- 据IHS iSuppli公司的研究，2010年中国功率MOSFET市场快速增长，销售额达到23亿美元，比2009年的16亿美元增长43%。
直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多数时间都处于供应不足局面，难以满足中国各行业的需求，包括本地数据处理、消费与通信领域。功率MOSFET是为处理较高的功率级而设计的功率半导体器件，主要用于电源与DC-DC转换器中的低电压开关。
去年功率MOSFET在中国市场强劲增长，可能主要归功于中国政府的推动。为了鼓励投资和刺激经济，中国政府推出了一系
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MOSFET 无线通信
- DC-DC电源、马达控制、热插拔和负载开关应用，以及服务器的次级同步整流应用的设计人员，需要使用具有更低传导损耗和开关损耗的MOSFET器件以期提高设计的效率。
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Fairchild MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，Vishay发布2011年的“Super 12”特色产品。这些元器件具有业界领先的规格标准，如导通电阻、导通电阻与栅极电荷乘积(FOM)、温度范围和电流等级。这些创新产品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 进行展示，是许多关键应用的上佳之选，也充分反映出Vishay产品线之丰富。
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Vishay MOSFET
- 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面找到了最佳平衡点，并且具有行业最低的RDS (on) (25V和30V均为亚1 mΩ级)，是高性能、高可靠性开关应用的理想之选。
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恩智浦 MOSFET
- 英飞凌的最新一代高压CoolMOS™ MOSFET取得了又一项创新，设立了能效的新标准。在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日至19日)上，英飞凌展出了全新推出的650V CoolMOS™ CFD2，它是世界上第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。这个新的CFD2器件延续了600V CFD产品的优点，不仅可以提高能效，而且具备更软的交换功能，从而降低了电磁干扰(EMI)，提升产品的竞争优势。
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英飞凌 MOSFET
- Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻 (ROJA) 为256ºC/W，在连续条件下功耗高达1.3W，而同类产品的功耗则多出一倍。
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Diodes MOSFET
- Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下，可以替代两个独立的SOT23封装MOSFET，节省七成的电路板空间。
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Diodes MOSFET
- 高电压MOSFET技术在过去几年中经历了很大变化，给电源工程师带来了不少选择。只要提供有关不同技术的使用指南，就可以帮助工程师选择合适的部件以达成其应用的效率和成本目标。了解不同MOSFET部件的细微差别及不同开
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MOSFET 高压 合适 选择 应用
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出了一款优化版车用DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片组，适合内燃机、混合动力和电动车中的DC-DC 应用。
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IR MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出坚固耐用的车用 MOSFET系列，适合多种内燃机 (ICE) 和混合动力车平台应用。
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IR MOSFET
- 据IHS iSuppli公司的研究，由于工业与消费领域的需求增长，中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场未来几年将快速增长，2014年销售额将从2009年的4.297亿美元上升到9.75亿美元，增长一倍以上。
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IGBT MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出坚固耐用的车用 MOSFET系列，适合多种内燃机 (ICE) 和混合动力车平台应用。
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IR MOSFET
- 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation) 推出LTC4441新的高可靠性(MP 级) 版本，该器件是一款6A N 沟道MOSFET 栅极驱动器，在-55°C 至125°C的工作节温范围内工作。该高功率驱动器设计用于增加DC/DC 控制器的输出功率及效率，从而使其能够驱动高功率N 沟道MOSFET 或多个并联的MOSFET。其栅极驱动电压从5V 至8V 是可调的，从而允许设计师选择标准门限或逻辑电平MOSFET。LTC4441 在5V 至25V 的宽输入
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Linear MOSFET 栅极驱动器
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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