超级半导体材料GaN(氮化镓)的时代正开启。它比传统的硅和GaAs(砷化镓)更加耐压，已成为大功率LED的关键材料之...
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LED GaN MOSFET
PMM8731是日本三洋电机公司生产的步进电机脉冲分配器。而SI-7300则是日本三青公司生产的高性能步进电机集成功率放大器。它们和单片机一起可构成一种高效电机控制驱动电路。文中介绍了PMM8713与SI-7300的功能，给出了
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驱动 电路 电机 步进 PMM8731 SI-7300 基于
1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是...
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LED芯片 硅衬底 GaN
Ⅲ族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管，高密度光学存储用的紫光激光器，紫外光探测器，...
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MOCVD GaN LED芯片
力科公司，作为示波器、协议分析仪、串行数据测试解决方案和网络分析仪领导厂商，今天宣布推出其信号完整性产品线的创新产品：信号完整性工作室(SI Studio)。SI Studio是力科SPARQ应用软件包的附加产品，它不但可以和SPARQ串行网络分析仪协同工作，还可以作为一个独立的软件使用。
可完成信号完整性分析、建模和仿真的功能
SI Studio针对信号完整性工程师而开发，可让工程师使用一个软件包就能完成对
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力科 软件包 SI-Studio
摘要：文中在应用对数域电路的基础上，提出了一种新型的连续小波变换方法，它通过对母小波的一种数值逼近得到小波函数的有理公式，并以Marr小波为例来模拟这个逼近过程，并用Matlab对逼近过程进行仿真。仿真结果显示
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变换 实现 小波 滤波器 SI 基于
摘要：氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点，使其具有带宽宽，高效特性等优点。为了研究GaN功率放大器的特点，使用了Agilent ADS等仿真软件，进行电路仿真设计，设计制作了一种S波段宽带GaN功率放大器。详述了电
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GaN S波段 宽带 放大器
摘要：为了实现GaN基量子阱红外探测器，利用自洽的薛定谔-泊松方法对GaN基多量子阱结构的能带结构进行了研究。考虑了GaN基材料中的自发极化和压电极化效应，通过设计适当的量子阱结构，利用自发极化和压电极化的互补
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设计 探测器 红外 量子 GaN
摘要：大面积单结集成型a－Si:H太阳电池的结构设计技术，并分析了制备工艺对其性能的影响。关键词：太阳电池设计分析Structural Device and Preparation Analysis of Large AreaSingle Junction Integrated a－ Si:H
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结构设计 制备 分析 电池 太阳 结集 成型 Si:H 大面积
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一，由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点，被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点，基于Agilent ADS仿真软件，利用负载／源牵引方法设计制作了一种S波段GaN宽禁带功率放大器(10W)。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试，数据表明放大器在2．3～2．4 GHz范围内可实现功率超过15W，附加效率超过67％的输出。实验结果证实，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。
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设计 功率放大器 GaN 一种
引言 近年来，光伏产业发展迅猛，提高效率和降低成本成为整个行业的目标。在晶体Si太阳电池的薄片化发展过程中，出现了许多严重的问题，如碎片、电池片隐裂、表面污染、电极不良等，正是这些缺陷限制了电池的光电
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电池 缺陷 应用 太阳 Si 技术 检测 晶体 发光
目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
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GaN LED 衬底 功率型
Automated DDR3 Analysis
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Quamtum-SI DDR3 仿真
美国iSuppli公布了关于GaN(氮化镓)功率半导体市场将迅速增长的调查报告)。报告显示，2010年的市场规模近乎为零，但3年后到2013年将猛增至1.836亿美元。各厂商将以替代现有功率MOSFET的方式，不断扩大市场规模。iSuppli预测，该产品在高性能服务器、笔记本电脑、手机及有线通信设备等方面的应用将取得进展。
目前，GaN功率半导体正处于在研究室评测阶段，或者刚开始商用化的阶段。不过，GaN功率半导体与采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有导通电阻较低等优点，可提高电源电路的转
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GaN MOSFET
摘 要：介绍SI-PROG编程器的工作原理，利用PC机串口UART芯片实现单片机的ISP下载。PC机串口8250芯片中SOUT，DTR，RTS，CTS四个引脚的电平可通过其内部的几个寄存器分别进行控制或读取，利用引脚可实现单片机的ISP下栽
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及其 程序设计 原理 工作 编程器 SI-PROG
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