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安森美发布高性能、低损耗的SUPERFET V MOSFET系列，应用于服务器和电信
- 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi)，近日发布新的600 V SUPERFETÒ V MOSFET系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定，如80 PLUS Titanium，尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。600 V SUPERFET系列下的三个产品组--FAST、Easy Drive和FRFET经过优化，可在各种不同的应用和拓扑结构中提供领先同类的性能。600 V SUPERFET V系列提供出色的开关特性和较低的门极噪声，从而降低电磁干扰（EMI），这对服务器和电信系统是
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派恩杰SiC MOSFET批量“上车”，拟建车用SiC模块封装产线
- 自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。但目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，据Yole数据，Cree，英飞凌，罗姆，意法半导体占据了90%的市场份额。国产厂商已有不少推出了碳化硅二极管，但具有SiC MOSFET研发和量产能力的企业凤毛麟角。近日，据业内人士透露，国产碳化硅功率器件供应商派恩杰半导体（杭州）有限公司（简称派恩杰）的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破，获得了新能源汽车
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安森美在ASPENCORE全球电子成就奖和EE Awards Asia赢得头筹
- 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi)近日宣布其NCP51561隔离SiC MOSFET门极驱动器获ASPENCORE全球电子成就奖（WEAA）的功率半导体/驱动器类奖项。WEAA项目表彰对全球电子行业的创新和发展做出杰出贡献的企业和个人，由ASPENCORE全球分析师及其用户社群选出获奖者。安森美同时宣布其压铸模功率集成模块（TM-PIM）获EE Awards Asia的功率IC产品类奖项，同时公司以其先进的汽车方案和智能电源产品获得最孚众望的电动车(EV)功率半导体供应商奖。EE Awa
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东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于近日开始支持批量出货。TLP5705H是东芝首款采用厚度仅有2.3毫米（最大值）的薄性封装（SO6L）可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。传统采用缓冲电路进行电流放大的中小型逆变器与伺服放大器等设备，现在可直接通过该光耦驱动其IGBT／MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于减少部件数量并实现设计小型
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非常见问题第191期：负载点DC-DC转换器解决电压精度、效率和延迟问题
- 问题：为什么使用DC-DC转换器应尽可能靠近负载的负载点(POL)电源？答案：效率和精度是两大优势，但实现POL转换需要特别注意稳压器设计。接近电源。这是提高电源轨的电压精度、效率和动态响应的最佳方法之一。负载点转换器是一种电源DC-DC转换器，放置在尽可能靠近负载的位置，以接近电源。因POL转换器受益的应用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它们对功率级的要求都越来越高。例如，在汽车应用中，高级驾驶员辅助系统(ADAS)——例如雷达、激光雷达和视觉系统——中使用的传感器数量在稳步倍增，导致需要更快的数
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Diodes Incorporated 目标电动汽车产品应用推出高电流 TOLL MOSFETs
- Diodes 公司为金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 近日推出节省空间、高热效率的 TOLL (PowerDI®1012-8) 封装，能在 175°C、100 瓦等级的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下运作，另外，80 瓦等级的 DMTH8001STLWQ 金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 比 TO263 占据的 PCB 面积少了百分之二十。产品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。这特色让产品成为高可靠性电力产品应用的最佳选择，像是能量热回
