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mosfet-driver 文章 进入mosfet-driver技术社区

硅晶体管创新还有可能吗？ 意法半导体超结MDmesh案例研究

  • 前言自从固态晶体管取代真空电子管以来，半导体工业取得了令人惊叹的突破性进展，改变了我们的生活和工作方式。如果没有这些技术进步，在封城隔离期间我们就无不可能远程办公，与外界保持联系。总之，没有半导体的技术进步，人类就无法享受科技奇迹。举个例子，处理器芯片运算能力的显著提高归功于工程师的不断努力，在芯片单位面积上挤进更多的晶体管。根据摩尔定律，晶体管密度每18个月左右就提高一倍，这个定律控制半导体微处理器迭代50多年。现在，我们即将到达原子学和物理学的理论极限，需要新的技术，例如，分层垂直堆叠技术。同时，我们
  • 关键字： MOSFET  

贸泽与Vishay携手推出全新电子书介绍汽车级电子元件的新应用

  • 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)近日宣布与Vishay Intertechnology, Inc.合作推出全新电子书An Automotive Grade Above（推动汽车电子进一步发展），探讨支持电动汽车 (EV) 充电、车载信息娱乐系统等各种汽车应用所需的高性能解决方案。在这本电子书中，来自贸泽和Vishay的行业专家就现代汽车设计中一些富有创新性的技术提出了深入的见解，这些技术包括用于人机交互的光电传感器和用于电动/混动汽车设计的光
  • 关键字： MOSFET  

储能领域蕴藏节能机会 ADI积极推动节能减排

  • ADI 公司的检测、信号转换和信号处理技术为全球的能源基础设施提供支持。从发电端的发电机电流电压监测/ 风机振动监测、输电环节的导线舞动监测/ 导线覆冰监测/ 地质灾害监测、变电环节的变压器振动监测到配电环节故障指示以及用电环节的电力计量，从微电网和公用事业到数据中心和工厂，再到最大限度提高可再生能源利用率及支持电动汽车充电桩的大规模部署，ADI的高性能半导体解决方案可帮助合作伙伴设计智能、灵活、高效的电力与能源系统。ADI中国汽车技术市场 高级经理 王星炜1   储能系统B
  • 关键字： 202107  MOSFET  储能  

超结高压MOSFET驱动电路及EMI设计

  • 分析了超结结构功率MOSFET在开关过程中由于Coss和Crss电容更强烈的非线性产生更快开关速度的特性；给出了不同外部驱动参数对开关过程的dV/dt和di/dt的影响；列出了不同驱动电路开关波形及开关性能的变化。最后，设计了优化驱动电路，实现优化的EMI结果，并给出了相应驱动电路的EMI测试结果。
  • 关键字： 202106  超结  驱动  EMI  非线性  MOSFET  

ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET

  • 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常适用于FA等工业设备和基站（冷却风扇）的电机驱动。近年来，为了支持工业设备和基站的电机所使用的24V输入，MOSFET作为用于驱动的器件，需要具备考虑到电压稳定裕度的、40V和60V的耐压能力。此外，为了进一步提高电机的效率并减小尺寸，对于MOSFET还提出了更低导通电阻和高速开关工作的要求。在这种背景下，
  • 关键字： MOSFET  

Nexperia新8英寸晶圆线启动，生产领先Qrr品质因数80 V/100 V MOSFET

  • 基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生产线将立即扩大Nexperia的产能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件将具有行业内极低的Qrr品质因数(RDS(on) x Qrr)。Nexperia产品经理Mike Becker指出：“鉴于全球半导体短缺的情况下，Nexperia积极投资
  • 关键字： Nexperia  MOSFET  

安森美半导体推出创新的超高密度离线电源方案

  • 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor)，近日推出业界首款专用临界导通模式 (CrM) 图腾柱PFC控制器，是该公司超高密度离线电源方案集的新成员。在传统的PFC电路中，整流桥二极管在240 W电源中的损耗约4 W，占总损耗的20%左右。相比之下，PFC级的能效通常为97%，LLC电路实现类似的性能。然而，用 "图腾柱 "配置的开关取代有损耗的二极管，并拉入升压PFC功能，可减少电桥损耗，显著提高整体能效。此外，NCP1680可适用于任何开关类型，无论是超级结
  • 关键字： MOSFET  

功率器件的演变

  • 随着世界中产阶级的增加以及汽车、暖通空调（HVAC）和工业驱动更加电气化，电力需求只会增加。在每个功率级（发电、配电、转换和消耗）所能达到的能效将决定整个电力基础设施的负担增加程度。在每个功率级，能效低会导致产生热量，这是主要的副产物。通常，消除热量或以其他方式处理热量需要消耗更多的能量。因此，减少每一功率级产生的废热具有相当大的影响。在转换级，电力电子器件产生的热量主要归咎于导通损耗和开关损耗。更高能效的半导体意味着更少的热量，因此也减少了能源浪费。低能效的半导体产生的热量是不可利用的，且大多是不需要的
  • 关键字： 202105  MOSFET  

