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qlc nand 文章 进入qlc nand技术社区

2012年NAND闪存营业收入萎缩

  • 据IHS iSuppli Data的闪存市场追踪报告,2012年苹果iPhone是推动NAND闪存消费的最大因素。由于超级本未能实现腾飞,2012年NAND闪存营业收入萎缩。
  • 关键字: 苹果  闪存  NAND  

NAND Flash内存设备的读写控制设计

  • NAND Flash内存设备的读写控制设计,引言

      NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Flash因为具有非易失性及可擦除性,在数码相机、手机、个人数字助理( PDA)、掌上电脑、MP3播放器等手持设备中得到广泛的应用。NAND Flash
  • 关键字: 控制  设计  读写  设备  Flash  内存  NAND  

基于ARM11的Linux NAND FLASH模拟U盘挂载分析

  • 基于ARM11的Linux NAND FLASH模拟U盘挂载分析,0 引 言
    现阶段嵌入式产品作为U 盘挂载到PC机上在各类电子产品中被越来越多的应用,Linux操作系统在电子产品中的应用也越来越广泛,但是Linux中模拟U盘挂载到PC机中,与PC机上通用Windo
  • 关键字: 模拟  分析  FLASH  NAND  ARM11  Linux  基于  

半导体需求回温 东芝元旦假期将加班赶工

  •   日本媒体报导,全球第2大NAND型快闪记忆体(FlashMemory)厂商东芝(Toshiba)于21日宣布,因半导体需求回温,故旗下日本半导体工厂将于今年年末的元旦假期期间加班赶工。东芝表示,于去年元旦假期停工8天的姬路半导体工厂今年将不停工持续进行生产;大分工厂今年元旦假期期间的停工天数则将自去年的6天减半至3天。   东芝姬路半导体工厂主要生产马达/PC用电源控制晶片、大分工厂主要生产影像感测器及系统整合晶片(SystemLSI)。   东芝于10月31日将今年度(2012年4月-2013年
  • 关键字: Toshiba  FlashMemory  NAND  

12月上旬主流NAND Flash合约价小跌1-2%

  •     市调机构集邦科技旗下研究部门DRAMeXchange调查,虽然系统产品年底销售旺季备货高峰期已过,然在NAND Flash原厂持续对于零售市场减量供货的情况下,12月上旬NAND Flash合约价较11月下旬仅小跌1-2%,预估缓跌走势将持续至明年1月份。   集邦表示,SK海力士在12月11日遇到产线短暂跳电,但相关NAND Flash的营运没有受到影响,现货价格虽因此有微幅上涨,但整体需求偏弱格局不变。市场面观察,智慧型手机与平板电脑厂商圣诞假期铺货高峰大多落在11月底与12月初
  • 关键字: SK  NAND Flash  手机  

探索TLC闪存寿命:区区1000次擦写循环

  •   三星840系列固态硬盘开启了一个新时代,TLC NAND闪存首次用于消费级产品。关于这种闪存的原理、架构技术,以及三星840的性能、可靠性,我们都已经做了比较深入的介绍,今天再来看看TLC闪存本身的寿命问题。   遗憾的是,没有任何厂商公开谈论过TLC闪存的可靠程度,只能猜测编程/擦写循环(P/E)次数大概是1000-1500次(20/25nm MLC大约是3000次),而且三星不像Intel那样会告诉你具体的闪存写入量,再加上写入放大的缘故,根本无从得知写入了多少数据。   不过还是有个变通方法
  • 关键字: 三星  闪存  TLC NAND  

大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系统中的设计与实现

  • 1 引 言  随着嵌人式系统在数码相机、数字摄像机、移动电话、mp3音乐播放器等移动设备中越来越广泛的应用 ...
  • 关键字: NAND  FLASH  ARM  嵌入式系统  

赛普拉斯增加了16-Mbit并行nvSRAM和同步NAND接口

  • 赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票代码:CY)日前推出了 16-Mbit 非易失性静态随机访问存储器 (nvSRAM) 系列,其中包括具备同步 NAND 闪存接口的器件。该系列是业界首款可直接与开放式 NAND 闪存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 总线控制器相连接的非易失性 SRAM 存储器。
  • 关键字: 赛普拉斯  NAND  SRAM  

在nand flash上实现JFFS2根文件文件系统

  • 在nand flash上实现JFFS2根文件文件系统,JFFS2是Flash上应用最广的一个日志结构文件系统。它提供的垃圾回收机制,不需要马上对擦写越界的块进行擦写,而只需要将其设置一个标志,标明为脏块,当可用的块数不足时,垃圾回收机制才开始回收这些节点。同时,由
  • 关键字: 文件文件  系统  JFFS2  实现  flash  nand  

三星全球最快嵌入式NAND内存芯片投产

  •  为了适应下代移动设备超轻超薄的特性,SamsungeMMCProClass1500采用了20nm工艺规范,一块64GB的芯片厚度仅为1.2毫米,而重量仅有0.6克。

      三星表示,新一代芯片将会包括16GB,32GB以及64GB等三个版本。不知道我们能否在下一代三星智能手机(GalaxyS4?)上看到它的身影呢?

  • 关键字: 三星  NAND  内存芯片  

三星全球最快嵌入式NAND内存芯片投产

  • 下代移动设备超轻超薄的特性,Samsung eMMC Pro Class 1500采用了20nm工艺规范,一块64GB的芯片厚度仅为1.2毫米,而重量仅有0.6克。
  • 关键字: 三星  NAND  

为嵌入式应用选择、实现NAND闪存海量存储

  • 标签:NAND POS在嵌入式应用中,海量存储密度正在以前所未有的速度增长。像便携式媒体播放器、蜂窝电话、数码相机、便携式导航设备、无线网卡、闪盘这样的消费产品由于需要处理越来越多的多媒体内容而要求更高的海量
  • 关键字: 闪存  海量  存储  NAND  实现  应用  选择  嵌入式  

Linux NAND FLASH驱动代码分析

  • Linux NAND FLASH驱动代码分析,FLASH驱动在嵌入式系统中有着举足轻重的位置,而目前市场上NAND flash的价格又要便宜与NOR FLASH,随着越来越多的平台支持从NAND FLASH中启动,掌握NAND flash的驱动编写有着重要的现实意义,由于内核已经完成了大部分
  • 关键字: 代码  分析  驱动  FLASH  NAND  Linux  

东芝将下调NAND闪存芯片30%产能

  •   讯 7月24日消息,据路透社报道,东芝公司周二称,将下调NAND闪存芯片30%产能。这凸显了芯片市场供应状况的挑战性,该公司的股价也因而出现下挫。   东芝表示,由于U盘和存储卡的芯片供过于求,它将削减其在日本西部的四日市工厂的产能。   资产管理公司Religare Global Asset Management高级科技分析师大卫·莫托佐·鲁本斯藤(David Motozo Rubenstein)说道,“他们的产能下调幅度让我有点意外。大家都知道该类芯片的
  • 关键字: 东芝  NAND  

如何让U-boot实现Nand/Nor 双启动

  • 如何让U-boot实现Nand/Nor 双启动,在做u-boot移植的时候,多数人使用的是Nand flash启动或Nar Flash启动。这样u-boot就只能在Nand flash或Nor flash。那么我们如何让我们的u-boot在Nand flash或Nor flash都能使用。首先,我们说说u-boot,u-boot是系统
  • 关键字: 启动  Nand/Nor  实现  U-boot  如何  
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