日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，公司193 PUR-SI系列微型牛角式功率铝电解电容器阵容新增额定电压为550 V和600 V的型号。该产品系列在同等大小封装尺寸下，纹波电流承载能力较标准解决方案提升高达30 %，而且使用寿命更长。 工程师在传统设计中通常采用三个400 V至450 V电容器串联，被串联的每个电容器还需要并联均衡电阻，以应对高达1100 V的DC母线电压 - 这种方法增加了设计复杂度和潜在失效率。日前发布的
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Vishay
额定电压
193
PUR-SI
牛角式
铝电解电容器
法国 SOITEC 公司与新加坡南洋理工大学的研究人员报道，适度微缩的硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作时，功率附加效率（PAE）突破 60%。该器件同时实现了低至 1.1dB 的业界领先噪声系数。研究人员表示：“这些结果表明，结合优化的外延结构与工艺，适度微缩即可带来具备竞争力的技术方案。”研究团队认为，这类3–6V 低压射频器件适用于 5G 高频毫米波频段（FR2，24.25–71.0GHz）的单片集成移动收发（T/R）模块。5G 低频段 FR1：410–
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硅基氮化镓
GaN-on-Si
HEMT
5G毫米波
SOITEC
SiFive将集成Nvidia NVLink Fusion，纳入其数据中心级设计，拓展基于RISC-V构建AI系统的选项。通过将宽且错序的核心与可扩展的连贯结构和先进的内存层级结合，SiFive 使云服务提供商和系统供应商能够根据工作负载需求定制 CPU，同时保持 RISC-V 生态系统带来的软件可移植性。随着NVLink的加入，SiFive可以通过连贯的高带宽互连直接连接到Nvidia的GPU和加速器，以降低延迟、更高效地共享数据，并提升大规模AI部署的整体系统利用率。英伟达创始人兼首席执行官黄仁森表示
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Si-Five
NVLink
RISC-V
AI
Nvidia
异质异构Chiplet正成为后摩尔时代AI海量数据处理的重要技术路线之一，正引起整个半导体行业的广泛关注，但这种方法要真正实现商业化，仍有赖于通用标准协议、3D建模技术和方法等。然而，以拓展摩尔定律为标注的模拟类比芯片技术，在非尺寸依赖追求应用多样性、多功能特点的现实需求，正在推动不同半导体材料的异质集成研究。为此，复旦大学微电子学院张卫教授、江南大学集成电路学院黄伟教授合作开展了Si CMOS+GaN单片异质集成的创新研究，并在近期国内重要会议上进行报道。复旦大学微电子学院研究生杜文张、何汉钊、范文琪等
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复旦大学
Si CMOS
GaN
单片异质集成
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而，与Si MOSFET相
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ROHM
AC适配器
GaN HEMT
Si MOSFET
氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，其禁带宽度达到 3.4eV，是最具代表性的第三代半导体材料。除了更宽的禁带宽度，氮化镓还具备更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率，以及更优的抗辐照能力，这些特性对于电力电子、射频和光电子应用有独特优势。GaN 产业上游主要包括衬底与外延片的制备，下游是 GaN 芯片元器件的设计和制造。衬底的选择对于器件性能至关重要，衬底也占据了大部分成本，因而衬底制备是降低 GaN 器件成本的突破口。衬底GaN 单晶衬底以 2-4 英寸为主，4 英寸已实现商用，6 英寸
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GaN-on-Si
氮化镓
专注于引入新品推动行业创新的电子元器件分销商贸泽电子 ( Mouser Electronics ) 近日宣布与 Fortebit 签署全球分销协议。该公司设计并制造高质量、高性价比的解决方案，用于嵌入式语音识别、语音播放功能和位置服务。签署此项协议后，贸泽分销的 Fortebit产品线 包含EasyVR 3 Plus语音识别器件和Polaris汽车物联网平台等产品。 EasyVR 3 Plus 是一款多
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SD
SV
SI
知IN，英特尔的自媒体微信账号。分享英特尔新闻、产品技术和内幕故事；交流行业热点话题；体味科技与人文的温度
