地位可谓举足轻重，其有关产品的产销量仅次于三星公司，目前东芝公司推出的SSD硬盘产品中采用了自己设计的 NAND闪存控制器，这种产品在OEM厂商中口碑甚好。去年第三季度，东芝已经开始量产32nm NAND闪存芯片，不过目前东芝所售出的SSD硬盘产品仍以43nm NAND型产品为主力，这样OEM厂商乃至终端客户便无法享受到32nm制程技术带来低成本实惠。
不过东芝近日宣布，他们将开始测试部分采用32nm NAND闪存芯片试制的SSD硬盘产品，并将于本季度推出
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东芝 32nm NAND 闪存制造
- 据iSuppli公司，经过2009年对膨胀的库存大幅削减 ，全球半导体供应商预计将在2010年第一季度维持低量库存，以期在不明朗的经济环境中能获益。
半导体供应商的库存天数(DOI)预计将在第一季度下降到68.3，比2009年第四季度的68.5低。由于第四季度的DOI已经比历史平均水平低了2.9%，第一季度的库存预计比这一标准还低6.9%。而第一季度的库存会维持在可满足要求的平衡水平上，库存将达到非常低的水平--甚至有几种具体设备会接近短缺的边缘。
图示为iSuppli
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半导体 NAND
- 据市场研究公司iSuppli的调查，全球半导体供应商预计将在第一季度保持轻库存，以便在不确定的经济形势下保持盈利。
第一季度末库存天数预计将减少至68.3天，上季度为68.5天。去年第四季度，库存天数已经少于历史平均水平2.9%，第一季度预计将较普通水平少6.9%。
iSuppli预测，由于库存量仍将保持在较低水平，某些特殊器件将面临短缺。
2010年，预计库存天数将稳定在近70天左右。紧缩的库存管理将帮助半导体产业获得两位数增长，增长幅度预计为15.4%，而2009年减少12.4%
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芯片 NAND
- 存储器模块大厂威刚2009年获利交出赚进1个股本的丰硕成绩单，董事长陈立白表示，2010年的DRAM产业多数时间将处于缺货的状态，只要价格维持平稳，预计对于模块产业绝对是好事，往年会是传统淡季的第2季，2010年将会见到淡季不淡，也不见五穷六绝;而NAND Flash产业价格则预计会起起伏伏，整体而言，DRAM表现会优于NAND Flash产业。
威刚2009年进行高层人士调整，延揽前三星电子(Samsung Electronics)存储器部门资深营销副总金一雄担任威刚总经理一职，与原有的总经理
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威刚 存储器 NAND
- 韩国公平交易委员会(FTC)周三宣布，并未发现NAND快闪记忆芯片制造商在韩国或其它地区有操纵市场价格的行为，也宣告终止近3年来对该产业的反垄断调查。
反垄断监管单位声明，针对计算机记忆芯片产业 (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相关的价格操纵调查已经全部结束。
2007年1月，FTC宣布将针对NAND快闪记忆芯片制造商进行反垄断调查，侦查是否有操纵价格的事实，之后已针对全球4家企业进行调查，其中2家位于韩国，另外2家分别在美国和日本，但FTC并未公布详细的企业名单。
韩国快闪记
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海力士 NAND DRAM
- 据华尔街日报(WSJ)报导，韩国公平贸易委员会(FTC)并未发现NAND Flash存储器大厂有任何操控价格的证据，将结束为期将近3年的调查。此外，韩国FTC表示，至目前为止所有和存储器市场相关的操控价格调查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市场。
韩国FTC自2007年1月开始调查存储器产业是否存在操控价格的不法行为，并调查4家全球存储器大厂，包括两家韩国厂商、1家日本及1家美国厂商，然FTC并未透露遭调查的厂商名称。
存储器产业近年来遭数个国家调查是否存在柯断，近期
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Samsung DRAM 存储器芯片 NAND
- 韩国公平交易委员会在一份声明中表示尚未发现韩国或其他地区闪存厂商有操纵价格或其他垄断行为的证据。
该机构调查了四家NAND闪存制造商。在被调查的四家厂商中，两家位于韩国，其他位于美国和日本。不过公平交易委员会没有点出这些厂商的名字。NAND闪存适用于于各种手持设备，包括数字音乐播放器、数码相机和手机。
根据三星电子和东芝的说法，今年8月，美国司法部也结束了这样的调查。三星电子和东芝是全球前两大NAND闪存芯片制造商。
市场调查公司iSuppli的数据显示第三季度三星在全球NAND闪存
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- 据业者透露，韩国厂商生产的三位元型MLC NAND闪存芯片新品在稳定性和耐用性方面不如现有两位元型产品，不过消息来源不愿意透露这家韩国厂商的具体名称。据消息来源透露，这家韩国厂商首批推出 的三位元MLC NAND闪存芯片只面向大陆以及美国地区的市场发售，不过目前部分销往美国市场的产品已经由于产品质量不稳定而遭到客户的退货。
据闪存控制芯片的厂商表示，三位元型MLC NAND闪存芯片技术目前还处在初级发展阶段，由于可能存在一些兼容性等方面的问题，因此需要3个月的时间对这种新产品进行充分的测试。
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- 根据市场调研公司DRAMeXchange的最新统计，12月后半个月的MLC NAND闪存芯片价格和前半月相比持平，高密度芯片价格则将下降1-5%。
其中，16Gb芯片期货价格下降2-7%，32Gb芯片价格持平或下降3%，两种芯片后半个月的平均销售价格预计为4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均价格依旧保持在4.02美元。
尽管受到季节性销售规律的影响，NAND闪存12月份的销售价格依旧保持稳定。考虑到一些芯片制造商将重点转移到了工艺升级上，产能上或受影响，很多下游厂商已经开始存货为即
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