- 英特尔今天开始出货25纳米NAND闪存，容量为8GB，新款芯片外型上比原有的34nm版本更小，但存储能力却增加了一倍，这种芯片主要面向智能手机和多媒体播放器。
同时英特尔还暗示600GB的固态硬盘产品将在今年年末出现，使用的应该也就是这款闪存芯片。
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英特尔 25纳米 NAND
- 2010年第1季全球NAND Flash产业市占率中，仍以三星电子(Samsung Electronics)位居龙头，根据集邦统计，三星的市占率高达39.2%，东芝(Toshiba)以34.4%市占率紧追在后，第1季位元成长率较上季增加15%，但平均单价(ASP)小跌5%，全球NAND Flash产业的产值规模约43.63亿美元，较上季39.1亿元成长11.6%。
NAND Flash产业2009年率先落底反弹，但2010年表现空间不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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Samsung NAND DRAM
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收购NOR Flash大厂恒忆(Numonyx B.V.)的所有程序。依据协议，美光已发行大约1.38亿股普通股(大约相当于12亿美元)给恒忆股东(英特尔、意法半导体、私募股权基金Francisco Partners)。
完成收购恒忆后美光成为同时拥有DRAM、NAND以及NOR技术的记忆体晶片大厂。恒忆去年第4季营收约5.50亿美元，自由现金流量达4,200万美元。交易完成后美光/恒忆将与意法共享位于义大利Agrate的&ld
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美光 DRAM NAND NOR
- Fudzilla消息，英特尔今年将有SSD方面的大计划，预计在今年第四季度，公司将展示一款160GB-600GB的大容量高速SSD产品。
这种SSD基于25nm MLC NAND Flash打造，取代之前的34nm MLC技术，容量包括160、300和600GB，属于第二代X25-M产品序列，包含1.8和2.5英寸版本。
其中1.8英寸版本最大容量300GB，将成为供应家庭娱乐和消费电子的主推产品。
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英特尔 SSD NAND
- 以收入计全球第二大电脑记忆芯片制造商海力士半导体公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司动态随机存取存储器(DRAM)平均售价季比上升3%，09年四季度涨幅为26%。
然而，海力士半导体公司在一份声明中称，一季度NAND快闪记忆芯片售价季比下降8%，09年四季度降幅为5%。
该公司补充道，一季度DRAM芯片发货量季比上升6%，NAND芯片发货量季比持平。
海力士半导体公布，该公司一季度营业利润率为28%，09年四季度该公司营业利润率为25%。
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海力士 NAND DRAM
- 英特尔(Intel)和美系记忆体大厂美光(Micron)所成立的合资企业IM Flash，为了赶上半导体业2010年牛气冲天的景气，决定让新加坡厂重启营运。
2005年英特尔和美光因看好NAND Flash市场，遂于2006年初合资成立IM Flash，由英特尔出钱出力，美光则提供技术，由IM Flash专门为这2家公司生产NAND Flash。但在半导体景气循环来到低点，再加上金融海啸的冲击下，IM Flash受到严重冲击，在2008年IM Flash裁员800人，花费35亿美元打造，本应于2
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三星电子 NAND Flash
- 据外电报道，三星电子表示，该公司从上周末开始批量生产20纳米制程32GB多层单元(MLC)NAND闪存。
20纳米制程32GB多层单元NAND闪存的生产性，比30纳米制程高50%左右。三星电子在全球半导体行业率先投入到了量产。
三星电子相关负责人表示，公司同时开发20纳米制程32GB多层单元专用controller，确保了与30纳米级NAND闪存相同的稳定性。
三星电子的20纳米制程NAND闪存将先用于手机存储卡SD卡。
此外，今年2月公布开发20纳米制程64GB NAND闪存
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三星电子 20纳米 NAND
- Nand+Flash存储管理在DSP系统中的实现, Nand Flash作为一种安全、快速的存储体，因其具有体积小、容量大、成本低、掉电数 据不丢失等一系列优点，已逐步取代其它半导体存储元件，成为嵌入式系统中数据存储的主 要载体。尽管Nand Flash的每个单元块相互独
