下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电
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MOSFET 应用 原理 电路 驱动
新型电力半导体器件的代表，IGBT的产业化在我国还属空白。无论技术、设备还是人才，我国都处于全方位的落后状态。应当认识到，电力半导体器件和集成电路在国民经济发展中地位同样重要，因此，政府应该对IGBT产业予以大力扶持。
众所周知，电力电子技术可以提高用电效率，改善用电质量，是节省能源的王牌技术。当今以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的新型电力半导体器件是高频电力电子线路和控制系统的核心开关元器件，它的性能参数将直接决定着电力电子系统的效率和可靠性。IGBT已成为新型电力半导体器件的代表性器件，
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器件 IGBT 封装 测试 MOSFET
近年来随着介观物理和纳米电子学对散粒噪声研究的不断深入，人们发现散粒噪声可以很好的表征纳米器件内部电子传输特性。由于宏观电子元器件中也会有介观或者纳米尺度的结构，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也会
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MOSFET 噪声测试 方法研究
安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC-Q101标准认证，非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。
NCV8401、NCV8402、NCV8402D(双裸片)、NCV8403及NCV8404的设计是为了提供强固及可靠的工作，这些器件全都有丰富的自保护特性，包括限温及限流、静电放电(ESD)保护，以及用于过压保护(OVP)的集成漏极至栅极钳位。
安森美半导体汽车
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安森美 MOSFET 驱动IC
利用低端栅极驱动器IC可以简化开关电源转换器的设计，但这些IC必须正确运用才能充分发挥其潜力，以最大限度地减小电源尺寸和提高效率。如何根据额定电流和功能来选择适当的驱动器，驱动器周围需要哪些补偿元件，以及如何确定热性能等是设计时要注意的方面。
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Fairchild 转换器 MOSFET 开关电源 栅极驱动器 200912
市场需求逐步恢复
● 能效需求催生功率器件应用热潮
● 扩内需政策为企业提供增长空间
陈坤和
从2008年底到2009年初，所有电子产品的需求均有减少，功率半导体也不例外。我们认识到，困难时期可能成为重新把公司塑造成一个更精简、更专注、更赢利企业的催化剂。由于各国政府的经济刺激措施纷纷把提升能效列为重点内容，许多企业开始关注功率产品。在中国，由于政府刺激消费电子市场，中国市场需求增长，推动功率管理和其他半导体产品的需求开始复苏。从长期来看，功率半导体将与许多其他领域的半导体产品
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功率器件 MOSFET
现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多，这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。
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MOSFET 选择正确 驱动器
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性和成本。
ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计，能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路(SLIC)DC/DC转换器对变压器中初级开关位置的严格要求。这些应用涵盖宽带语音系统、PBX系统、有线和DSL网关。
两款新器件的击穿电压(BVDSS)分别为150V及200V，能够承受SLIC环境下的高脉冲雪崩能量和通信模式，不需要额外的保护电
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Diodes MOSFET
CMOS器件的等比例缩小发展趋势，导致了栅等效氧化层厚度、栅长度和栅面积都急剧减小。对于常规体MOSFET，当氧化层厚度2 nm时，大量载流子以不同机制通过栅介质形成显著的栅极漏电流。栅极漏电流不仅能产生
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研究 模型 噪声 电流 MOSFET
过去，人们常把集成电路比作电子系统的大脑，而把功率半导体器件比作四肢，因为集成电路的作用是接受和处理信息，而功率器件则根据这些信息指令产生控制功率，去驱动相关电机进行所需的工作。如今，新型功率半导体器件如MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)及功率集成电路应用逐渐普及，其为信息系统提供电源的功能也越来越引人注目。功率半导体器件在电子系统中的地位已不仅限于“四肢”，而是为整个系统“供血”的“心脏&rdq
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功率半导体 MOSFET IGBT
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P沟道技术的最新器件，使用了自矫正的工艺技术，在每平方英寸的硅片上装进了1亿个晶体管。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的间距工艺，将目前业界最好的P沟道MOSFET
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Vishay MOSFET SiA433EDJ
通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时，具有正的温度系数导通电阻也增加，因此流过的电流减小，温度降低，从而实现自动的均流达到平衡。同样对于一个功率MOSFET器件，在其内部也是有许多小晶胞并联而成，晶胞的导通电阻具有正的温度系数，因此并联工作没有问题。但是，当深入理解功率MOSFET的传输特性和温度对其传输特性的影响，以及各个晶胞单元等效电路模型，就会发现，上述的理论只有在MOSFET进入稳态导通的状态下才能成立，而在
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MOSFET RDS ON 温度系数
日前，Vishay宣布推出两款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸为1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今为止业界最小的芯片级功率MOSFET。
在种类繁多的便携式设备中，20V的P沟道Si8461DB和Si8465DB可用于负载开关、电池开关和充电开关应用。器件的小尺寸和薄厚度有助于减少电源管理电路所占用的空间，以及/或是实现更多的功能。与市场上尺寸与之最接近的芯片级功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB
全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。
新系列的MOSFET利用安森美半导体获市场验证的沟槽技术，提供优异的导通阻抗[RDS(on)]及更高的开关性能，用于个人计算机(PC)、服务器、游戏机、处理器稳压电源
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安森美 MOSFET 沟槽 同步降压转换器
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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