- 经历了09年初的低糜，IC产业正逐步从危机中复苏，观望其2010年的发展趋势，可以说是机遇与挑战并存。本文将对于2010年电子产业市场的有利与不利因素分别敍述，供业界探讨与分析。
10大机遇
1. IC行业的季节性需求好于预期。FBR分析师Craig Berger说：“亚洲芯片分销商的最新订单显示，第4季度芯片销售将环比下降4到8个百分点，比起上个月我们调查得出的环比下降10个百分点情况更好，这是由11月份的工业、消费和智能手机芯片的强劲需求推动的的出货量下降4%-8%，跌幅较
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Altera LED IC NAND
- 为中芯解开多年无法突破的经营困境，而与台积电未来如能合作，将会是个双赢的局面。张汝京的下台，为台积电、中芯国际都找到下一个春天。
11月11日，台湾有四家报纸的头版头条报道了同一则新闻：中芯国际创办人、执行长张汝京宣布辞职;董事会即刻宣布由王宁国接任执行董事兼集团总裁、首席执行官。全世界最大的晶圆代工厂台积电入股中芯半导体10%的股份。
中芯将分5年赔偿台积电2亿美元，并且无偿授予台积电8%的中芯股权，且台积电另可在3年内以每股1.3港币的价格认购2%的中芯股权。
这件事情所以在台湾
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中芯国际 晶圆 NOR NAND
- 在本月22日召开的一次电话会议上，镁光公司声称他们很快便会试制出2x nm制程NAND闪存芯片产品，并对其进行取样测试。尽管镁光没有透露这种2xnm制程的具体规格数字，但外界认为他们很可能会于明年初公布有关的细节信 息。这样，镁光及其NAND技术的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用这种新制程技术，甩开对手三星和东芝，重新回到领先全球NAND制作技术的宝 座上。目前Intel和镁光两家公司合资创立有一家专门负责NAND业务的IM闪存技术公司。
除了制造闪存芯片之外，Intel和镁光还有出售基
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镁光 NAND 闪存
- 据华尔街日报(WSJ)报导，韩国半导体大厂海力士(Hynix)看好2010年存储器市场表现，将提升资本支出并扩张产能。
海力士执行长金钟甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月为第1次DRAM合约价在11月后并未下滑，此外，预期2010年全球个人计算机(PC)市场需求将增加10%、全球DRAM存储器芯片将缺货，半导体市场已走出过去3年的谷底，前景相当稳定。
随著景气逐渐回升，海力士计划2010年提升资本支出，共投资2.3兆韩元(约20亿美元)提升技术水平，及扩张目前的NAND
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Hynix 存储器 NAND
- 沈寂已久的DRAM价格再度动起来，存储器厂对于DRAM产业后市看法相当乐观，DRAM厂供货呈现小幅吃紧状态，目前个人计算机(PC)搭载存储器 平均容量成长16%至2.92GB，未来消费性PC机种搭载DRAM容量可望升级至4GB，市场对于后市看法相当乐观，原本外界预期12月合约价格会开始下跌，反应淡季效应，但目前开出是持平，反映市场供给不多，而22日现货价格又开始蠢蠢欲动，一口气大涨3%;此外，下游模块厂皆看好2010年DRAM市场表现将优于NAND Flash市场。
存储器模块厂一致看好2010
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- 随着薄型电视等产品需求呈现增长，东芝(Toshiba)等日本半导体大厂也纷纷取消或缩短今年年底的新年假期持续进行生产，有别于去(2008)年年底动辄停工近20天的严峻局面。
报导指出，东芝旗下生产NAND型闪存的四日市工厂去年年底12吋产线停工达13天，惟因今年春天以后智慧型手机订单增加，故四日市工厂今年年底假期将持续进行生产不停工。
报导指出，NEC电子(NEC Electronics)旗下子公司所属的熊本川尻工厂原先计划于元旦期间停工2天，惟因使用于薄型电视和环保车的微控制器(MCU)
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Toshiba NAND MCU
- 据国外媒体报道，日本国内的半导体巨头重新开启了增产投资的大门。东芝公司一直生产手机等设备上使用的闪存，并在该领域排名全球第二，该公司计划与美国公司共同出资1500亿日元，以提高这方面的产能，增产程度约为4成。尔必达公司主要生产PC的内存，该公司计划在2010财年向主要生产厂投资600亿日元，将出货量提高3成。
自今年夏天以来，全球半导体市场呈现坚挺的走势，PC销售等在需求的刺激下得到恢复。全球经济危机后，日本IT业大公司一改过去的谨慎投资的态度而变为积极投资，以期待与韩国三星公司展开竞争。
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东芝 NAND
- 自2009年夏季起全球半导体市场需求回温，日本半导体大厂增资动作亦转趋积极。日本经济新闻报导指出，东芝(Toshiba)将与美国业者共同投资1,500亿日圆(约16亿美元)于NAND Flash事业，提高约4成产能;尔必达(Elpida)亦计划在2010年度中，投资600亿日圆于主力据点，以增加3成出货量。