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系统 实现 DSP 管理 Flash 存储 Nand
- 据国外媒体报道，三星电子今天发布的财报显示，受益于PC需求增加以及电视价格上涨，该公司第一季度营业利润同比猛增7倍。
利润增长
三星的初步财报显示，该公司第一季度营业利润约为4.3万亿韩元(约合38亿美元)，上下浮动区间为2000亿韩元，去年同期调整后营业利润仅为 5900亿韩元。根据彭博社的调查，15名分析师此前对三星营业利润的中位数预期为4.27万亿韩元。
外界预计，受到存储芯片以及平板显示器价格上涨的刺激，三星第一季度将创下今年最好业绩。受此影响，三星股价周一创下历史新高。分析
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三星电子 NAND 存储芯片
- 按Benchmark Euqity研究公司报道, 紧接着2009年未的迅速地复苏, 进入2010年时全球半导体业在数量上仍有15-20%的增长。
按Benchmark的分析师Gary Mobley的看法, 从2009年1月的谷底算起,全球芯片出货量己经增长大於75%。在相同的期间美国费城半导体指数也增长相近的量。
当大部分工业分析师都认为今年半导体市场有20%的增长时,Benchmark分析师相信今年非
常可能有22%-24%的增长。
其中某些芯片的库存包括存储器，部分模拟电路
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芯片 NAND 智能手机
- 嵌入式系统中Nand-Flash的原理及应用,当前各类嵌入式系统开发设计中，存储模块是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。Nor-flash存储器的容量较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中，常应用在程
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应用 原理 Nand-Flash 系统 嵌入式
- 市场研究机构Web-Feet Research公布2009年全球NAND闪存供货商排行榜，三星电子(Samsung Electronics)仍稳居市占率第一名位置，其后则是东芝(Toshiba)与SanDisk;SanDisk的表现意外亮眼，领先美光(Micron)、海力士(Hynix)与英特尔(Intel)。
在其它市场研究机构的排行榜中，SanDisk往往并未列名，因为在某些情况下该公司是与合作伙伴东芝视为一体。Web-Feet Research报告中列出了17家闪存制造商的出货成绩，东芝与
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三星电子 NAND
- 来自调研公司 iSuppli的统计显示，2009年半导体产业整体处于下滑状态，但总部在亚太地区的半导体供应商却实现了逆势上涨。
亚太区供应商专注热门产品
iSuppli调研结果显示，2009年总部位于亚太地区的半导体供应商合计营业收入实际增长2.3%，从2008年的435亿美元上升到445亿美元。相比之下，2009年全球半导体营业收入锐减11.7%，从2008年的2602亿美元降至2299亿美元。
“去年芯片产业形势黯淡，而亚太地区的供应商却设法实现了增长，因为他们专注于
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芯片 NAND
- 东芝公司今年计划耗资150亿日元(约合1.6亿美元)兴建一条试验生产线，生产小于25纳米制程的NAND闪存芯片。
目前东芝生产的NAND闪存是采用32与43纳米技术，主要应用于手机及数字相机等电子消费产品。为生产新的25纳米制程以下的芯片，需使用较短光波的极紫外光微影(EUV lithography)技术，因此，东芝也将进行相应的技术升级。目前，东芝已向荷兰半导体微影系统大厂ASML订购设备，预计在今年夏天试验投产。消息一经公布，东芝在股市中涨幅达3.5%，远远超过同类电气机器指数0.8%的涨幅
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东芝 NAND 闪存
- Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010财年第二季度的运营成果。对于2010财年的第二季度，该公司取得了可归属于其股东的3.65亿美元，合摊薄股每股0.39美元的净收入，其净销售额达近20亿美元。相比之下，2010财年第一季度的净收入为2.04亿美元，合摊薄股每股0.23美元，净销售额为17.4亿美元，并且2009财年第二季度的净亏损为7.63亿美元，合摊薄股每股0.99美元，净销售额为10亿美元。2010财年之前各个时期的金额及
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