- 合成仪器(SI)由模块化组件构建并启用高速处理器和近代总线技术,有望给测试用户带来更多的功能与灵活性,较低廉的总成本、更高速操作、更小的物理占用面积以及较长的使用寿命。然而,生产厂家和用户共同面临的一个问题是缺乏统一的,能满足体系结构和商品化要求的设计标准。PXI和VXI模块仪器是这类应用的最佳候选,但对SI设计人员亦有诸多限制,最终形成具有专用接口与控制模块包装的混合系统。
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测试测量 SI LXI
- 一直以来,信号完整性都是模拟工程师考虑的问题,但是随着串行数据链接的传输速率向GHz级发展,数字硬件设计人员现在也必须关注这个重要的问题。
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Tundra SI 串行
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布，成功开发出一种革命性的GaN功率器件技术平台。与此前最先进的硅基技术平台相比，该技术平台可将关键特定设备的品质因子 (FOM) 提高1/10，显著提高计算和通信、汽车和电器等终端设备的性能，并降低能耗。
开拓性GaN功率器件技术平台是IR基于该公司的GaN器件专利技术，历经5年研发而成的成果。
IR的GaN功率器件技术平台有助于实现电源转换解决方案的革命性进步。通过有效利用公司60年来在电源转换专业知识方面
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IR 功率器件 GaN 终端
- 要预测客户对一款手机性能的接受程度，从而预测手机设计的品质，需要进行实际使用测试。使用测试是一种很有价值...
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GAN 蜂窝 话音质量
- Cree发布了两款突破性的GaN HEMT三极管，用于覆盖4.9-5.8GHz频带的WiMAX。新款三极管CGH55015F与CGH55030F是首次发布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX产品，其性能级别进一步证实了Cree在GaN技术上的的领导地位。
新款15-watt与30-watt器件的重要潜在特性包括：
1. 相比于类似功率级的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍
2. 相比于商业可用硅LDMOS，提高了工作频率
3. 在免授权的5.8G
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三极管 WiMAX Cree GaN
- 研究人员介绍，他们第一次在200mm硅（111）晶圆上沉积了无裂缝的AlGaN/GaN结构。高清晰XRD测量显示出很高的晶体质量，并且研究人员还报告了“出色的”表面形貌和均匀性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron应用实验室的300mmCRIUS金属-有机化学气相外延（MOVPE）反应腔中生长的。
“对实现在大尺寸硅晶圆上制作GaN器件的目标来说，在200mm硅晶圆上生长出
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硅晶圆 GaN 200mm MEMC
- 要预测客户对一款手机性能的接受程度，从而预测手机设计的品质，需要进行实际使用测试。使用测试是一种很有价值的工具，本文将介绍如何进行此类测试。
UMA/GAN是一种能让移动电话在传输话音、数据、既有话音也有数据或既无话音也无数据时在蜂窝网络(例如 GERAN--GSM/EDGE 无线接入网)和IP接入网络(例如无线 LAN)之间无缝切换的系统。作为网络融合发展过程中一项里程碑式的技术，UMA/GAN能让手机用户得以享受固定宽带网提供的服务。UMA/GAN最初叫做免许可移动接入(UMA)网，之后被3
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移动电话 UMA GAN SEGW WLAN
- 由青岛杰生电气有限公司承担的国家863半导体照明工程重点项目“氮化镓-MOCVD深紫外”LED材料生长设备研制取得突破，我国首台具有自主知识产权的并能同时生长6片外延片的MOCVD设备研制成功。
该设备在高亮度的蓝光发光二极管(LED)、激光器(LD)、紫外光电探测器、高效率太阳能电池、高频大功率电子器件领域具有广泛应用。MOCVD是半导体照明上游关键设备，目前国内半导体照明产业的研发和生产所需设备全部依赖进口。在此之前，杰生电气已先后研发出2英寸单片和2英寸3片的
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青岛杰生电气 MOCVD LED LD GaN
- 合成仪器(SI)利用部件开放结构环境中所用的核心硬件和软件构建单元组合，合成传统仪器中的激励和/或测量功能。合成仪器概念在70年代末和80年代初，主要是集中在军事项目研究中。此时，其技术不能为商业提供可用性。所能实现的主要是集中在RF/微波应用中的低频模拟、数字和基带中。
现代合成仪器发现它们的根是在过去10年通信革命和呈现出的软件无线电(SDR)概念中。根据SDR的定义，SDR是由DSP、发送器、接收器把数字数据变为无线通信用的调制无线电波和把调制无线电波变换为数字数据。DSP提供无线电功能，
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合成仪器 SI SDR
- 在当今的电气设备中,功率半导体和电抗式元件(电容和电感)随处可见。它们在正常工作过程中会在为其供电的交流电线上产生两种不希望出现的副作用。
首先，这些器件会引起较小的功率因数。其次，它们会使线电流失真，引起电噪声或者产生与线电压之间的相位偏移。
功率因数是指实际使用的功率与交流线上产生的视在功率二者的比值。电气设备中如果存在大电容或者电感就会导致视在功率大于实际使用的功率，出现较小的功率因数。
功率因数越小，在为设备供电的交流导线上损耗的电能就越多。如果设备中的功率半导体开关操作非常
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模拟技术 电源技术 Si 整流器 二极管 元器件用材料
- 摘要：随着目前新技术、新工艺的不断出现，高速单片机的应用越来越广，对硬件的可靠性问题便提出更高的要求。本文将从硬件的可靠性角度描述高速单片机设计的关键点。
关键词：高速单片机 可靠性 特性阻抗 SI PI EMC 热设计
引 言
随着单片机的频率和集成度、单位面积的功率及数字信号速度的不断提高，而信号的幅度却不断降低，原先设计好的、使用很稳定的单片机系统，现在可能出现莫名其妙的错误，分析原因，又找不出问题所在。另外，由于市场的需求，产品需要采用高速单片
- 关键字：
高速单片机 可靠性 特性阻抗 SI PI EMC 热设计 MCU和嵌入式微处理器
- 冲电气(OKI)推出内建运算放大器的紫外线(UV)传感器IC——ML8511。该产品运用绝缘上覆硅(SOI)-CMOS，为该公司首款模拟电压输出、无滤光器的UV传感器。OKI将从6月份开始陆续针对可携式等用途产品，提供新款UV传感器样品。 OKI的UV传感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技术，适合于数字及模拟电路。OKI表示，该公司未来将灵活运用这一特长，加强与连接微处理器的数字输出电路，进而与感测式亮度控制传感器(AmbientLightSensor)构成单一芯片的商品阵容；未来
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OKI SI-CMOS 传感器 电源技术 模拟技术 IC 制造制程
- 统时钟设计和布线 (以减小时钟倾斜(Skew)导致的时钟余裕 (timing margin) 受损) 时钟走线首先要注意避免阻抗不连续，在驱动器端的时钟线设定阻抗为Z0为40Ω，然后每条线扇出成一对线，每条的Z0基本加倍，使信号反射减至最小。时钟倾斜(timing skew)的问题是通过仿真解决，并将走线布到同一层上，管脚上时序信息是经过测试验证过的。 优化电源层结构，防止电源的电磁辐射影响信号层 (减小耦合噪声，△I噪声，模式转换噪声mode conversion noise) 在开始
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CISCO EMI SI 服务器
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