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globalfoundries(格芯) 文章 进入globalfoundries(格芯)技术社区

传三星挖角格芯、英特尔主管,缩小与台积电差距

  • 三星近来从各大公司挖角人才,打算快速缩小和联电、台积电的差距。
  • 关键字: 三星  格芯  

双工艺并进、7nm已有客户,格芯分享最新技术与洞察

  •   据Digitimes Research的数据显示,2017年全球IC代工增长6%,达到557亿美元,到2022年将达到746.6亿美元的市场规模,年复合增长率6%。而据IC Insights等市场研究结构的报告,2017年全球集成电路晶圆代工市场较2016年增长7%左右,有可能上冲到550亿美元,同比增长10%左右。从2017年集成电路晶圆代工市场发展来看,晶圆代工前十大企业占到整体代工市场95%~96%的份额。“我期待在中国半导体行业的黄金发展期与各位共筑行业美好未来。格芯希望能够成为中
  • 关键字: 格芯  7nm  

格芯推出新型汽车半导体平台,助力未来互联汽车发展

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)于今日推出全新平台AutoPro™,旨在为汽车客户提供广泛的技术解决方案及制造服务,从而简化认证流程,缩短上市时间。从信息化先进驾驶辅助系统(ADAS)到自动化汽车高性能实时处理器,公司为全系列驾驶系统应用提供行业最广泛的解决方案。  如今,汽车半导体市场市值接近350亿美元,预计到2023年将增长至540亿美元左右。究其原因是对提高驾驶体验新技术的需求日益增强,比如导航、远程道路救援及能将多个传感器的数据与进行决策控制的高性能处理器相结合的先进系统。  “随着汽
  • 关键字: 格芯  AutoPro  

格芯公布针对下一代5G应用的愿景和路线图

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天公布了针对一系列技术平台而制订的愿景和路线图,这些技术平台旨在帮助客户过渡到下一代5G无线网络。格芯为多种5G应用领域提供业内范围最广的技术解决方案,所针对的应用包括集成毫米波前端模块(FEM)、收发器、基带芯片、以及用于移动和网络的高性能应用处理器。  随着全球对数字信息的依赖程度越来越高,互联技术有望推动市场迅猛发展,预计到2020年,互联设备数量会达到84亿。5G技术将成为推动网络发展,实现人与联网机器零距离连通的关键因素。5G技术无处不在的连通,令人难
  • 关键字: 格芯  5G  

格芯推出面向下一代移动和5G应用的8SW RF-SOI技术

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出业内首个基于300毫米晶圆的RF SOI代工解决方案。8SW SOI技术是格芯最先进的RF SOI技术,可以为4G LTE以及6GHz以下5G移动和无线通信应用的前端模块(FEM)带来显著的性能、集成和面积优势。  格芯全新的低成本、低功耗、高度灵活8SW的解决方案可以在300毫米生产线上制造具有出色开关性能、低噪声放大器(LNA)和逻辑处理能力的产品。与上一代产品相比,该技术可以将功耗降低至70%,实现更高的电
  • 关键字: 格芯  RF-SOI  

格芯CEO:FD-SOI是中国需要的技术

  •   5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时,FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显,人们对SOI技术的关注也与日俱增。  9月26日,第五届上海FD-SOI论坛成功举办。格芯CEO 桑杰·贾(Sanjay Jha)亲临现场,发表主题为「以SOI技术制胜(Winning with SOI)」的演讲,阐述了格芯如何利用FDX®平台推进SOI技术的发展,介绍公司最新技术成果的同时也总结了SOI技术的现状,并畅想了产业的未来。  关于
  • 关键字: 格芯  FD-SOI  

格芯发布基于领先的FDX™ FD-SOI技术平台的毫米波和射频/模拟解决方案

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代无线和物联网芯片的射频/模拟PDK(22FDX®-rfa)解决方案,以及面向5G、汽车雷达、WiGig、卫星通信以及无线回传等新兴高容量应用的毫米波PDK(22FDX®-mmWave)解决方案。  该两种解决方案都基于格芯的22纳米FD-SOI平台,该平台将高性能射频、毫米波和高密度数字技术结合,为集成单芯片系统解决方案提供支持。该技术在低电流密度和高电流密度的应用中都可以实现最高特征频率和最高振荡频率,适用于对性能和功耗都有超高要求的应用,
  • 关键字: 格芯  FD-SOI  

格芯发布为IBM系统定制的14纳米FinFET技术

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其为IBM的下一代服务器系统处理器定制的量产14纳米高性能(HP)技术。这项双方共同开发的工艺专为IBM提供所需的超高性能和数据处理能力,从而在大数据和认知计算的时代为IBM的云、商业和企业解决方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z产品。  14HP是业内唯一将三维FinFET晶体管架构结合在SOI衬底上的技术。该技术采用了17层金属层结构,每个芯片上有80多亿个晶体管,通过嵌入式动态随机存储器(DRAM)以及其它创新功能,达到比前代
  • 关键字: 格芯  FinFET  

格芯告台积电垄断毫无道理?

