- 7月下旬NAND Flash合约价在一片淡季声中，仍是稳住阵脚，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈现持平。模块厂表示，三星电子(Samsung Electronics)释出数量不多，因此即使市场的买气平平，NAND Flash价格下跌压力有限，而英特尔(Intel)和美光(Micron)阵营则是维持低价抢单的策略;市调机构英鼎(inSpectrum)预估，全球第3季的NAND Flash产出仍会较第2季成长25%，估计约16.26亿颗(以8Gb容量计算)。
根据英鼎
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三星 NAND 记忆卡
- 台塑集团布局DRAM产业更趋积极，除集团挹注资金、争取国发基金投资，近期传出华亚科有意让英特尔(Intel)投资入股，打算藉由办理海外存托凭证(GDR)或私募时进行，目前整起投资案正由外资机构评估中。存储器业者透露，华亚科拟引进英特尔投资，主要关键系说服英特尔藉由这次支持DRAM产业动作，阻止三星电子(Samsung Electronics)在全球存储器市场坐大，甚至威胁英特尔在半导体产业地位。
存储器业者透露，华亚科拟以GDR或私募方式引进英特尔资金，除争取资金挹注，另一个重要原因，就是希望藉
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TMC DRAM NAND
- 苹果高管近日在财报分析师电话会议上表示，该公司已与东芝达成闪存芯片长期供货协议，并向后者预付5亿美元货款。
这一交易对于东芝而言可谓“及时雨”。东芝是全球第二大NAND闪存芯片厂商，面临闪存芯片价格滑坡和来自三星电子的激烈竞争等问题。
消息人士表示，5亿美元相当于苹果一个季度NAND闪存芯片需求量的价值。
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苹果 闪存芯片 NAND
- 英特尔公司已经开始采用更为先进的34纳米生产流程制造其领先的NAND闪存固态硬盘(SSD)。SSD是电脑硬盘的替代品。凭借更小的芯片尺寸和先进的工程设计，34 纳米产品将使SSD的价格(与一年前推出产品时的价格相比)降低60%，为PC和笔记本电脑制造商及消费者带来实惠。
多层单元(MLC)英特尔® X25-M Mainstream SATA SSD适用于笔记本电脑和台式机，有80GB和160GB两个版本可供选择。SSD是电脑中的数据存储设备。由于SSD不包括任何移动部件，因此与传统硬盘(
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英特尔 34纳米 NAND 固态硬盘
- 随著英特尔(Intel)和美光(Micron)所合资成立IM Flash抢头香推出34纳米制程NAND Flash产品，应战三星电子(Samsung Electronics)42纳米制程，不但制程技术领先，近期英特尔和美光在价格策略上，更是上演绝地大反攻计画，以超低价策略抢食三星地盘。下游厂商透露，近期英特尔和美光32Gb芯片价格硬是比其它品牌便宜1美元，相较于三星更是便宜将近3美元，价差相当惊人，而此策略亦让英特尔阵营近期NAND Flash产品询问度大增，三星在现货市场活络度则降低。
英特尔
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Intel 34纳米 NAND 42纳米
- 电子行业报纸ETnews周五报导称，预计韩国三星电子下半年在一个半导体生产设施上投资至少1万亿韩元(合7.9亿美元)。
该报未指明消息来源称，三星下半年在芯片业务方面的资本支出料为8,000亿韩元左右。
三星半导体事业群总裁劝五铉周四在一次业内活动上称，三星预计下半年投资“略高于”上半年。
该公司多次拒绝透露今年的资本投资计划规模，或是迄今的已投资额。
ETnews报称，芯片业务下半年的投资将侧重于引进更先进的生产技术，比如采用40纳米制程生产DRAM和
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三星 DRAM 30纳米 NAND
- 周一消息 研究机构iSuppli指出，NAND闪存价格大幅波动的现象，大幅削弱了之前对2009年固态硬盘(SSD)在笔记本电脑市场普及的预期。
iSuppli专研行动和新兴内存的资深分析师Michael Yang表示，近期NAND闪存价格上涨，对闪存供货商来说来说是好事，但却为SSD在笔记本电脑的普及带来阻碍。因为SSD的价格约有90%由NAND闪存决定。所以当NAND闪存价格上涨，SSD在个人和企业市场的销量就会减缓。
多层单元(MLC)规格16GB的NAND闪存，其平均价格大幅上涨12
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NAND 闪存 MLC
- 全球NAND闪存的尺寸缩小竞赛再次打响。无论英特尔与美光的联合体,IMFlash,三星及东芝都欲争得NAND缩小的领导地位而互相较劲。但是实际上在目前存储器下降周期时尺寸缩小竞赛并无实际的意义。
按分析师报告,IMFlash正讨论2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm样品及美光计划利用每单元3位技术于今年第四季度开始量产。
在DRAM领域,三星一直是技术领导者,目前已作出46nm DRAM样品。
究竟谁是NAND尺寸缩小的领导者,据今年早些时候报道,东芝与新帝合资公司己走在前列,尺寸