报导指出，东芝拟于2010年度初期在三重县四日市NAND Flash厂导入尖端设备，此亦为2007年来东芝在NAND Flash事业上的大举投资。据悉，增设新生产线后，整厂生产规模将由26万
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- 据国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将投资2000亿日元(约合22亿美元)扩大NAND闪存芯片生产。到2010年4月底，东芝的闪存芯片生产规模将扩大40%。
报道称，东芝当前还计划在2012年3月之前，为半导体产业投资总计5000亿日元。市场调研公司iSuppli上周发布研究数据显示，今年第三季度全球NAND闪存市场业绩强劲，东芝表现最为抢眼，营收环比增长近50%。
iSuppli的报告称，全球NAND闪存市场第三季度的营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。
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东芝 NAND 闪存芯片
- 据台湾媒体报道，近期市场传出中芯国际将切割代管的成都厂及武汉厂等两地晶圆厂，而两座厂将可能由中芯前总裁张汝京出面统筹管理，张汝京等于找到了新舞台。
台湾媒体引述“内部人士”的话报道称，成都及武汉两地政府日前希望与中芯国际CEO王宁国见面，但王宁国未有正面回应，目前中芯切割两晶圆厂政策已是箭在弦上，成都市政府上周密会中芯前总裁张汝京，两地政府希望未来成都厂及武汉厂由张汝京出面统筹管理。
据报道，中芯在张汝京时代，曾与成都、武汉等两地方政府达成协议，成都市政府出资成立成
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- 据国外媒体报道，市场研究公司iSuppli最新研究数据显示，第三季度全球NAND闪存市场业绩强劲，东芝表现最为抢眼，营收环比增长近50%。
全球NAND闪存市场第三季度的营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。东芝第三季度表现强于市场，其NAND闪存营收较第二季度的9.24亿美元增长了47.5%，达14亿美元。东芝在全球NAND闪存市场上位居第二，仅次于三星电子。
iSuppli资深分析师Michael Yang说：“东芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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东芝 NAND 闪存
- 东芝公司本周一发布了据称为业内最大容量的64GB嵌入式NAND闪存模组。这种模组内建专用的控制器，并内含16个采用32nm制程技术制作的32Gbit存储密度的闪存芯片，这种闪存芯片的厚度则仅有30微米。
这款内存模组产品装备在便携设备如iPod/智能手机等之上后，手机的存储容量将实现倍增。比如采用单闪存模组设计的iPhone的容量可由原来的32GB提升到64GB,而采用双闪存模组设计的iPod touch的最大容量则可达到128GB。
东芝本月将开始对外提供这种64GB嵌入式闪存模组的
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- 两大韩系内存厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)纷传出将大幅调高2010年资本支出，继三星预计投入30亿美元扩产及制程微缩后，海力士2010年资本支出亦将倍增至20亿美元，使得尔必达(Elpida)和美光(Micron)加紧脚步与台系DRAM厂合作，尽管过去喊出的台美日厂连手抗韩策略，在DRAM整合戏码停摆后没再被提起，但DRAM厂指出，实际上全球4大DRAM阵营板块运动，仍按照台美日厂连手抗韩局势发展。
随着三星和海力士都扩增2010年资本支出，隐约释出对
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- 台积电董事长张忠谋日前表示，台湾企业五年内成本将面临三大挑战，包括美元弱势引起的新台币汇率挑战，石油等原物料价格上涨引发的通膨，还有减碳增加的环保税负成本。
张忠谋只提到美元弱势，并没有说新台币有升值压力，张忠谋认为，全球经济都在复苏中，复苏力道缓慢，尽管景气慢慢复苏，但张忠谋认为，企业近中程的三大挑战相当严峻，所谓近中程大概是五年内，所以严峻因为是过去两年、甚至十年没遇见过。
第一个挑战是汇率。张忠谋说，台湾过去20年没有遭遇很大的汇率挑战，但美元愈来愈弱，这会是一个趋势，相对地新台币波
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- 12月上旬的存储器合约价格中，DRAM合约价意外持平开出，南亚科副总经理白培霖表示，主要是个人计算机(PC)厂急单涌入之故;而 NAND Flash合约价格则反应市场需求不佳，16Gb芯片价格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合约价格贴近现货价格水平，下游存储器业者都尽量减少库存水位，以免营运被跌价的NAND Flash芯片库存烫伤。
近期DRAM现货价格持续反弹，1Gb容量DDR2价格从2美元反弹至2.5美元，属于触底反弹，然整个市场的交易量是相当有限，反倒是原本各界预期12月上旬
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