- 异质异构Chiplet正成为后摩尔时代AI海量数据处理的重要技术路线之一，正引起整个半导体行业的广泛关注，但这种方法要真正实现商业化，仍有赖于通用标准协议、3D建模技术和方法等。然而，以拓展摩尔定律为标注的模拟类比芯片技术，在非尺寸依赖追求应用多样性、多功能特点的现实需求，正在推动不同半导体材料的异质集成研究。为此，复旦大学微电子学院张卫教授、江南大学集成电路学院黄伟教授合作开展了Si CMOS+GaN单片异质集成的创新研究，并在近期国内重要会议上进行报道。复旦大学微电子学院研究生杜文张、何汉钊、范文琪等
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复旦大学 Si CMOS GaN 单片异质集成
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而，与Si MOSFET相
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ROHM AC适配器 GaN HEMT Si MOSFET
- 氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，其禁带宽度达到 3.4eV，是最具代表性的第三代半导体材料。除了更宽的禁带宽度，氮化镓还具备更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率，以及更优的抗辐照能力，这些特性对于电力电子、射频和光电子应用有独特优势。GaN 产业上游主要包括衬底与外延片的制备，下游是 GaN 芯片元器件的设计和制造。衬底的选择对于器件性能至关重要，衬底也占据了大部分成本，因而衬底制备是降低 GaN 器件成本的突破口。衬底GaN 单晶衬底以 2-4 英寸为主，4 英寸已实现商用，6 英寸
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GaN-on-Si 氮化镓
- 专注于引入新品推动行业创新的电子元器件分销商贸泽电子 ( Mouser Electronics ) 近日宣布与 Fortebit 签署全球分销协议。该公司设计并制造高质量、高性价比的解决方案，用于嵌入式语音识别、语音播放功能和位置服务。签署此项协议后，贸泽分销的 Fortebit产品线 包含EasyVR 3 Plus语音识别器件和Polaris汽车物联网平台等产品。 EasyVR 3 Plus 是一款多
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SD SV SI
- 知IN，英特尔的自媒体微信账号。分享英特尔新闻、产品技术和内幕故事；交流行业热点话题；体味科技与人文的温度
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SI IA
- 随着显示产业的不断发展，人们对于显示成像技术的要求不断提高，这也促使着技术的不断发展，TFT-LCD这种低成本、高解析度、高亮度、宽视角以及低功耗
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a-Si GZO LTPS
- DIGITIMESResearch观察触控与显示驱动整合(TouchandDisplayDriverIntegration;TDDI)芯片市场发展，由于增加HybridIn-Cell型态产品，以及面板业者导入TDDI动机提升等因素带动，2017年全球TDDI出货量将较2016年成长191%，其中，台系业者市占率将达近4成，从过去由新思(Synaptics)一家独大局面中突围。
TDDI芯片又称IDC(IntegratedDisplayandController)，2017年上半受大中华区智能型手
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a-Si TDDI
- 2015年，对于显示面板产业而言，注定是不平凡的一年。全球来看，产业进入深度调整和高速发展期，转型升级步伐不断加快，产品竞争日益激烈;国内来看，产业整体规模持续扩大，核心竞争力逐步增强，液晶面板产能过剩却隐忧暗藏。总之，2015年显示面板产业既有技术提升和创新带来的变革，也有市况与价格战带来的重重考验;既有顺应市场需求而快速崛起的新势力，也有停滞不前而濒临淘汰的落后者。在新年伊始，我们对行业进行梳理和总结，通过七个关键词来回顾全球显示面板产业不平凡的2015年， 同时提炼产业的发展趋势，以窥2016。
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平板 a-Si
- TrendForce旗下光电事业处WitsView最新研究报告显示，2015年全球智能手机面板出货有机会达到18.2亿片，2016年上看19.5亿片，年增7%。其中LTPS/Oxide TFT规格的智能手机面板出货比重将由2015年的29.8%攀升至2016年的34.6%。同时，受三星显示器积极外卖AMOLED面板的影响，AMOLED规格的智能手机面板出货比重也有机会由2015年的12.1%，攀升至2016年的14%。
WitsView资深研究经理范博毓表示，FHD机种往中端手机市场扩张的态势确
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a-Si LTPS
- 1 PMM8713的功能特点
PMM8713是日本三洋电机公司生产的步进电机脉冲分配器。该器件采用DIP16封装，适用于二相或四相步进电机。PMM8713在控制二相或四相步进电机时都可选择三种励磁方式(1相励磁，2相励磁，1-2相励磁三种励磁方式之一)，每相最小的拉电流和灌电流为20mA，它不但可满足后级功率放大器的要求，而且在所有输入端上均内嵌有施密特触发电路，抗干扰能力很强，其原理框图如图1所示。
在PMM8713的内部电路中，时钟选通部分用于设定步进电机的正反转脉冲输入法。PMM8713有两种脉
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PMM8731 SI-7300
- 由中国最大本土分销企业世强携手业界领先的高性能混合信号IC供应商Silicon Labs举办的创新技术巡回研讨会将于近期全面启动。本次研讨会主要针对在职研发工程师，Silicon Labs的资深技术专家将亲临现场，带来处于创新最前沿的设计技术。 本次会议主题涉及： 1、应用全球最节能的ARM Cortex MCU实现超低功耗设计(最低待机功耗900nA) 2、100MIPS 的8位MCU创新设计与应用 3、使用任意频点可编程时钟缩短产品上市时间
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世强 SI ARM MCU GPS
- 3月24日，IT&通信巨头NEC公司宣布以1亿美元收购中国万向集团旗下A123Systems公司的蓄电系统集成部门(A123 Energy Solutions)，此次世界顶级蓄电SI和ICT的强强联合，目标瞄准的是全球能源市场。凭借此举，NEC将成为世界领先的蓄电系统供应商，并有助于其实现全球智慧能源战略。 据悉，NEC集团将于今年6月成立 “NEC能源解决方案”新公司，通过整合A123的蓄电系统集成和NEC公司世界领先的信息通信技术 (ICT)，以及
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NEC 万向 A123Systems SI ICT
- 2013 年 12 月19 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，将其159 PUL-SI系列卡扣式功率铝电容器在+105℃下的额定电压提升至500V。这些增强型器件是针对太阳能光伏逆变器、工业电机控制和电源而设计的，具有长使用寿命和高纹波电流，在100Hz下的纹波电流达2.80A，工作温度为+105℃，最大ESR低至150mΩ。
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Vishay 电容器 159 PUL-SI
- Silicon Labs数字隔离器(光电耦合器替代品)与标准光电耦合器之间关于共模瞬变抑制(CMTI)鲁棒性的详细对比。该视频中展示了如何使用被认可的经过校准的商业CMTI测试仪测量Si87xx数字隔离器的瞬变抑制特性，因此你能确
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CMTI Si 87 xx
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