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SI
IA
随着显示产业的不断发展，人们对于显示成像技术的要求不断提高，这也促使着技术的不断发展，TFT-LCD这种低成本、高解析度、高亮度、宽视角以及低功耗
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a-Si
GZO
LTPS
DIGITIMESResearch观察触控与显示驱动整合(TouchandDisplayDriverIntegration;TDDI)芯片市场发展，由于增加HybridIn-Cell型态产品，以及面板业者导入TDDI动机提升等因素带动，2017年全球TDDI出货量将较2016年成长191%，其中，台系业者市占率将达近4成，从过去由新思(Synaptics)一家独大局面中突围。
TDDI芯片又称IDC(IntegratedDisplayandController)，2017年上半受大中华区智能型手
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TDDI
2015年，对于显示面板产业而言，注定是不平凡的一年。全球来看，产业进入深度调整和高速发展期，转型升级步伐不断加快，产品竞争日益激烈;国内来看，产业整体规模持续扩大，核心竞争力逐步增强，液晶面板产能过剩却隐忧暗藏。总之，2015年显示面板产业既有技术提升和创新带来的变革，也有市况与价格战带来的重重考验;既有顺应市场需求而快速崛起的新势力，也有停滞不前而濒临淘汰的落后者。在新年伊始，我们对行业进行梳理和总结，通过七个关键词来回顾全球显示面板产业不平凡的2015年， 同时提炼产业的发展趋势，以窥2016。
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平板
a-Si
TrendForce旗下光电事业处WitsView最新研究报告显示，2015年全球智能手机面板出货有机会达到18.2亿片，2016年上看19.5亿片，年增7%。其中LTPS/Oxide TFT规格的智能手机面板出货比重将由2015年的29.8%攀升至2016年的34.6%。同时，受三星显示器积极外卖AMOLED面板的影响，AMOLED规格的智能手机面板出货比重也有机会由2015年的12.1%，攀升至2016年的14%。
WitsView资深研究经理范博毓表示，FHD机种往中端手机市场扩张的态势确
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a-Si
LTPS
1 PMM8713的功能特点
PMM8713是日本三洋电机公司生产的步进电机脉冲分配器。该器件采用DIP16封装，适用于二相或四相步进电机。PMM8713在控制二相或四相步进电机时都可选择三种励磁方式(1相励磁，2相励磁，1-2相励磁三种励磁方式之一)，每相最小的拉电流和灌电流为20mA，它不但可满足后级功率放大器的要求，而且在所有输入端上均内嵌有施密特触发电路，抗干扰能力很强，其原理框图如图1所示。
在PMM8713的内部电路中，时钟选通部分用于设定步进电机的正反转脉冲输入法。PMM8713有两种脉
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PMM8731
SI-7300
由中国最大本土分销企业世强携手业界领先的高性能混合信号IC供应商Silicon Labs举办的创新技术巡回研讨会将于近期全面启动。本次研讨会主要针对在职研发工程师，Silicon Labs的资深技术专家将亲临现场，带来处于创新最前沿的设计技术。 本次会议主题涉及： 1、应用全球最节能的ARM Cortex MCU实现超低功耗设计(最低待机功耗900nA) 2、100MIPS 的8位MCU创新设计与应用 3、使用任意频点可编程时钟缩短产品上市时间
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世强
SI
ARM
MCU
GPS
3月24日，IT&通信巨头NEC公司宣布以1亿美元收购中国万向集团旗下A123Systems公司的蓄电系统集成部门(A123 Energy Solutions)，此次世界顶级蓄电SI和ICT的强强联合，目标瞄准的是全球能源市场。凭借此举，NEC将成为世界领先的蓄电系统供应商，并有助于其实现全球智慧能源战略。 据悉，NEC集团将于今年6月成立 “NEC能源解决方案”新公司，通过整合A123的蓄电系统集成和NEC公司世界领先的信息通信技术 (ICT)，以及
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NEC
万向
A123Systems
SI
ICT
2013 年 12 月19 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，将其159 PUL-SI系列卡扣式功率铝电容器在+105℃下的额定电压提升至500V。这些增强型器件是针对太阳能光伏逆变器、工业电机控制和电源而设计的，具有长使用寿命和高纹波电流，在100Hz下的纹波电流达2.80A，工作温度为+105℃，最大ESR低至150mΩ。
