近日在加州圣克拉拉举行的闪存峰会(Flash Memory Summit)上，镁光公布了他们的首款 3D NAND 闪存芯片。这种闪存芯片在不改变尺寸的情况下能提供更多的储存空间。据 PCWorld 报道，镁光这款 3D 闪存芯片的容量为 32GB，其目标市场为中高端的智能手机。该产品基于新的 UFS 2.1 标准，市面上的智能手机均未使用这种理论上更快的储存协议。
镁光认为智能手机对内存容量的需求越来越高，虚拟现实应用和流媒体都将占用大量的储存空间。他们表示，在几年
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镁光 NAND
中中国下决心做存储器芯片，是个特别重大，而又十分艰难的决定，国存储器业要取得成功，总体上产业发展有三条路径，研发，兼并及合资，合作都是十分有效，然而经过一段时间的实践，有一定进展，但是情况也有些变化，这一切唯有通过研发的早日成功，才能扭转被动的局面。
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存储器 NAND
据韩国经济报导，大陆半导体产业在政府的强力支援下，清华紫光与武汉新芯采行攻击性投资策略，迫使南韩、日本、美国等主要半导体业者也纷纷强化投资。
市调业者DRAM eXchange表示，全球半导体市场中，NAND Flash事业从2011~2016年以年均复合成长率(CARG)47%的速度成长;清华紫光以新成立的长江存储进行武汉新芯的股权收购，成立长江存储科技有限责任公司，未来可能引发NAND Flash市场版图变化。
清华紫光拥有清华大学的人脉，在社会上拥有一定的影响力，武汉新芯拥有技术方面
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三星 3D NAND
上周东芝及WD(西部数据)宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。外电报道，三星将抢先于今年底前开始量产64层3D NAND，三星表示，目标是今年生产4G V-NAND，可能意即为64层3D NAND。
SSD(固态硬盘)近年来制程技术演进，成本价格逐渐逼近硬盘(Hard disk)，因此渗透率大增，各大厂陆续将生产DRAM产能逐渐转向NAND Flash(储存型快闪记忆体)，大抢市占率，除了比市
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三星 NAND
上周东芝及WD(西部数据)宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。外电报道，三星将抢先于今年底前开始量产64层3D NAND，三星表示，目标是今年生产4G V-NAND，可能意即为64层3D NAND。
SSD(固态硬盘)近年来制程技术演进，成本价格逐渐逼近硬盘(Hard disk)，因此渗透率大增，各大厂陆续将生产DRAM产能逐渐转向NAND Flash(储存型快闪记忆体)，大抢市占率，除了比市
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东芝 NAND
我们获取和存储数据的方式发生了巨大转变，这是近年来半导体行业出现并购潮的原因所在。
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半导体 NAND
陶氏电子材料是陶氏化学公司的一个事业部，本日推出 OPTIPLANE™ 化学机械研磨液 (CMP) 平台。OPTIPLANE 研磨液系列的开发是为了满足客户对先进半导体研磨液的需求：能以有竞争力的成本，符合减少缺陷的要求和更严格的规格，适合用来製造新一代先进半导体装置。
全球 CMP 消耗品市场持续成长，部分的成长驱动力来自新的 3D 逻辑、NAND 快闪记忆体和封装应用，这些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合无数先进电子装置的性能需求。
「生产先进半导体晶圆
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陶氏 NAND
经过8个多月的努力，英特尔大连非易失性存储制造新项目7月初实现提前投产。7月25日，记者在英特尔半导体(大连)有限公司厂区内看到，1000多名英特尔员工和来自全世界的数千名项目建设供应商员工，正井然有序地忙碌着，他们的共同目标只有一个：全力加速非易失性存储制造新项目的量产步伐。
去年10月，英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界上最先进的非易失性存储器制造工厂。该项目是迄今为止英特尔在中国的最大一笔投资，也是大连市乃至辽宁省改革开放以来最大的外资项目。此前的2010年，作为英特尔在亚洲
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英特尔 NAND
