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qlc nand 文章 进入qlc nand技术社区

淡季影响销售，NAND Flash 供应商 Q1 将供过于求

  • 　　根据 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新报告显示，第四季 NAND Flash 市况虽依旧维持健康水准，但在三星电子、东芝与晟碟各自面临价格与产销端的压力影响营收、及第三季呈现微幅衰退的情况下，品牌供应商营收仅较第三季成长 2% 至 87.5 亿美元。DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，因需求端面临淡季效应，2015 年第一季整体市况将转为供过于求，在价格滑落幅度转趋明显的情况下，业者将藉由加速先进制程的转进，改善成本架构，以减低价格跌幅的冲击。 　
  • 关键字： NAND Flash  三星  东芝  

国际大厂找Mobile RAM货源　敲开与台厂合作大门

  • 　　存储器厂持续在eMCP(eMMC结合MCP封装)领域扩大进击，继东芝(Toshiba)与南亚科洽谈策略联盟，新帝(SanDisk)亦传出首度来台寻找移动式存储器Mobile RAM合作伙伴，考虑与南亚科签定长约或包下产能，显示国际存储器大厂亟欲寻找Mobile RAM货源，并敲开与台厂合作大门。 　　半导体业者透露，在三星电子和SK海力士主导下，智能型手机内建存储器规格从eMMC转为eMCP，原本NAND Flash芯片外加关键零组件Mobile RAM芯片，2015年东芝??新帝阵营将展开大反扑。
  • 关键字： NAND Flash  Mobile RAM  

NAND Flash价格续滑　难摆脱供给过剩困境

  • 　　由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供应量持续增加，造成价格连续两个月下滑，业界预期若三星电子(Samsung Electronics)等业者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生产比重，后续MLC产品价格下滑情况恐将更明显。 　　根据韩媒DigitalTimes报导，由于USB、硬碟与记忆卡市场进入淡季，加上库存堆积，导致NAND Flash价格走滑，市场供给过剩情况恐持续到农历春节。业界认为目前NAND Flash下滑走势虽大部分是受
  • 关键字： NAND Flash  三星  

无线应用成2015半导体市场最大增长动力

  • 　　2015年全球半导体行业收入预计将达3580亿美元，较2014年增长5.4%，但仍然低于之前5.8%的增长预期。 　　半导体市场的增长动力包括智能手机专用标准电路ASSP，以及超移动PC和固态硬盘中使用的DRAM和NAND闪存芯片。 　　“由于DRAM恢复传统的降价方式，而整个行业需要消耗假期的过多库存，因此2015年的半导体收入增长可能较2014年的7.9%有所放缓。”业内人士认为，“由于供应短缺，DRAM价格在2014年基本保持坚挺，使之成为2014年增速最
  • 关键字： 物联网  DRAM  NAND  

群联砸3.8亿 入股宇瞻

  • 　　储存型快闪记忆体(NAND Flash)控制晶片大厂群联(8299)昨(19)日宣布，参与记忆体模组厂宇瞻私募，将以每股25.38元、总金额3亿8,070万元，取得宇瞻9.9%股权，成为宇瞻最大法人股东，双方将携手冲刺工控应用固态硬碟(SSD)市场。 　　群联昨股价上涨2.5元，收在214.5元;宇瞻下跌0.25元，以31.4元作收。 　　群联斥资约3.8亿元，取得宇瞻9.9%股权，成为最大法人股东。图为群联董事长潘健成。 本报系资料库 　　分享 　　上述私募价格是采依过去30个交易日均价31
  • 关键字： 群联  宇瞻  NAND Flash  

半导体事业关键时刻 救了三星的面子与里子

  • 　　三星电子(Samsung Electronics)日前发布2014年第4季暂定财报，营收止跌回升为52兆韩元(约478.8亿美元)，其中半导体事业暨装置解决方案(DS)事业部贡献达一半以上，可说是最大功臣。 　　据韩媒ChosunBiz报导，三星电子在1月8日发布2014年第4季暂定财报，业绩终于跌回升，营收为52兆韩元，营业利益达5.2兆韩元。 　　韩国KDB大宇证券推估，三星电子DS部门第4季贡献营业利益约2.9兆韩元，比IT暨移动通讯(IM)事业部高出1兆韩元左右。第3季DS部门营业利益(2
  • 关键字： 苹果  DRAM  NAND Flash  

Gartner：蓬勃的DRAM市场为内存制造商带来增长

  • 　　Gartner发布初步统计结果，2014年全球半导体总营收为3398亿美元，与2013年的3150亿美元相比增长7.9%。前25大半导体厂商合并营收增长率为11.7%，优于该产业整体表现。前25大厂商占整体市场营收的72.1%，比2013年的69.7%更高。 　　Gartner研究副总裁Andrew Norwood表示：“就群体来看，DRAM厂商的表现胜过半导体产业其他厂商。这股趋势始于2013年DRAM市场因供给减少及价格回稳双重因素而蓬勃发展并持续至今，2014年营收也因而增长31.
  • 关键字： Gartner  DRAM  NAND  