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三星 DRAM NAND 存储器
- 市调机构InSpectrum认为,尽管降低报价但是仍很难促进存储器的销售,本周6月22-26日期间,无论DRAM或者是NAND的零售价继续因市场需求疲软而下降。
原因是目前正是传统的淡季,所以存储器模块的销售仍很弱,但己看到DRAM的零售价开始利润有所好转。
由于供应商担心是持久力问题,加上英特尔美光联盟推出34纳米芯片,贸易中间商为了促销给出更大的折扣,导致同样在零售市场也看到与DRAM相似情况，近期DRAM合同价格趋势在零售价基础上有点小的波动。虽然6月下半月无论DDR2及DDR3的价
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英特尔 DRAM NAND 34纳米
- Micron Technology近日宣布采用34nm工艺技术的NAND闪存芯片实现量产。Micron还称其子公司Lexar Media将推出34nm闪存卡和USB闪盘。
Micron和其伙伴Intel近期宣布通过合资公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在为2x nm技术做准备，计划于第四季度推出样品。
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Micron 纳米 NAND USB闪盘
- 虽然固态硬盘迅速成为了各大媒体主要的宣传内容,但是由于价格过高的原因今年固态硬盘的市场份额将不会太高.根据DRAMeXchange的最新调查报告表明,固态硬盘在标准笔记本电脑的市场份额2009年将维持在1%-1.5%,同时由于众多厂商在主流存储设备上依然选择的是机械式硬盘,因此在低端PC上的市场份额将不到10%,这里应该主要指的是上网本产品.
较高的价格明显妨碍了固态硬盘向更深市场的侵入,根据市场调研公司的分析,考虑到16Gb和32Gb内存芯片的价格走势,SSD产品的市场接受度将会下降.
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固态硬盘 NAND 内存芯片
- 近来谣言越来越厉，市场盛传英特尔将于未来2周里发布基于34纳米制程NAND芯片的固态硬盘。之前有报道称英特尔Chipzilla芯片实验室将于去年Q4发布新34纳米闪存，不过时间表早已大大推后。固态硬盘出现的时间不久，其成本高，容量有限，有时候人们甚至怀疑其可靠性。如果新的34纳米制程NAND闪存推出，固态硬盘的价格将大大降低，容量也将达到320GB左右。
固态硬盘的存储单元分为MLC(Multi-Level Cell，多层单元)和SLC(Single Layer Cell，单层单元)两种。MLC
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英特尔 NAND 34纳米 MLC SLC
- 虽然苹果iPhone有着惊人的利润已经是妇孺皆知的事情，但新款iPhone 3GS的成本究竟是多少还是引起了不少人的好奇。日前，以经常拆卸广受欢迎的消费电子产品而闻名的iSuppli，通过初步拆解和分析首次向大家披露了iPhone3GS的关键部件的供应商及评估产品成本。据悉，第三代苹果手机iPhone3GS的成本为178.96美元，比iPhone 3G增加了4.63美元。但仍低于第一代iPhone220美元的成本估价。
通常而言，最新一代产品的成本要低于上一代，尤其对于iPh
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苹果 NAND GPS 处理芯片
- 恒忆 (Numonyx) 与三星电子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布将共同开发制定相变存储器 (Phase Change Memory，PCM) 产品的市场规格，此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求，从而帮助多功能手机及移动应用、嵌入式系统*、高级运算装置的制造商应对设计挑战。制定针对PCM 产品的通用软硬件兼容标准，将有效简化设计流程并缩短产品开发时间，使制造商能在短时间内采用这两家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存储产品。
相较于
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Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
- 全球NAND Flash需求仍相当疲弱，尽管东芝(Toshiba)宣布增产重创市场信心，然存储器业者透露，由于东芝43纳米制程NAND Flash芯片日前打入苹果(Apple)iPhone供应链，推测其增产系为苹果供货做准备，近期更需关注的是，三星电子(Samsung Electronics)除采用既有42纳米制程应战，亦开始准备最新版35纳米制程NAND Flash芯片，且已陆续送样给控制芯片厂，这不仅将对东芝和英特尔(Intel)、美光(Micron)联盟造成压力，亦将影响NAND Flash市场
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三星 NAND 30纳米 43纳米
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