- DIGITIMES Research观察，2016年上半三星电子(Samsung Electronics)为全球供应3D NAND Flash的主要业者，然2016年下半随东芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存储器业者陆续量产3D NAND Flash，三星独家供应3D NAND Flash的状况将改变，不过，三星已及早规划增产3D NAND Flash及朝64层堆叠架构迈进，短期内仍将掌握产能与技术优势。
三星已自2013年下半起陆续量产24层、32层
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三星 3D NAND
- 三星公司已经开始量产其48层(即单NAND内48层单元，属于第三代升级技术)3D V-NAND芯片，预计其将被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企业级SSD(PM1633a)等SSD产品。在各设备当中，将包含大量48层3D V-NAND存储芯片且通过引线键合技术实现彼此堆叠。三星公司在48层3D V-NAND芯片中集成了512 GB存储单元，意味着每个NAND晶片为32 GB容量(256 Gb)。三星的32层(第二代方案)3D V-N
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三星 V-NAND
- 韩媒NEWSIS报导，韩国半导体业者将3D NAND视为克服不景气的对策。3D NAND是三星电子(Samsung Electronics)最早宣布进入量产的技术，在这之前业界采用的是水平结构，3D垂直堆叠技术成为克服制程瓶颈的解决方案。
3D NAND比20纳米级产品的容量密度高，读写速度快，耗电量节省一半;采用3D NAND Flash存储器的固态硬碟(SSD)其电路板面积也较小。基于上述优点，对于业界积极发展以人工智能平台的相关服务，3D NAND成为具有潜力，有利于迈入第四次工业革命的技
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3D NAND 半导体
- 第三季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显，TLC-Wafer与现货卡片价格自4月初以来已连续三个月份逐步走扬。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报价显示，第三季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显，TLC-Wafer与现货卡片价格自4月初以来已连续三个月份逐步走扬，而近一个月涨幅开始增加。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，NAND Flash原厂持续降低对于通路(Channel)的供货比重来满足eMMC/eMCP与固态硬碟(SS
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NAND Flash
- 全球在2016年与2017年将开始兴建的晶圆厂至少有19座，其中有半数以上都是在中国。
根据SEMI的统计，全球在2016年与2017年将开始兴建的晶圆厂至少有19座，其中有半数以上都是在中国;而2016年全球半导体厂商晶片制造设备支出估计将可达到360亿美元，较2015年增加1.5%，2017年则可望再成长13%、达到407亿美元。
包括全新、二手与专属(in-house)晶圆厂设备支出，在2015年衰退了2%;而SEMI预期，3D NAND快闪记忆体、10奈
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晶圆 NAND
- 据韩国时报报导，三星电子于15日宣称“2017年底前斥资25兆韩元扩充3D NAND型快闪存储器产能”的投资内容尚未敲定，但有分析师似乎认为韩媒的报导内容相当可信。
barron`s.com16日报导，JP摩根发表研究报告指出，三星应该会在今年底将3D NAND的月产能拉高至接近16万片晶圆 (西安厂12万片、Line 16厂接近4万片)。三星的西安厂目前已接近产能全开，且该公司还计划把Line 16厂的部分2D NAND产能转换为3D。
另外，三星也将善用Line
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三星 NAND
- 中国砸银弹扶植半导体进度、成效惊人，国际半导体设备材料产业协会(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五发布最新报告指出，今明两年全球新增的半导体产能，预估有超过一半都将来自中国。
据SEMI表示，全球2016-2017年共将兴建17座半导体厂，当中有10座设在中国，其中两座生产存储器、晶圆代工四座、剩余四座规模较小，主要生产类比式芯片、微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems)与
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半导体 NAND
- 苹果iPhone 7已展开备货，记忆体容量倍增，销售也看好，业界预期第3季NAND快闪记忆体的需求将好转，大厂的产能将转向NAND快闪记忆体，这将带动DRAM市况也趋健康，记忆体模组厂创见、威刚、宇瞻等，预估下半年营运会比上半年好。
创见预期今年记忆体市况将比去年好转，主要因上游大厂资本支出较保守，产能增加有限，致使价格趋缓跌;受惠智能手机等产品储存容量不断上升，加上SSD取代硬盘态势成形，SSD需求强劲，储存型快闪记忆体(NAND Flash)下半年市况比DRAM佳。
威刚董事长陈立白日
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NAND DRAM
- 为什么烧录Nand Flash经常失败?为什么烧录成功了，一部分Nand芯片贴板之后系统却运行不起来?…，等等，问了那么多为什么，那我反问一个问题：你了解Nand Flash的特性及其烧录关键点吗?
