- IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片，并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。
IBM表示，使用SOI技术可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM还表示，基于SOI技术的嵌入式DRAM每个存储单元只有一个单管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。
IBM的这款32nm SOI嵌入式DRAM周期时间可以小于2纳秒，与同类SRAM相比待机功耗降低4倍，软错误率降低1000多倍，功耗也大大减少。
IBM希望将3
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IBM 32nm DRAM 动态存储器
- 据国外媒体报道，投资银行摩根士丹利在周一表示，在经历了三年的衰退之后，计算机存储芯片市场已开始复苏，预计此次复苏将会持续两年的时间。
摩根士丹利分析师韩亘(Keon Han)在周一的报告中指出，DRAM芯片销售在2010年将会达到224亿美元，较今年的184亿美元增长21%。在摩根士丹利分析师上调了三星电子、海力士和三家台湾芯片制造商的股价预期之后，韩国和台湾芯片股周一普遍出现上涨。
瑞萨科技在周一表示，该公司计划在下月上调芯片售价。瑞萨科技此举表示，芯片制造商正在走出去年供给过剩以及亏损
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海力士 DRAM 存储芯片
- 华尔街日报报道，台湾茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)发言人曾邦助(Ben Tseng)周五称，公司将与台湾记忆体公司(Taiwan Memory Company)在芯片研发和生产方面进行合作。
曾邦助告诉道琼斯通讯社(Dow Jones Newswires)称，茂德科技计划于10月份取消无薪假期，部分原因是与台湾记忆体的合作需要公司逐步恢复产能。此前受芯片供应过剩影响，茂德科技已连续9个季度亏损。
受芯片行业持续低迷影响，自去年11月份以来，茂德科技的雇员每月都
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TMC DRAM
- 9月18日消息 据华尔街日报导报，南亚科技发言人白培霖周五称，因个人电脑销售旺盛，继续带动DRAM芯片需求，公司将把9月下半月的动态随机存储(DRAM)芯片价格较上半月上调10%。
白培霖表示，公司几乎已经达成了下半月的所有交易，由此可见需求之旺盛。南亚科技每月与个人电脑制造商进行两次DRAM芯片价格谈判。
白培霖还称，南亚科技9月上半月将DRAM芯片价格较8月末上调了15%，公司目前的芯片平均售价约为2美元，高于其现金成本。
但白培霖称，南亚科技仍然不太可能在本季度扭亏为盈。该公司
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南亚科技 DRAM
- 2009年面临DDR2和DDR3规格交替之际，各厂纷纷压宝气势如虹的DDR3气势，DDR2饱受冷板凳之苦许久，然现在风水轮流转，DDR2受到供给减少、PC大厂又回头青睐之故，市场意外出现缺货声浪，DRAM厂和模块厂双双感叹误判形势，导致现在DDR2库存过低，南亚科副总白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺货问题将更明显浮上台面，且由合约价蔓延至现货价，届时1Gb DDR2现货价格将看到2美元。
近期市场传言，三星电子(Samsung Electronics)有意将1Gb DDR2价格压在1.7美
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Samsung DRAM NAND
- 市场研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash销售额和出货量分别增长98%和67%，其他产品的业绩数据也十分健康，这说明产业已调头撞向V形反弹的上升阶段。
从今年1月到7月，IC市场销售额增长了43%，DRAM、MPU、模拟电路销售额分别增长61%、57%和50%。
爆炸式的增长率当然也与今年1月半导体市场业绩达到此轮衰退的最低点有关。
“IC产业复苏并不会是缓慢的，而是V形增长，目前上升周期已经开始。”IC Insights分析师
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DRAM NAND MPU 模拟电路
- 三星电子(Samsung Electronics)半导体部门可望再创2年9个月来未见的1兆韩元(约8.2亿美元)营业利益。据韩国证券业与相关业者表示，三星电子2009年第3季合并营业利益推估可落在3.7兆~3.8兆韩元间，且可能超越上述区间。
三星电子2004年第1季创下最大营业利益4.01兆韩元，其中半导体部门营业利益为1.78兆韩元，通讯部门则是1.257兆韩元，占公司整体营业利益大半。三星半导体事业更在2004年第2季创下史上最大营业利益2.15兆韩元，占整体单季营业利益(3.773兆韩元
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三星 DRAM LCD
- 韩国半导体厂商海力士(Hynix)2009年第3季创下2,000亿韩元(约1.63亿美元)的营业利益，破除2007年第3季以来连续8季亏损魔咒。海力士在全球DRAM市场继三星电子(Samsung Electronics)之后第2家转亏为盈的厂商。
