苹果已经秘密与三星谈下合作，在iPhone上采用三星的NAND闪存芯片。时隔5年，苹果再一次采用了三星的NAND flash。先前也有消息指出iPhone将会采用AMOLED屏幕。
先前苹果不用三星闪存，是因为三星希望在闪存颗粒封装上采用特殊图层的方式来做电池干扰屏蔽，但是三星并不愿意做。如今台湾供应商发出了喷涂图层工艺，三星有望使用这个技术，来让闪存颗粒满足苹果的EMI屏蔽标准。又因为这一工艺较为廉价，所以三星比较重视。
使用三星NAND闪存颗粒+AMOLED
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苹果 NAND
传闻三星电子(Samsung Electronics)半导体暨装置解决方案事业部(DS)正与多家业者共同进行EMI遮蔽制程研发，有意重启对苹果(Apple)供应NAND Flash存储器，过去4年来三星电子与苹果的NAND Flash交易中断。
据韩媒ET News报导，日前业界表示，三星电子正与PROTEC、诺信(Nordon Asymtek)、韩松化学(Hansol Chemical)、Ntrium等多家点胶机(Dispense)业者，共同研发以喷涂(Spray)方式进行EMI遮蔽制程。
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三星 NAND
韩厂积极打进苹果iPhone供应链。韩国媒体报导，三星电子计画提供NAND型快闪记忆体给iPhone，这将是睽违4年后三星电子NAND型快闪记忆体重返iPhone供应链。
韩国网站媒体ET News报导，苹果从2012年iPhone 5推出开始，就没有采用三星电子(Samsung Electronics)的NAND型快闪记忆体，在于三星电子并未接受苹果要求、在NAND型快闪记忆体封装技术上采用电磁干扰屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
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三星 NAND
大陆国营企业武汉新芯(XMC)最近发表约240亿美元的投资计划，将以武汉为基地，兴建以生产NAND Flash为主的半导体工厂。依韩国业界看法，武汉新芯与三星电子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技术差距，但将是大陆市场上的潜在最大对手。
据韩联社报导，大武汉新芯最近发表27兆韩元(约240亿美元)的投资计划，将以武汉为基地，兴建以生产NAND Flash为主的半导体工厂。地方政府已从投资机构湖北省集成电路产业投资基金方面取得钜额资金。
韩联社引述EE Times
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新芯 NAND
国内大力扶持存储，各种巨额的投资项目争议不小，但是为了存储自主的未来，也值。
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存储器 3D NAND
不论是NAND闪存还是DRAM内存领域，韩国两家公司三星、SK Hynix总算还能保住吃香喝辣的日子，但美国的美光公司这两年就没啥舒服日子了，技术、产能都落后友商，偏偏现在又遇到了内存、闪存降价，跌跌不休的价格导致美光营收下滑了30%，当季净亏损9700万美元，对未来季度的预测同样悲观。
美光公司周三发布了截至今年3月3日的2016财年Q2财报，当季营收29.3亿美元，上季度为33.5亿美元，去年同期为41.66亿美元，同比下滑了30%。
美光当季毛利只有5.79亿美元，远远低于上季度的8
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DRAM NAND
在国家意志的推动下，中国存储企业大多是不差钱的主，完全可以在没有后顾之忧的情况下，砸出工艺，暴出产能，在如此力度的政策、资金扶持下，武汉新芯、紫光等中国企业能重演京东方在面板产业的逆袭么？
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存储器 NAND
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，中国记忆体大厂武汉新芯新建记忆体晶圆厂将从本月底开始进行建厂工程，目标最快在2018年年初开始生记忆体晶片，初期规划将以目前最先进的3D-NAND Flash为主要策略产品，代表了近两年来中国极力发展记忆体产业的态势下，将开始进入新的里程碑。
DRAMeXchange研究协理杨文得指出，现阶段武汉新芯主要以生产NOR Flash为主，月产能约为2万片左右，在NAND Flash产业也展现强大的企图心。不同于国际NAND Fla
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NAND 存储器
国际半导体产业协会(SEMI)最新报告指出，3D NAND、DRAM与10奈米制程等技术投资，将驱动2016年晶圆厂设备支出攀升，预估2016年包括新设备、二手或专属(In-house)设备在内的前段晶圆厂设备支出将增长3.7%，达372亿美元;而2017年则可望再成长13%，达421亿美元。
SEMI指出，2015年晶圆厂设备支出为359亿美元，较前一年微幅减少0.4%;预测2016年上半年晶圆厂设备支出可望缓慢提升，下半年则将开始加速，为2017年储备动能。2017年相关支出可望回复两位数成
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晶圆 3D NAND
国内终于要有了存储，剩下的问题就是国产闪存应该如何与三星、Intel、东芝们竞争呢？初期的价格战是不可避免的，但长久来看还得是技术立足。
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3D NAND 存储
“失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。虽然无法预测需要多长时间，但希望能获得新生，成为一家能永久发展下去的企业”。东芝于2016年3月18日在东京召开了2016年度业务计划说明会，代表执行董事社长室町正志在会上这样说道。
东芝的一系列结构改革都已有了目标。在说明会前一天，东芝宣布将把医疗器械子公司——东芝医疗系统出售给佳能，将把白色家电业务出售给美的集团(参阅本站报道1)。关于个人电脑业务与其他公司进行业务合并一事，室町表示“希望在201
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东芝 NAND
为了进一步提高NAND Flash生产效益，2016年Flash原厂将切入1znm(12nm-15nm)投产，但随着逼近2D NAND工艺可量产的极限，加快向3D技术导入已迫在眉睫，2016年将真正迎来NAND Flash技术拐点。
1、积极导入48层3D技术量产，提高成本竞争力
与2D工艺相比，3D技术的NAND Flash具有更高的性能和更大的存储容量。3D技术若采用32层堆叠NAND Flash Die容量达128Gb，与主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本竞争力。
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3D NAND 2D
除供过于求价格下滑幅度加剧，现阶段主流NANDFlash制程转进已遇到瓶颈，另外开发与生产过程良率不佳的问题，制程转进所带来的成本下滑效益逐渐缩减。
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NAND 美光
2015年第四季整体 NAND Flash 市况持续供过于求，除通路颗粒合约价下滑9~10%外，智慧型手机、平板电脑与笔记型电脑等OEM装置出货不如预期，也让eMMC与SSD价格单季下滑幅度扩大至10~11%。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，在价格下滑幅度明显高于位元销售的情况下，第四季NAND Flash品牌商的营收较第三季衰退2.3%。该机构研究协理杨文得表示，除价格下滑幅度加剧外，现阶段主流NAND Flash製程转进已遇到瓶颈，三星(Sam
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NAND 三星
2015年第四季整体 NAND Flash 市况持续供过于求，除通路颗粒合约价下滑9~10%外，智慧型手机、平板电脑与笔记型电脑等OEM装置出货不如预期，也让eMMC与SSD价格单季下滑幅度扩大至10~11%。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，在价格下滑幅度明显高于位元销售的情况下，第四季NAND Flash品牌商的营收较第三季衰退2.3%。该机构研究协理杨文得表示，除价格下滑幅度加剧外，现阶段主流NAND Flash制程转进已遇到瓶颈，三星(Sam
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