一、Nand flash的特性
1、位翻转
在 NAND 闪存是通过对存储单元(Cell)进行充电来完成数据存储的，存储单元的阈值电压就对应着数据值。当读取的时候，通过将它的阈值电压与参考点对比来获得其数据值。对SLC 而言，就只有两种状态和一个
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Nand 烧录
- 存储器是一个严格按照摩尔定律前进、追求低成本的规模经济产业，想做起来太难，在过去的年月里，能够听到的只有不断退出的失败悲歌，中国这次能否在存储器市场占有一定规模呢？
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存储器 NAND
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，在平均销售单价下滑幅度明显高于位元出货量成长的情况下，第一季NAND Flash品牌商营收较去年第四季下滑2.9%，已连续两个季衰退。
2016年第一季全球NAND Flash市况持续受供过于求影响，通路颗粒合约价下滑约10%;智慧型手机、平板电脑与笔记型电脑出货大幅衰退也让eMMC、用户级固态硬碟(SSD)跌价幅度扩大至13~18%。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示
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NAND 英特尔
- 全球储存型快闪记忆体(NAND Flash)晶片最大供应商慧荣科技总经理苟嘉章昨(21)日表示，固态硬碟(SSD)价格已到甜蜜点，今年出货将大爆发，成为成长最强劲的记忆体产品;法人预估台厂概念股群联、创见、威刚、宇瞻、广颖、宜鼎等，可望掀比价效应。
慧荣是以台湾为研发重心，立足全球的国际公司，上周五(20日)股价以每股42.19美元创2005年6月在美国那斯达克挂牌以来新高，市值达1.48亿美元(约新台币48.5亿元)，同创历史新高。
苟嘉章昨天主持慧荣爱心园游会后，针对今年NAND Fl
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NAND Flash
- 红色供应链来势汹汹，外界原本认为，陆厂要到四五年后才能在记忆体抢下一席之地，不过有分析师预测，陆厂研发脚步迅速，可能2018年就能量产3D NAND。
巴 伦(Barronˋs)6日报导，美系外资晶片设备分析师Atif Malik称，中国透过Rambus和Spansion取得DRAM和NAND记忆体的技术授权。2月份，Spansion和武汉新芯(XMC)签订3D NAND研发和交叉授权协定。由武汉新芯出资、Spansion提供电荷储存式(Charge trap)和浮闸(Floating Gate
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新芯 NAND
- 全球大部分半导体产业都可能笼罩阴霾，但韩国三星电子凭借强大的技术优势可以扩大部分关键产品的市场份额，甚至可能提高营收。这将使三星在逆境中表现优于多数同业。
全球个人电脑(PC)销量下降，以及智能手机增长放缓，让半导体产业遭受沉重打击。英特尔本月宣布将最多裁员1.2万。
高通曾表示，第三财季芯片(晶片)出货量可能下降达22%。SK海力士周二公布季度营业利润下降65%，这是其三年来的最差业绩。
将于周四公布第一季财报的三星，也难免遇挫。市场广泛预计三星芯片获利将会下降，一些分析师预测1-
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DRAM NAND
- 中国大陆业者在NAND Flash产业链的相关布局与投资不断开展，成为中国大陆半导体业挥军全球的下一波焦点。TrendForce旗下拓墣产业研究所最新研究报告显示，随着紫光国芯(原同方国芯)投资、武汉新芯扩厂，及国际厂如三星、英特尔增加产能，预估2020年中国大陆国内Flash月产能达59万片，相较于2015年增长近7倍。
TrendForce预估2012~2016年NAND Flash生产端年平均位元增长率达47%，其最终消费端需求年平均位增长率亦高达46%，显示NAND Flash仍为高速发
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