功率MOSFET作为双极晶体管的替代品最早出现于1976年。与那些少数载流子器件相比，这些多数载流子器件速度更快、更坚固，并且具有更高的电流增益。因此开关型电源转换技术得以真正商用化。早期台式电脑的AC/DC开关电
关键字：
领域 应用 转换 电源 MOSFET 功率
前言
Panansonic电工的PhotoMOS在输出中采用了光电元件和功率MOSFET，是作为微小模拟信号用而开发出的SSD，以高功能型的HF型为首，正逐步扩展系列，如通用型的GU型、高频型的RF型。
上次介绍了PhotoMOS的概要，此次将介绍内置在PhotoMOS中构成控制电路的独特的光电元件的特点、构造、布线等。
FET型MOSFET输出光电耦合器的基本电路
图1是PhotoMOS中具有代表性的、即所谓的FET型MOSFET输出光电耦合器的最基本电路。在该电路中由于输出
关键字：
Panansonic PhotoMOS MOSFET
高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET(金属氧化物半导体晶体管)产品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新产品作为面向DC/DC转换器的功率半导体器件，主要面向计算机服务器和笔记本电脑等的应用。
本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存储器的电压转换电路。例如，可作为降压电路，用于将电池提供的12V电压转换为1.05V，以便为CPU所用。随着公司进一步推进
关键字：
瑞萨电子 MOSFET
b触点型“PhotoMOS”的开发
随着PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器的优势被广泛了解，人们将其用于信息通信设备、OA设备、FA设备及其他广泛的领域。为了满足大众进一步的需求，本公司开发出了“可通过机械实现、并拥有所有触点构成(b触点、c触点)”的PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器。
为实现该产品的开发，我们在功率MOSFET制造工艺中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
关键字：
Panasonic MOSFET PhotoMOS
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天宣布推出汽车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，适合D 类音频系统输出级等高频开关应用。
新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 适用于汽车 D 类音频系统的 DirectFET®2 功率 MOSFET 阵营，并利用低栅极电荷 (Qg) 作出优化，来改善总谐波失真
关键字：
IR MOSFET
采用功率MOSFET及其驱动器和光纤收发器件，研究了激光触发开关脉冲功率源控制技术中的快上升沿(≤5 ns)触发信号产生、驱动、传输及光纤隔离、高耐压脉冲变压器使用等关键技术。给出了激光器外触发控制电路的设计及测试结果，并对其应用特点进行了分析和讨论。
关键字：
MOSFET 激光器 触发系统
Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封装的双极晶体管 (BJT)、MOSFET和瞬态抑制二极管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超过采用更大封装的器件。
Diodes SOT963的占板面积仅有0.7 mm2，比SOT723封装少30%，比SOT563封装少60%，适合低功耗应用。占板面积节省加上0.5 mm的离板高度，让Diodes 的 SOT963 封装器件能够满足各种超便携式电子产品的要求。
现阶段推出的SOT963封装产品线包括6款通用双极双晶体管组合、3款小信号双MOS
关键字：
Diodes MOSFET BJT TVS
我们先来看看MOS关模型：
关键字：
MOSFET 驱动器 功耗计算
之前，我们介绍了如何对正向转换器输出整流器开启期间两端的电压进行缓冲。现在，我们来研究如何对反向转换器的 FET 关断电压进行缓冲。图 1 显示了反向转换器功率级和一次侧 MOSFET 电压波形。该转换器将能量存储于
关键字：
转换器 缓冲 设计 MOSFET TI 德州仪器
前言:
Panasonic电工的“PhotoMOS”是一款采用光电元件以及功率MOSFET进行输出的输出光电耦合器。面试二十年间，在全世界的销量达到八亿个，堪称是一款销售成绩骄人的商品。“PhotoMOS”满足了小型·轻量·薄形化的需求，作为适应电子化的输出光电耦合器，增加了①高灵敏性、高速响应;②从传感器输入信号水平到高频的控制;③从声音信号到高频用途的对应;④高可靠性和长使用寿命;⑤可进行表面安装的SMD型;⑥多功能
关键字：
松下电工 MOSFET PhotoMOS 光电耦合器
英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件，在10V栅源电压条件下，漏极电流为180A，而通态电阻仅为0.9毫欧。采用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0，可满足客户对标准封装功率 MOSFET的需求：以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。
基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术，OptiMOS-T
关键字：
英飞凌 MOSFET
英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件，在10V栅源电压条件下，漏极电流为180A，而通态电阻仅为0.9毫欧。采用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0，可满足客户对标准封装功率 MOSFET的需求：以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。
基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术，OptiMOS-T2器件成为大
关键字：
英飞凌 MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天宣布拓展了针对低导通电阻(RDS(on))应用的汽车用功率 MOSFET 专用系列，包括车载电源及内燃机 (ICE) 、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。
新的 MOSFET 系列器件系列在 55V 的电压下可提供低达 2.6 mΩ 的导通电阻，可以承受 40V 至100V 的电压，并涵盖了此前推出的 75V 产品。当中一些具有更高电压的器件非常适用于 24V 卡车系统，采用 D2Pak-7P
关键字：
IR MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET --- Si8800EDB，该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可减少在便携式电子产品中占用的空间。
随着便携式产品变得愈加小巧，器件的尺寸成为选择器件的重要因素，因为按键和电池占用了大部分空间，使PCB的面积受到极大限制。Si8800EDB具有超小的外形和
关键字：
Vishay MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以及电信设备等应用。
新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中压硅技术，通过大幅降低90% RDS(on)显著改善了电流处理能力，为客户的特定应用优化了性能及价格。
IR
关键字：
IR MOSFET HEXFET
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473