- 800瓦MOSFET功放功放适合大功率的AV场合，看看参数吧：频响宽度：10HZ--100KHZ失真度（8欧姆100W输出时）：0 ...
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MOSFET 功放
- Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器，作为理想驱动二极管。同时，ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗，以及逾87%的满载效率。
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Diodes 控制器 MOSFET
- 摘要：在分析了单粒子烧毁(SEB)物理机制及相应仿真模型的基础上，研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线，明确了影响器件抗SEB能力的参数及决定因素。仿真研究了单缓冲层结构MOSFET，表明低掺杂缓冲层可提高器件负
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二维数值 模拟 能力 SEB MOSFET 功率
- 智能MOSFET提高医疗设计的可靠性同时提升性能,所有的医疗应用在要求高可靠性的同时仍然要为最终用户提供所需的技术进步。由于各医疗设备公司间竞争激烈，他们的最终应用、功能急剧增加，但是没有考虑到另外一个可能的失效点的影响。在所有这些点都需要电源，并且
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MOSFET 医疗设计 可靠性 性能
- 日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)面向太阳能发电的功率调节器市场，开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
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罗姆 电阻 MOSFET
- 全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社(以下简称“瑞萨电子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)系列产品，包括用于笔记本电脑中锂离子(Li-ion)二级电池的充电控制开关和与AC适配器进行电源转换的电源管理开关等用途进行最佳化的µPA2812T1L。
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瑞萨电子 MOSFET µPA2812T1L
- 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求
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飞兆 MOSFET
- 电路的能功要使放大后的波形与输入波形相似，放大电路必须采用对称电路，而且有源元件的特性要一致。本电路就是波形失真小的放大电路，各级均为推挽对称电路，可以获得上升边和下降边时间常数基本相等的脉冲响应以及
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MOSFET VP-P 120 电压
- 电路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器，而且还在输出级采用了MOSFET，使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。
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MOSFET 高频特性 放大器电路 工作原理
- 摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC／DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。
关键词：全桥移相控制器LM5046；28个PIN脚功能(上接第1
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控制器 -LM5046 全桥移 驱动器 MOSFET 集成
- 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评
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解析 能量 雪崩 UIS MOSFET
- 用作功率开关的MOSFET
随着数十年来器件设计的不断优化，功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和电源效率的提升。功率器件从电流驱动变为电压驱动，加快了这些产品的市场渗透速度。上世纪80年代，平面栅极功率MOSFET
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考量 设计 MOSFET 功率
- 随着电源高效、高功率密度的要求，电源的频率由原来的工频，到几十千赫兹，再到如今几百千赫兹甚至兆赫兹。电源频率的要求越来越高。如何选择合适的MOSFET，如何有效地驱动高速MOSFET，提升电源效率是广大工程师面临的问题。本文将探讨MOSFET的选型以及高速驱动线路设计的注意事项。
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MOSFET 电容
- 1. 引言 散热器在计算时会出现误差，一般说来主要原因是很难精确地预先知道功率损耗，每只器件的参数参差不 ...
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热模型 MOSFET PSPICE
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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