  •   近日,格芯(Globalfoundries)要求欧盟竞争委员会调查台积电的反垄断行为,这个举动有些奇怪。   这是因为欧盟委员会的禁令只对欧盟地区有效力,而欧盟地区的营收仅占台积电总营收的7%。   如果欧盟竞争委员会的要求太苛刻,台积电可能会停止在欧洲的业务,而这对台积电并不重要。   如果欧盟竞争委员会要求台积电提供证据,台积电可能拒绝提供。   如果欧盟竞争委员对台积电罚款,台积电也可以拒绝支付罚款。   如果台积电既拒绝提供证据,又拒绝支付罚款,欧盟委员会能对台积电做出的唯一制裁
  • 关键字: 格芯  台积电  

台积电排名第一格芯第二 第二却连年亏损

  •   台积电在全球的市场占有率排名第一,领先其他对手。根据ICInsights的调查报告,台积电去年合并营收接近300亿美元(294.88亿美元),市场占有率高达59%;排名第二的是格芯(原格罗方德GlobalFoundries),去年合并营收为55.45亿美元,市场占有率仅11%。紧随其后的是台湾联电,去年营收45.82亿美元,市场占有率为9%。        台积电每年都投入上百亿美元的资本支出,旨在努力保持领先地位。而在明年上半年,台积电将率先量产7纳米制程。   格芯已经宣布7
  • 关键字: 台积电  格芯  

格芯宣布推出基于行业领先的22FDX® FD-SOI 平台的嵌入式磁性随机存储器

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22纳米 FD-SOI (22FDX®)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案,格芯22FDX eMRAM,为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。  正如近期在美国所展示的,格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储单元尺寸,拥有在260°C回流焊中保留数据的能力,同时能使数据在125°C环境下保留10年以上。
  • 关键字: 格芯  FD-SOI   

格芯为高性能应用推出全新12纳米 FinFET技术

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布计划推出全新12纳米领先性能(12LP)的FinFET半导体制造工艺。该技术预计将提高当前代14纳米 FinFET产品的密度和性能,同时满足从人工智能、虚拟现实到高端智能手机、网络基础设施等最具计算密集型处理需求的应用。  这项全新的12LP技术与当前市场上的16 /14纳米 FinFET解决方案相比,电路密度提高了15%,性能提升超过10%。这表明12LP完全可与其它晶圆厂的12纳米 FinFET产品竞争。这项技术
  • 关键字: 格芯  FinFET  

GlobalFoundries要求欧盟对台积电展开反垄断调查

  •   北京时间9月21日晚间消息,路透社今日援引知情人士的消息称,美国半导体制造公司GlobalFoundries(格罗方德半导体股份有限公司)已要求欧盟对台积电展开反垄断调查。   GlobalFoundries由AMD拆分而来、与阿联酋阿布扎比先进技术投资公司(ATIC)和穆巴达拉发展公司(Mubadala)联合投资成立的半导体制造企业。在芯片代工市场,GlobalFoundries是台积电的最大竞争对手之一。该市场的其他竞争厂商还包括台联电和中芯国际等。   调研公司IC Insights数据显示
  • 关键字: GlobalFoundries  台积电  

格芯推出面向数据中心、网络和云应用的2.5D高带宽内存解决方案

  •   格芯今日宣布推出2.5D封装解决方案,展示了其针对高性能14纳米FinFET FX-14™ASIC集成电路设计系统的功能。  该2.5D ASIC解决方案包括用于突破光刻技术限制的硅基板集成技术和与Rambus公司合作开发的每秒两太比特(2Tbps)多通道HBM2 PHY。基于14纳米FinFET的成功方案,该解决方案将整合到下一代基于格芯7纳米 FinFET工艺的FX-7™ ASIC设计系统上。  “随着近年来在互联和封装技术的巨大进步,晶片加工和封
  • 关键字: 格芯  2.5D  

格芯与芯原联袂实现适合次世代物联网的单芯片解决方案

  •   今日,格芯(GLOBALFOUNDRIES,原名格罗方德)与芯原微电子(VeriSilicon)共同宣布,将携手为下一代低功耗广域网(LPWA)推出业界首款单芯片物联网解决方案。双方计划采用格芯的22FDX® FD-SOI 技术开发可支持完整蜂巢式调制解调器模块的单芯片专利,包括集成基带、电源管理、射频以及结合窄带物联网(NB-IoT)与LTE-M 功能的前端模块。相较于现有产品,该全新方案可望大幅改善功耗、面积及成本。  随着智慧城市、家居与工业应用中互联设备的数量日益
  • 关键字: 格芯  芯原  
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