- 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (纳斯达克：NXPI)日前宣布推出全新汽车级功率MOSFET器件系列，该系列采用恩智浦的Trench 6技术，具有极低导通电阻(RDSon)、极高的开关性能以及出色的品质和可靠性。恩智浦新型汽车级MOSFET已取得AEC-Q101认证，成功通过了175˚C高温下超过1,600小时的延长寿命测试(性能远超Q101标准要求)，同时具有极低PPM 水平。
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恩智浦 MOSFET
- 工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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MOSFET 车用 如何提高 能量
- 功率场效应晶体管（PowerMOSFET）是一种多数载流子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频性能好、...
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MOSFET 驱动 保护电路
- 电阻值的测量通常比较简单。但是，对于非常小阻值的测量，我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状，如电线，Kelvin方法是非常精确的。可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率，但是所使
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MOSFET 精确测量 导通电阻
- 摘要：率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配
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设计 应用 电路 保护 驱动 MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出PowIRaudio集成式功率模块系列，适用于高性能家庭影院系统及车用音频放大器。新器件将脉冲宽度调制控制器和两个数字音频功率MOSFET集成至单一封装，提供高效紧凑的解决方案，有助于减少零部件数量，缩小高达70% 的电路板尺寸，并能简化D类放大器设计。
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IR MOSFET PowIRaudio
- 铅酸电池具有安全、便宜、易维护的特点，因此目前仍然广泛的应用于电动自行车。但是铅酸电池污染大、笨重、循环次数少，随着世界各国对环保要求越来越高，铅酸电池的使用会越来越受到限制。磷酸铁锂电池作为一种新型
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电路设计 保护 锂电池 MOSFET 功率
- 便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了FDZ661PZ和FDZ663P P沟道、1.5V规格的PowerTrench®薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
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飞兆 MOSFET P沟道
- 随着功率需求增加以便为高密度嵌入式DC-DC电源提供更多的功能，电源工程师面临着在较小的线路板空间提供更高功率密度和更高效率的挑战。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低侧高双功率芯片非对称N沟道模块 FDPC8011S，帮助设计人员应对这一系统挑战。
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飞兆 MOSFET FDPC8011S N沟道
- 新型纯控制器降压LED驱动器成本优势明显、效率傲视群雄
中国上海，2012年5月7日讯 —— 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ：NXPI)今天宣布推出SSL2109，该款高效降压控制器面向采用非隔离式拓扑结构的高功率非调光型LED照明应用。SSL2109 LED驱动器IC与外部功率开关一同使用，为100V、120V和230V电源输入电压和最高25 W的功率范围提供了单一的设计平台。SSL2109提供了广受欢迎的SSL2108x系列的
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恩智浦 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻低至1.35mΩ，Miller电荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK® SO-8和1212-8封装。
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Vishay MOSFET
- 在现今的汽车应用中，设计人员需要把大电流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性负载，这类应用包括：白炽灯、电机控制和加热器件等。现在要实现这一目的，设计人员不得不依赖分立式或机电式解决方案，或是受制于市场上数量有限的解决方案。
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飞兆 MOSFET F085A
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的SiZ710DT 20 V n沟道PowerPAIR®功率MOSFET荣获功率器件/电压转换器类别的2012中国年度电子成就奖。
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Vishay MOSFET 转换器
- 在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和...
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MOSFET 驱动器 电源性能
- 工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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MOSFET 车用 保护 性能
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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