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扬杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET产品，采用SGT工艺

  • 4月8日消息，扬杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET产品，采用先进的SGT (Shield  Gate  Trench  MOSFET) 制程工艺，针对电机驱动、BMS等应用设计，优化BVdss、Rdson、Qg等参数性能同时，提升MOSFET抗冲击电流能力。N80V-N85V系列MOSFET产品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多种封装形式可以选择。广泛应用于电池管理系统、储能系统、逆变电源系统、电机驱动系统、电源管理系统等，是其核
  • 关键字： MOSFET  杨杰科技  

板子上的MOSFET莫名炸机，多半是这个原因！

  • MOSFET、IGBT是开关电源最核心也是最容易烧坏的器件！其原因大多是过压或过流导致功耗大增，从而使器件损坏，甚至可能会伴随爆炸。而SOA安全工作区测试，就是保障其安全工作的重要测试项目！
  • 关键字： MOSFET  ZLG  

瑞森 SGT MOSFET 介绍及应用

  • 最近，瑞森研发部对功率MOSFET的技术进行了更新换代，这种技术改变了MOSFET内部电场的形态，将传统的三角形电场进一步的变更为类似压缩的梯形电场，可以进一步减小EPI层的厚度，降低导通电阻Rds(on)。
  • 关键字： MOSFET  瑞森  

如何避免功率MOSFET发生寄生导通?

  • 该文描述了引起功率MOSFET发生寄生导通的机制，并进一步指出为了避免寄生导通，在选取MOSFET时应遵循什么准则。
  • 关键字： MOSFET  英飞凌  

你的MOSFET为什么发热那么严重？

  • 在开关电源电路中，MOSFET作为最核心的器件，却也是最容易发热烧毁的，那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢？本文来带你具体分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体。它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。如图1所示，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管，如图2所
  • 关键字： MOSFET  ZLG  

最全！20V到1700V全覆盖的国产MOSFET功率器件，工温最高175℃

  • 中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技(YANGJIE)· 主要产品：中低压MOSFET（VDSS：20V-150V）和高压MOSFET（VDSS：500V-900V）· 厂牌优势：专注于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展，，通过了ISO9001，ISO14001，IATF16949等认证，连续数年评为中国半导体功率器件十强企业。国内领先的的分立器件研发企业：长晶科技（JSCJ）· 主要产品：覆盖了12V~700V的功率型MOSFET· 厂牌优势：专注于功率器件、分立器件、频率器件、
  • 关键字： MOSFET  杨杰科技  长晶科技  

闻达精芯之安，泰然创新于世

  • 安世半导体（Nexperia）是全球半导体行业公认的基础半导体器件生产专家，持续稳定地大批量生产超越业界质量标准的高效产品。
  • 关键字： 202204  MOSFET  

同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列”

  • 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，因此也就要求其中所用的功率半导体进一步降低功率损耗。针对这种
  • 关键字： MOSFET  

英飞凌推出采用D2PAK封装的650 V CoolSiCTM MOSFET，进一步降低应用损耗并提高可靠性

  • 在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下，电力消耗日益增加。与此同时，提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应当下全球发展大势并满足相关市场需求，英飞凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。这些SiC器件采用了英飞凌先进的SiC沟槽工艺、紧凑的D2PAK 表面贴装7引脚封装和.XT互连技术，广泛适用于大功率应用，包括服务器、电信设备、工业SMPS、电动汽车快速充电、电机驱动、太阳能系统、储能系统和电
  • 关键字： MOSFET  

东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性[2]之间的平衡[3]，从而实现了优异的低损耗特性。此外，开关
  • 关键字： MOSFET  

恩智浦与日立能源合作开发电源模块，加快碳化硅在电动交通领域的采用

  • 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布与日立能源合作，加快碳化硅（SiC）电源半导体模块在电动交通领域的采用。此次合作项目为动力逆变器提供基于SiC MOSFET的解决方案，更高效可靠且功能安全，该解决方案由恩智浦先进的高性能GD3160隔离式高压栅极驱动器和日立能源RoadPak汽车SiC MOSFET功率模块组成。产品重要性电动汽车厂商采用SiC MOSFET动力器件，可比采用传统硅IGBT获得更高的续航里程，提高系统整体效率。SiC MOSFET功率器件带有高性能功率
  • 关键字： MOSFET  

如何为开关电源选择合适的MOSFET？

  • DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。图1：降压同步开关稳压器原理图。DC/DC开关电源因其高效率而广泛应用于现代许多电子系统中。例如，同时拥有一个高侧FET和低侧FET的降压同步开关稳压器，如图1所示。这两个FET会根据控制器设置的占空比进行开关操作，旨在达到理想的输出电压。降压稳压器的占空比方
  • 关键字： 开关电源  MOSFET  

Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范围

  • 基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃的整个工作温度范围的一系列完整器件参数。这些先进模型中加入了反向二极管恢复时间和电磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整体精度。参数可帮助工程师建立精确的电路和系统级仿真，并在原型设计前对电热及EMC性能进行评估。模型还有助于节省时间和资源，工程师此
  • 关键字： Nexperia  电热模型  MOSFET  

罗姆SiC评估板测评：快充测试

  • 一、测试工装准备1、P02SCT3040KR-EVK-001测试板2、电压源3、示波器4、负载仪二、测试项目进行1、安装 SIC后的空载波形SiC安装空载波形空板，空载GS 为100hz 25V 信号2、DCDC 在线测试1）空载测试驱动空载输出12V，gs驱动为200hz总宽度3.6uS的锥形信号2）加载  24转55V  2A dcdc驱动信号波形如下：带载 6.6k 15V驱动信号单脉冲宽度，3uS左右总结由于轻负载，温度始终未超过50度。开关速度方面优于硅基产品，以后有对应设备
  • 关键字： SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

罗姆SiC评估板测评：射频热凝控制仪测试

  • 测试设备①直流电源由于手上没有高电压的直流电源，只能使用一般的电源，且手上只有一个低压直流稳压源，所以这稳压电源既用于给开发板电源供电，又用于半桥母线电源。②电子负载半桥电源电源的输出负载，可恒流或者恒压或者恒负载，测试电源的带载能力非常好用。③信号发生器产生不同频率的可调制的方波信号，用于MOS管的驱动④示波器观察驱动信号、输出信号、MOS管的波形⑤万用表测量各测试点的电压⑥温度巡检仪测量带载后MOS管的温度测试拓扑将说明书中电路按照上述描述修改：两个直流电源换成CBB电容，在Hvdc母线上加上12V电
  • 关键字： SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  
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