据业界预测，2009年第2季营业亏损2,110亿韩元的海力士，2009年第3季可望转亏为盈，落在2,000亿韩元左右，接近2007年第3季营业利益2,540亿韩元规模，而在2007年第3季以后，三星已连续7季营运呈现亏损。
分析指出，海力士营运改
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Hynix DRAM 50纳米
- 调研公司iSuppli周一公布的数据显示，今年第二季度，英特尔全球处理器市场份额达到了80.6%，创四年来新高。
受PC市场需求反弹推动，英特尔第二季度市场份额为80.6%，高于今年第一季度的79.1%和去年第二季度的79.2%，创四年来的最高点。2005年，英特尔曾创下82.4%的市场份额。
与此同时，竞争对手AMD市场份额下滑至11.5%，低于今年第一季度的12.8%和去年第二季度的11.9%。
iSuppli分析师马休-威尔金斯(Matthew Wilkins)称：&ldquo
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英特尔 处理器 PC
- 介绍了一种在工业测控系统中具有通用性的，基于CAN总线控制器SJA1000的，CAN总线与PC机通过RS-232互连的串口网络通信接口适配器的设计，详细说明了该适配器的硬件配置、电路结构和软件设计。并对软硬件设计中遇到的几个关键问题进行了讨论。该设计方案实现了管理监控层(上位PC机)和现场生产测控层(现场CAN总线网)之间的连接。充分体现CAN总线的灵活性和可扩展性。其实际应用结果表明：该适配器可靠性高，运行稳定，具有很强的实用推广价值。
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适配器 设计 实现 通信 串口 总线 PC CAN CAN
- 景气转好，近期科技业联贷案陆续通过，合约DRAM大厂南科150亿元(新台币，下同)联贷案也可望于9月底通过，加上6月时私募120亿元，以及年底可能再办约100多亿元的现增案，南科银弹满满，转进50奈米制程进度已经无虞。
日前奇美电联贷案金额不断往上追加，原应在8月结案，顺延到9月上旬，金额也由最初预定的300亿元规模，被联贷银行团超额认购到422亿元，最后以400亿元结案。显见随景气转好，银行团原本紧缩的态度，也逐渐放松。而南科150亿元联贷案，预计将在9月底登场。据银行端消息透露，最晚第四季就
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南科 DRAM 68纳米
- DRAM价格趋于稳定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，台厂面对这样美好的光景，心中还是有些疑虑，担心三星电子(Samsung Electronics)会从中作梗，破坏DRAM价格涨势，然现在苹果(Apple)强劲追加NAND Flash订单，且随著智能型手机价格平民化的趋势，未来内建高容量存储器普及，都让各界相当看好2010年NAND Flash市场前景，三星在喜迎苹果大单之余，也无暇与台系DRAM厂厮杀，暌违多年的DRAM和NAND Flash双好行情可望再现。
2009 年存储器产业触
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三星 DRAM NAND 存储器
- 台湾新任“经济部长”施颜祥11日强调，成立TMC的时空环境在变，当时规划时全球DRAM产业正处严峻状态，现在已稍微舒缓;他将以技术生根台湾理念来处理TMC的后续问题。
施颜祥说，现在很难说TMC政策到底要不要调整，他会在下周听取工业局简报，了解TMC政策推动进度与细节，再决定未来怎么做，原则上还是会以技术生根角度处理TMC的问题。
施颜祥临危受命接下“经济部”重担，未来不仅要面对TMC政策衍生的争议，还有即将来临的两岸洽签ECFA(经济合作架
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TMC DRAM
- 介绍如何采用Cypress公司的CY8C：24x94、CY7C64215芯片及USBUART用户模块，方便、快速地实现嵌入式系统与PC机之间基于USB接口通信的软硬件设计与实现方法。该方案使得工程师能够轻松跨越复杂的USB底层接口协议，仍然采用简便的RS232(UART)方式进行上层应用系统设计。
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通信 设计 USBUART PC 系统 嵌入式 转换器
- 尽管近期DRAM价格大幅反弹，但估计2009年第3季仍仅有韩系两大厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以赚钱，2010年再轮到美光(Micron)和尔必达(Elpida)转亏为盈，至于台厂方面，由于 2010年三星制程技术将晋级到40纳米，以目前台厂脚步，未来恐将会有多家大厂被迫淡出标准型DRAM市场。
DRAM价格虽已开始反弹，然复原最快厂商仍是三星，第2季已开始赚钱，预计第3季三星和海力士两大韩厂都可望进入获利，随著DRAM产业逐步复苏，美光和尔必达2
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三星 DRAM 40纳米 晶圆代工
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