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先进ALD技术赋能第三代半导体产业
- 功率器件作为半导体产业的重要组成部分，拥有非常广泛的技术分类以及应用场景。例如，传统的硅基二极管、IGBT和MOSFET等产品经过数十年的发展，占据了绝对领先的市场份额。不过，随着新能源汽车、数据中心、储能、手机快充等应用的兴起，拥有更高耐压等级、更高开关频率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半导体功率器件逐渐崭露头角，获得了业界的持续关注。如今，在生产工艺不断优化、成本持续降低的情况下，老牌大厂与初创企业纷纷加码第三代半导体，SiC和GaN功率器件开始投入批量应用，并迎来了关键的产能爬坡阶段。作为半
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提高迟滞，实现平稳的欠压和过压闭锁
- 电阻分压器可将高电压衰减至低压电路能够承受的电平，且低压电路不会出现过载或损坏。在功率路径控制电路中，电阻分压器有助于设置电源欠压和过压闭锁阈值。这种电源电压验证电路常见于汽车系统、便携式电池供电仪器仪表以及数据处理和通信板中。欠压闭锁(UVLO)可防止下游电子系统在异常低的电源电压下工作，避免导致系统故障。例如，当电源电压低于规格要求时，数字系统可能性能不稳定，甚至死机。当电源为可充电电池时，欠压闭锁可防止电池因深度放电而受损。过压闭锁(OVLO)可保护系统免受破坏性地高电源电压的影响。由于欠压和过压阈
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基于eGaN FET的2 kW、48V/12V DC/DC转换器演示板，让设计师实现用于轻度混合动力汽车的更高效、更小、更快的双向转换器
- EPC9163是一款两相48 V/12 V双向转换器，可提供2 kW的功率和实现96.5%的效率，是适用于轻度混合动力汽车和备用电池装置的小型化解决方案。宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9163，这是一款 2 kW、两相的48 V /12 V双向转换器演示板，可在非常小的占板面积上实现 96.5%的效率。该演示板的设计具有可扩展性 - 并联两个转换器可以实现4 kW的功率，或者并联三个转换器以实现6 kW。该板采用8个100 V 的eGaN®FET（EPC2218），并由模块控制，该模块采用Mic
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添加灵活的限流功能
- 问题：我可以根据负载轻松而精确地进行限流吗？答案：可以使用限流IC进行限流。在一些电源管理应用中，需要精确地限制电流。无论是要保护电源（例如，中间电路电压需要过载保护以便能够可靠地为其他系统部件提供电能），还是在故障情况下保护可能由于过流而造成损坏的负载，都需要精确地限制电流。在寻找合适的DC-DC负载点稳压器来满足此要求时，我们发现市面上具有可调限流功能的电压转换器很少见。可调限流功能在采用外部电源开关的控制器设计中更加常见，而所有的集成解决方案很少提供此类功能。而且，可调限流功能的精度通常不是很高。以
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使用无损耗过零点检测功能提高智能家居和智能建筑(HBA)应用中的AC输入开关效率和可靠性
- 在越来越多的应用中，对导通和关断AC输入电源的器件的性能进行优化是一个重要考虑因素，这些应用包括智能家居/智能建筑(HBA)、支持物联网(IoT)的家电、智能开关和插头、调光器和人体感应传感器，特别适用于采用继电器或可控硅进行功率控制的设计。当AC电源异步导通或关断而不考虑其所处的电压时，效率和可靠性会受到不利影响，必须添加电路以保护开关免受高瞬态电流的影响。当AC电源异步导通时，浪涌电流可能超过100A。反复暴露于高浪涌电流会对继电器和可控硅的可靠性和使用寿命产生负面影响。电触点的预期寿命因浪涌电流需求
- 关键字： MOSFET
在单个封装中提供完整的有源功率因数校正解决方案
- 源设计者如今面临两个主要问题：消除有害的输入谐波电流和确保功率因数尽可能地接近于1。有害的谐波电流会导致传输设备过热，并带来后续必须解决的干扰难题；这两者也会对电路的尺寸和/或效率产生不利影响。如果施加在线路上的负载不是纯电阻性的，输入电压和电流波形之间将产生相移，从而增加视在功率并降低传输效率。如果非线性负载使输入电流波形失真，则会引起电流谐波，从而进一步降低传输效率并将干扰引入市电电网。如果要解决这些问题，需要了解功率变换的基本原理。电源当中通常将来自墙上插座的交流电压连接至整流电路，整流管将交流电压
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