NAND快闪记忆体受惠固态硬盘(SSD)销售热络，加上智能手机搭载容量提高，带动近月价格持续上涨，创见、威刚等模组厂营运受惠，市场预期苹果将推出的iPhone 7拉货动能如何，将攸关NAND快闪记忆体价格续涨力道。
市场指出，上半年非苹阵营智能手机产品销售强劲，产品功能提升带动记忆体需求大增，加上6月三星西安厂因变电厂爆炸导致停工，带动NAND快闪记忆体价格上涨，主流产品在1个月内涨幅超过2成。
市况变化带动记忆体模组厂营运增温，创见表示，在涨价预期心理带动下，通路拉货力道明显回升，DRA
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NAND DRAM
因中国大陆、中国台湾智能手机厂商纷纷强化产品功能、带动记忆体需求大增，加上三星电子西安工厂6月因附近变电厂爆炸而一度停工，带动使用于智能手机、记忆卡的NAND型快闪记忆体(Flash Memory)交易价格转趋走扬，指标性产品6月份批发价在1个月期间内飙涨22%。
报道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)类型64Gb NAND价格扬升至每个2.75美元、为2年9个月以来首度走升，其中也有部分交易价格超过3美元，且进入7月以来价格仍持续走扬。据英国调查公司指出，2016年全球NA
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三星 NAND
据海外媒体报道，东芝(Toshiba)计划领先三星电子(Samsung Electronics)于2016财年开始量产64层3D NAND Flash存储器芯片。日经亚洲评论(Nikkei Asian Review)报导，东芝于7月15日举办日本三重县四日市(Yokkaichi)半导体二厂启用仪式，未来将在此工厂生产64层NAND Flash。
64层NAND Flash较东芝和三星目前生产的48层NAND Flash容量高30%，虽然价格较高，但每单位容量会比48层版的便宜。若应用于智能型手机
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东芝 NAND
有关中国半导体业发展的讨论已经很久了，似乎路径已经清晰，关键在于执行，以及达成何种效果。受现阶段产业大环境的影响，仍由政府资金主导，因此非市场化的因素尚在，产业的波浪式前进似乎不可避免，中国半导体业发展需要采用研发、兼并及合资与合作的三驾马车，这三者都十分重要，需要齐头并进。
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半导体 NAND
备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪记忆体已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
三星(Samsung)早在2015年8月就发布其256Gb的3位元多级单元(MLC) 3D V-NAND快闪记忆体K9AFGY8S0M，并强调将用于各种固态硬碟(SSD)，也预计会在2016年初正式上市。这些承诺如今真的实现了，我们得以在其2TB容量的T3系列mSATA可携式SSD中发现其踪影(如图1)。
图1：三星T3 2TB S
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三星 V-NAND
东芝(Toshiba)统筹存储器事业的副社长成毛康雄于6日举行的投资人说明会上表示，将冲刺NAND Flash产量，目标在2018年度将NAND Flash产量扩增至2015年度的3倍水准(以容量换算)。
关于已在2016年度开始量产的3D结构NAND Flash，成毛康雄指出，将强化3D Flash的生产，目标在2017年度将3D产品占整体生产比重提高至5成、2018年度进一步提高至9成左右水准。
东芝为全球第2大NAND Flash厂商，市占率仅次于三星电子。
日经、韩国先驱报(
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东芝 3D NAND
Cell on Peripheral Circuit(以下简称Cell on Peri)构造由美光(Micron)与英特尔(Intel)阵营开发，采用将3D NAND Flash晶胞(Cell)阵列堆叠在周边电路CMOS逻辑IC上的方式，以缩减采3D NAND Flash解决方案的晶片面积。DIGITIMES Research观察，三星电子(Samsung Electronics)已提出类似此一构造的COP(Cell Over Peri)方案，将有利整合元件厂(Integrated Device Ma
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3D NAND 美光
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