- 据媒体报道，根据亚洲最大芯片现货市场的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新数据，2011年第四季度全球第四季度NAND闪存芯片市场规模达到48.9亿美元，环比下滑了8.6%。三星电子依然是该市场的龙头，市场份额达到了34.6%。
集邦科技提供的数据显示，NAND闪存出货环比增长了大约5%，而平均销售价格则环比下滑了13%。集邦科技指出，虽然存储卡和闪存的零售增幅依然缓慢，但是智能手机和平板电脑制造商对闪存的需求依然非常强劲。
集邦科技指出，三星电子
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海力士 NAND
- 外电报导，全球第二大内存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并财报：受内存价格下滑、PC需求趋缓的影响，净损达2,399亿韩元(2.131亿美元)，逊于去年同期的纯益300亿韩元，已连续第2季缴出亏损成绩单;营收年减7.2%至2.55兆韩元;营损达1,675亿韩元，逊于去年同期的营益2,940亿韩元。根据彭博社调查，分析师平均预期Hynix Q4净损将达1,617亿韩元。根据Thomson Reuters调查，分析师原先预期Hynix Q4
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Hynix NAND
- 根据市场研究机构Bernstein Research 公司分析师Toni Sacconaghi 报告指出，苹果公司在上一季买了全球NAND 快闪记忆体出货量的23% ，凭借着这么大的采购量，苹果拿到的成本价格可说是出乎意料之外的低。
Sacconaghi 报告指出，苹果产品在2011 年第四季消耗了容量总数高达14.5 亿GB 的NAND 快闪记忆体;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 为30% 。这么大的量，自然让苹果购买NAND 快闪记忆体有很大的折扣，大约是每GB 价格为0.6
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苹果 NAND
- 日系DRAM厂尔必达(Elpida)身陷财务风暴，近期传出在日本官方作媒下，正与同为日系NAND Flash大厂东芝(Toshiba)洽谈整合事宜。对此东芝和尔必达高层都不予置评。
近期再度传出尔必达与东芝高层就合并及整合密谈协商，且日本政府扮演关键要角。内存业者透露，东芝在发展行动装置上，需要与尔必达Mobile RAM结合，才能打败美韩阵营，双方确实有接触洽谈整合事宜，但东芝对于重返DRAM领域意愿不高，另外，日本政府亦认为，DRAM市场虽萎缩，但技术必须传承，有意促使两大半导体厂整合。
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东芝 NAND
- 力晶在2012年起将会大幅降低标准型DRAM投片量，以最低的产能维持DRAM的技术发展，并于明年起全数转入30nm 4Gb生产，而空出的产能将会以NAND FLASH填补，后续技术发展的重点也转移到NAND 2Xnm的制程微缩。放远未来，力晶仍会保留DRAM技术，待3D-IC以及TSV的技术成熟时，将会以记忆体为中心做芯片组的整合，力图成为大中华地区各技术领域最完整之晶圆厂。
随着力晶正式宣布将产能逐步扩大至Flash产品上，加上原先代工如LCD Driver及非标准型DRAM产品，希望明年标准
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力晶 NAND
- 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究机构DRAMeXchange调查，因为随身碟与记忆卡市场销售依旧此未见起色，而高容量产品也因为智能型手机与平板计算机销售不如预期而下滑，终端产品销售不佳导致供货商回补库存力道疲弱，连带影响合约价格面临下滑的压力，10月下旬NAND Flash合约价将再下跌约4-8%。
展望NAND Flash后市，集邦科技认为，虽然泰国水患造成的HDD缺货效应使得SSD产品询问度顿时增加，但SSD仍存在着与HHD价差大及SSD机种认证程序尚需2-3个月等问题，因此，预
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NAND SSD
- 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，随着部份系统产品客户自9月起，已开始准备4Q11新机型上市所需的库存回补所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合约价大致维持平盘，虽然记忆卡及UFD通路市场的需求仍然相对平淡，但也已呈现止跌回稳的状况。
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集邦科 NAND 记忆卡
- 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门 DRAMeXchange 的调查，市场预期 NAND Flash 部份系统产品客户为因应新产品上市库存回补需求，9月份可望逐渐开始回温。因此，8月下旬 NAND Flash 合约价格出大多呈现持平，但记忆卡及U盘(UFD)通路市场的需求仍然相对疲软，所以128Gb TLC合约均价格仍然下跌5%。此外，部份供货商已将部份32Gb MLC的产量转为生产64Gb MLC，故32Gb MLC在市场供给减少下合约均价小涨约3%。
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ultrabook NAND
- 据IHS iSuppli公司的闪存市场报告，由于一家大型厂商的销售额下降，第二季度NAND闪存市场意外下滑。
根据最终数据，第二季度全球NAND销售额为47亿美元，比第一季度的49亿美元下降4.3%。该市场降幅大于预期，主要是因为东芝第二季度销售额锐减了21.4%至14亿美元。东芝是全球第二大NAND生产商，仅次于韩国三星电子。
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IHS iSuppli NAND
- 据IHS iSuppli公司的闪存市场报告，由于一家大型厂商的销售额下降，第二季度NAND闪存市场意外下滑。
根据最终数据，第二季度全球NAND销售额为47亿美元，比第一季度的49亿美元下降4.3%。该市场降幅大于预期，主要是因为东芝第二季度销售额锐减了21.4%至14亿美元。东芝是全球第二大NAND生产商，仅次于韩国三星电子。东芝销售额大幅下降，拖累了整体市场，如表1所示。
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三星 NAND
- 受到诸多全球总体经济复苏的不确定变数干扰，2011部份的NAND Flash终端应用产品出货量将不如预期，及3Q11受过剩库存去化影响而使传统备货旺季效应递延等因素的综合影响下，8月上旬NANDFlash芯片市场买气依然疲弱，但某些系统客户的OEM订单需求相对于记忆卡及UFD通路市场需求仍相对地稳定，因此，MLCNAND Flash芯片合约均价小跌约1-2%，而TLCNAND Flash芯片合约均价则下跌约4-7%。
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闪存芯片 NAND
- 在日前的一场闪存高峰会中，SanDisk公司的技术长Yoram Cedar指出，下一代光刻技术的延迟，将导致NAND闪存的成长趋缓。市场原先对闪存的展望都相当乐观，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技术的延迟，闪存的成长可能需要再评估。
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SanDisk NAND
- 全球第二大闪存制造商东芝公司(Toshiba Corp)周三警告说，由于PC市场不景气，美国和欧洲等经济体持续动荡以及日元强势等原因，该公司芯片业务的利润可能达不到预期。
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东芝 芯片 NAND
- 据韩国电子新闻报导，计算机用DRAM芯片价格快速下跌，NAND Flash合约价也从6月起出现陡峭跌幅，2个月内出现2011年来最低价2美元纪录。下半年则因智能型手机(Smartphone)与平板计算机 (Tablet PC)新品陆续问世，可望带动NAND Flash价格回升。
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NAND DRAM芯片
- 随著存储器容量越来越大，NANDFlash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面尽管在微缩的技术上些微领先最大竞争对手公司韩国三星电子(SamsungElectronics)，但短期内该技术也将可能面临瓶颈，因此如东芝(Toshiba)及尔必达(Elpida)等公司，均已决定投入3D存储器的开发。
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三星 存储器 NAND
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