新一代AC/DC ZVS高功率密度USB PD 解决方案助力移动设备快速充电

  • 针对智能手机和平板电脑等移动设备的快速充电是消费电子行业中增长最快和规模最大的市场之一，相应电源适配器每年全球使用量达数亿件以上。其中涉及一系列新兴技术和挑战，包括USB PowerDelivery（PD）。本文将探讨一些目前与快充相关的AC/DC功率转换关键技术，重点讨论对USB PD的支持、技术的发展，以及Dialog在这方面提供的最新产品和解决方案。
  • 关键字： MOSFET  202105  

ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

  • 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向大功率通用逆变器、AC伺服、商用空调、路灯等工业设备，开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年来，随着节能意识的提高，在交流400V级工业设备领域，可支持更高电压、更节能、更小型的SiC功率半导体的应用越来越广。而另一方面，在工业设备中，除了主电源电路之外，还内置有为各种控制系统提供电源电压的辅助电源，但出于设计周期的考量，它们中仍然广泛采用了耐压较低的Si-MOSFET和损耗较
  • 关键字： MOSFET  IGBT  

东芝为电动助力转向打造电机驱动系统核心

  • 随着汽车电气和电子系统设计日趋复杂化，汽车电子系统的安全性逐渐成为消费者与厂商衡量新一代汽车产品优劣的重要指标。如何量化评估汽车功能是否安全，如何减少、规避驾驶过程中遇到的各类风险，如何做到汽车功能安全等问题变得十分突出，为了解决上述难题，ISO26262 汽车功能安全国际标准应运而生。ISO26262 定义的功能安全是为了避免因电气／电子系统故障而导致的不合理风险。由于电子控制器失效的可预见性非常低，为了保证即使出现部分电子器件故障，汽车系统也能在短期（故障容错时间内）内安全运行，需要进行功能安全防护。
  • 关键字： 202106  MOSFET  

碳化硅用于电机驱动

  • 0   引言近年来，电力电子领域最重要的发展是所谓的宽禁带（WBG）材料的兴起，即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。WBG 材料的特性有望实现更小、更快、更高效的电力电子产品。WBG 功率器件已经对从普通电源和充电器到太阳能发电和能量存储的广泛应用和拓扑结构产生了影响。SiC 功率器件进入市场的时间比氮化镓长，通常用于更高电压、更高功率的应用。电机在工业应用的总功率中占了相当大的比例。它们被用于暖通空调（HVAC）、重型机器人、物料搬运和许多其他功能。提高电机驱动的能效和可靠性是降低
  • 关键字： 202106  MOSFET  WBG  202106  

在工业高频双向PFC电力变换器中使用SiC MOSFET的优势

  • 摘要随着汽车电动化推进，智能充电基础设施正在迅速普及，智能电网内部的V2G车辆给电网充电应用也是方兴未艾，越来越多的应用领域要求有源前端电力变换器具有双向电流变换功能。本文在典型的三相电力应用中分析了SiC功率MOSFET在高频PFC变换器中的应用表现，证明碳化硅电力解决方案的优势，例如，将三相两电平全桥(B6)变换器和NPC2三电平(3L-TType)变换器作为研究案例，并与硅功率半导体进行了输出功率和开关频率比较。前言随着汽车电动化推进，智能充电基础设施正在迅速普及，智能电网内部的V2G车辆给电网充电
  • 关键字： MOSFET  IGBT  

贸泽电子与PANJIT签订全球分销协议

  • 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)近日 宣布与PANJIT签订全球分销协议。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半导体制造商。签订本协议后，贸泽开始备货PANJIT 丰富多样的产品，包括二极管、整流器和晶体管。贸泽备货的PANJIT产品线包括高度可靠的汽车级E-Type瞬态电压抑制器 (TVS)。150W至400W的E-type TVS产品采用外延 (EPI) 平面晶圆工艺，与传统晶圆工艺相比，该工艺具有高浪涌、低反向电流和更好的箝位电压
  • 关键字： MOSFET  

英飞凌推出EasyPACK™ CoolSiC™ MOSFET模块，适用于1500V太阳能系统和ESS应用的快速开关

  • 近日，英飞凌科技股份公司近日推出全新EasyPACK™ 2B模块。作为英飞凌1200 V系列的产品，该模块采用有源钳位三电平（ANPC）拓扑结构，并集成了CoolSiC™ MOSFET、TRENCHSTOP™ IGBT7器件、NTC温度传感器以及PressFIT压接引脚。此功率模块适用于储能系统（ESS）这样的快速开关应用，还有助于提高太阳能系统的额定功率和能效，并可满足对1500 V DC-link太阳能系统与日俱增的需求。Easy模块F3L11MR12W2M1_B74专为在整个功率因数（cos φ）范
  • 关键字： MOSFET  
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