三星2015年内量产48层V NAND　已着手研发64层产品

  • 　　三星电子(Samsung Electronics) 为与其他尚无法生产V NAND的竞争业者将技术差距拉大到2年以上，并在次世代存储器芯片市场上维持独大地位，计划在2015年内量产堆叠48层Cell的3D垂直结构NAND Flash。 　　据首尔经济报导，三星近来已完成48层结构的V NAND研发，并着手研发后续产品64层结构V NAND。48层V NAND将于2015年内开始量产。原本韩国业界推测三星会在2015年下半完成48层V NAND，并在2016年才投入量产，然三星大幅提前了生产日程。
  • 关键字： 三星  NAND  Intel  

高交会上东芝引领闪存技术走向

  • 　　全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange的数据表明，东芝2014年会计年度第二季(7月~9月)的NAND Flash营运表现最亮眼，位出货量季成长25%以上，营收较上季度成长23.7%。 　　东芝电子(中国)有限公司董事长兼总经理田中基仁在日前的2014年高交会电子展上也透露，2014年东芝在中国的闪存生意非常好，在高交会电子展上展示的存储技术和产品也是很有分量的，从MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的产品，并且东芝的技术动向，也在引领未来闪存的发展趋势。
  • 关键字： 东芝  NAND  闪存  3D  201501  

Spansion面向嵌入式市场推出新型工业级e.MMC NAND闪存产品

  • 　　不久前，Spansion宣布面向嵌入式系统的全新工业级e.MMC产品系列。众所周知，Spansion于2012年推出了立足嵌入式应用的SLC NAND产品。至此，我们为SLC NAND解决方案发展了一个强大的客户群，而且我们还发现，这些客户对嵌入式集中规模存储解决方案的需求也越来越大。对于那些不仅仅是要购买一款“现成”产品的嵌入式客户而言，Spansion全新的e.MMC系列产品是一个完美的选择。 　　   　　作为Spansion第一款管理型NAND产品系
  • 关键字： Spansion  NAND  

海力士前高层加入慧荣　SSD大战鸣枪

  • 　　固态硬碟(SSD)战火正热，持续成为2015年产业焦点，NAND Flash控制芯片业者为了布局上游半导体大厂，使出浑身解数绑桩，传出慧荣将延揽前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division资深副总Gi Hyun Bae担任公司高层。 　　慧荣一向和SK海力士合作紧密，双方合作内嵌式存储器eMMC业务外，有机会延伸至SSD产品线上，2015年更是关键年，慧荣内部极度重视SSD产品线，立下通吃NAND Flash大厂和存储器模组两大族群的目标，看好公司营运
  • 关键字： SSD  NAND Flash  SK海力士  

NAND闪存将被RRAM颠覆？存储器市场暗潮涌动

  • 　　NAND闪存已经成为固态存储的霸主，不过它也存在诸多问题，尤其是寿命随着工艺的先进化而不断缩短，TLC格式也引发了诸多质疑，因此研发一种可取而代之的新式非易失性存储技术势在必行。 　　从FRAM到相变式存储器，新选手不断涌现，但目前还未能挑战NAND的地位。直到最近，名为电阻式RAM的新贵出现了，它最被看好，三星、闪迪等巨头都在投入，不过，走在最前列的是一家美国创业公司Crossbar。 　　RRAM相较于NAND最大的优势就是更好的性能、寿命。NAND的读取延迟一般在几百微妙级别，Crossba
  • 关键字： NAND  三星  闪迪  

DRAM乐观 NAND有隐忧

  • 　　记忆体市况今年将不同调;动态随机存取记忆体(DRAM)市场可望维持稳定获利，储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场则有隐忧。 　　DRAM市场步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三强鼎立的寡占局面，各DRAM厂去年不仅全面获利，并且是丰收的一年。 　　台塑集团旗下DRAM厂南亚科去年可望首度赚进超过1个股本;美光与南亚科合资的华亚科去年获利也可望突破新台币400亿元，将创历史新高纪录。 　　NAND Flash市场竞争、变化相对激烈，且难以预料;去年下半
  • 关键字： DRAM  三星  海力士  NAND Flash  

东芝扩充海外内存芯片厂，会是中国吗

  • 　　据国外媒体报道，东芝首席执行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司将在始于明年4月份的下一财年决定在何处新建一座内存芯片工厂，并且在选择建厂地址时会考虑海外地区。 　　东芝在不到4个月前在四日市新开了一座NAND闪存芯片加工厂，田中久雄在接受采访时称，需求超过了产能，公司必须扩大产能。NAND闪存芯片主要被用于智能手机和其他电子产品。 　　田中久雄称：“三星已经在中国西安市建厂，海力士也在中国建了一座生产厂。”当被问及中国是否会是海外建厂的最佳地区时，他补充说
  • 关键字： 东芝  NAND  

中国“援军”帮助东芝追赶三星

  • 智能手机全球迅速普及、终端记忆体的大容量化、大数据时代到来等，都将大幅增加对NAND型记忆卡的需求。
  • 关键字： 东芝  三星  NAND  
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