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Vishay
电容器
159 PUL-SI
Silicon Labs数字隔离器(光电耦合器替代品)与标准光电耦合器之间关于共模瞬变抑制(CMTI)鲁棒性的详细对比。该视频中展示了如何使用被认可的经过校准的商业CMTI测试仪测量Si87xx数字隔离器的瞬变抑制特性，因此你能确
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CMTI
Si
87
xx
PROFIBUS—DP应用于对分散冷凝水的回收，通过对冷凝水泵电机的变频控制，不但组网容易，而且控制精度和控制决策更加简洁。组网时必须借助于通讯接口卡SI—Pl，通过配置相应的软件，使普通变频器成为带有现场总线接口的变频器。按照锅炉补水箱极限水位，动态调节各分散处冷凝水的回收流量，使锅炉补水箱在储存冷凝水过程中不至于断流和溢出。
关键字：
PROFIBUS&mdash
DP总线
冷凝水回收
SI&mdash
Pl
变频器
摘要：针对现有遥控电器开关的节电性不好、使用寿命短等缺点，文中采用低功耗芯片Si1000，设计了一种新的可编程无线遥控多路开关，以实现对多路照明灯的遥控控制。详细阐述了整个电路的软硬件设计，并对其进行了实验
关键字：
Si
多路
无线遥控开关
1引言众所周知，利用太阳能有许多优点，光伏发电将为人类提供主要的能源，但目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本应该是我们追求的最大目标，从目
关键字：
结构
制备
实现
电池
太阳
结集
成型
Si:H
大面积
引言近年来，有源液晶显示技术在液晶显示产业和研究领域都独占鳌头。在有源液晶显示技术中，多晶硅薄膜因高迁移率展现出独特的优势，它的器件尺寸小，可以获得更高的开口率和分辨率；由于迁移率的提高可以将周边驱动
关键字：
研究
制备
薄膜
p-Si
低温
PMM8731是日本三洋电机公司生产的步进电机脉冲分配器。而SI-7300则是日本三青公司生产的高性能步进电机集成功率放大器。它们和单片机一起可构成一种高效电机控制驱动电路。文中介绍了PMM8713与SI-7300的功能，给出了
关键字：
驱动
电路
电机
步进
PMM8731
SI-7300
基于
力科公司，作为示波器、协议分析仪、串行数据测试解决方案和网络分析仪领导厂商，今天宣布推出其信号完整性产品线的创新产品：信号完整性工作室(SI Studio)。SI Studio是力科SPARQ应用软件包的附加产品，它不但可以和SPARQ串行网络分析仪协同工作，还可以作为一个独立的软件使用。
可完成信号完整性分析、建模和仿真的功能
SI Studio针对信号完整性工程师而开发，可让工程师使用一个软件包就能完成对
关键字：
力科
软件包
SI-Studio
摘要：文中在应用对数域电路的基础上，提出了一种新型的连续小波变换方法，它通过对母小波的一种数值逼近得到小波函数的有理公式，并以Marr小波为例来模拟这个逼近过程，并用Matlab对逼近过程进行仿真。仿真结果显示
关键字：
变换
实现
小波
滤波器
SI
基于
摘要：大面积单结集成型a－Si:H太阳电池的结构设计技术，并分析了制备工艺对其性能的影响。关键词：太阳电池设计分析Structural Device and Preparation Analysis of Large AreaSingle Junction Integrated a－ Si:H
关键字：
结构设计
制备
分析
电池
太阳
结集
成型
Si:H
大面积
引言 近年来，光伏产业发展迅猛，提高效率和降低成本成为整个行业的目标。在晶体Si太阳电池的薄片化发展过程中，出现了许多严重的问题，如碎片、电池片隐裂、表面污染、电极不良等，正是这些缺陷限制了电池的光电
关键字：
电池
缺陷
应用
太阳
Si
技术
检测
晶体
发光
Automated DDR3 Analysis
关键字：
Quamtum-SI
DDR3
仿真
摘 要：介绍SI-PROG编程器的工作原理，利用PC机串口UART芯片实现单片机的ISP下载。PC机串口8250芯片中SOUT，DTR，RTS，CTS四个引脚的电平可通过其内部的几个寄存器分别进行控制或读取，利用引脚可实现单片机的ISP下栽
关键字：
及其
程序设计
原理
工作
编程器
SI-PROG
合成仪器(SI)由模块化组件构建并启用高速处理器和近代总线技术,有望给测试用户带来更多的功能与灵活性,较低廉的总成本、更高速操作、更小的物理占用面积以及较长的使用寿命。然而,生产厂家和用户共同面临的一个问题是缺乏统一的,能满足体系结构和商品化要求的设计标准。PXI和VXI模块仪器是这类应用的最佳候选,但对SI设计人员亦有诸多限制,最终形成具有专用接口与控制模块包装的混合系统。
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测试测量
SI
LXI
si:h介绍
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