- GaN是什么?
什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化学元素来解释就是V族化合物。六方晶系铅锌矿型结构，为直接带隙半导体。室温禁带宽度3.39eV。电子和空穴有效惯性质量分别为0.19和0.6。电阻率>107Ω·m，电子迁移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化学气相淀积法制备。
GaN材料的研究与应用是全球半导体研究的热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被
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GaN 功率器件
- 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开(Normally-off)，相比于同等耐压规格的硅功率器件，品质因数(FOM)可降低近一半。
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富士通 功率器件 GaN MB51T008A
- SiC企业不断增多，成本不断下降”一文中，作者根津在开篇写道：“下一代功率半导体已经不再特别。”这是因为，随着使用SiC和GaN等“下一代功率半导体”的大量发布，在学会和展会的舞台上，这种功率半导体逐渐带上了“当代”的色彩。
那么，在使用功率半导体的制造现场，情况又是如何呢?虽然使用SiC和GaN的产品目前尚处开始增加的阶段，仍属于“下一代”，但在功率半导体使用者的心目中，此类产品已逐渐由
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SiC GaN
- Silicon Labs数字隔离器(光电耦合器替代品)与标准光电耦合器之间关于共模瞬变抑制(CMTI)鲁棒性的详细对比。该视频中展示了如何使用被认可的经过校准的商业CMTI测试仪测量Si87xx数字隔离器的瞬变抑制特性，因此你能确
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CMTI Si 87 xx
- 在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
- 在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
- 因照明用LED需求大增，三菱化学计划在2014年初将LED用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍。
目前，三菱化学利用水岛事业所和筑波事业所生产的GaN基板，生产的产品直径为2寸，月产能分别为1,000片、数百片。
而为了要达到稳定获利的水平，有必要将产品尺寸扩大至4-6寸，所以，三菱化学计划借由调整水岛事业所现有设备的制程，开始生产直径为4寸的GaN基板，月产能为200-300片，并计划凭借新设生产设备或增设厂房等措施，开始生产6寸GaN基板，将GaN基板产能扩增至现行的2-3倍
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LED GaN
- PROFIBUS—DP应用于对分散冷凝水的回收，通过对冷凝水泵电机的变频控制，不但组网容易，而且控制精度和控制决策更加简洁。组网时必须借助于通讯接口卡SI—Pl，通过配置相应的软件，使普通变频器成为带有现场总线接口的变频器。按照锅炉补水箱极限水位，动态调节各分散处冷凝水的回收流量，使锅炉补水箱在储存冷凝水过程中不至于断流和溢出。
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PROFIBUS&mdash DP总线 冷凝水回收 SI&mdash Pl 变频器
- 上海，2012年11月20日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。
与传统硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率，并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化
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富士通 功率器件 GaN
- 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。
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富士通 功率器 GaN
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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智能手机 功放 最佳效率 TD-LTE GaN
- 摘要：针对现有遥控电器开关的节电性不好、使用寿命短等缺点，文中采用低功耗芯片Si1000，设计了一种新的可编程无线遥控多路开关，以实现对多路照明灯的遥控控制。详细阐述了整个电路的软硬件设计，并对其进行了实验
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Si 多路 无线遥控开关
- 1引言众所周知，利用太阳能有许多优点，光伏发电将为人类提供主要的能源，但目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本应该是我们追求的最大目标，从目
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结构 制备 实现 电池 太阳 结集 成型 Si:H 大面积
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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GaN 恩智浦 氮化镓 射频功率晶体管
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