- 氮 化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花?看到一些媒体 文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损 耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色!帅呆了!
至少现在看是这样，让我们回顾下不同衬底风格的GaN：硅基、碳化硅(S
- 关键字：
GaN 射频
- 1 PMM8713的功能特点
PMM8713是日本三洋电机公司生产的步进电机脉冲分配器。该器件采用DIP16封装，适用于二相或四相步进电机。PMM8713在控制二相或四相步进电机时都可选择三种励磁方式(1相励磁，2相励磁，1-2相励磁三种励磁方式之一)，每相最小的拉电流和灌电流为20mA，它不但可满足后级功率放大器的要求，而且在所有输入端上均内嵌有施密特触发电路，抗干扰能力很强，其原理框图如图1所示。
在PMM8713的内部电路中，时钟选通部分用于设定步进电机的正反转脉冲输入法。PMM8713有两种脉
- 关键字：
PMM8731 SI-7300
- 由中国最大本土分销企业世强携手业界领先的高性能混合信号IC供应商Silicon Labs举办的创新技术巡回研讨会将于近期全面启动。本次研讨会主要针对在职研发工程师，Silicon Labs的资深技术专家将亲临现场，带来处于创新最前沿的设计技术。 本次会议主题涉及： 1、应用全球最节能的ARM Cortex MCU实现超低功耗设计(最低待机功耗900nA) 2、100MIPS 的8位MCU创新设计与应用 3、使用任意频点可编程时钟缩短产品上市时间
- 关键字：
世强 SI ARM MCU GPS
- 3月24日，IT&通信巨头NEC公司宣布以1亿美元收购中国万向集团旗下A123Systems公司的蓄电系统集成部门(A123 Energy Solutions)，此次世界顶级蓄电SI和ICT的强强联合，目标瞄准的是全球能源市场。凭借此举，NEC将成为世界领先的蓄电系统供应商，并有助于其实现全球智慧能源战略。 据悉，NEC集团将于今年6月成立 “NEC能源解决方案”新公司，通过整合A123的蓄电系统集成和NEC公司世界领先的信息通信技术 (ICT)，以及
- 关键字：
NEC 万向 A123Systems SI ICT
- 为提高高压电源系统能源效率，半导体业者无不积极研发经济型高性能功率场效应电晶体（FET）；其中，采用Cascode结构的...
- 关键字：
Cascode GaN 场效应管
- GaN被认为是下一代的功率元件，被赋予了代替SiC的神圣使命。但是近日，来自英飞凌的MarkMuenzer表示，其前景虽好，但是还没到广泛使用的时候，因它还有很多未被探索出来的部分。
- 关键字：
GaN.功率元件
- 与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也
- 关键字：
SiC GaN
- 与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就
- 关键字：
GaN 功率半导体
- 2013 年 12 月19 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，将其159 PUL-SI系列卡扣式功率铝电容器在+105℃下的额定电压提升至500V。这些增强型器件是针对太阳能光伏逆变器、工业电机控制和电源而设计的，具有长使用寿命和高纹波电流，在100Hz下的纹波电流达2.80A，工作温度为+105℃，最大ESR低至150mΩ。
- 关键字：
Vishay 电容器 159 PUL-SI
- 发光二极体(LED)的发光效率远高于传统光源，耗电量仅约同亮度传统光源的20%，并具有体积小、寿命长、效率高、不...
- 关键字：
GaN on GaN LED
- GaN和SiC将区分使用 2015年，市场上或许就可以稳定采购到功率元件用6英寸SiC基板。并且，届时GaN类功率元件 ...
- 关键字：
功率 半导体 SiC GaN
- 中国科学院近日发布的一份报告称，中国研究人员利用应变工程已将150mA的电流注入了530nm发光的二极管（LED），光的...
- 关键字：
LED GaN MOCVD
- 2013年9月5日，首届“第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”在深圳成功召开，来自中科院半导体研究所、南...
- 关键字：
Si基 GaN 功率器件
- 传统的氮化镓（GaN）LED元件通常以蓝宝石或碳化硅（SiC）为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为...
- 关键字：
GaN LED 光萃取技术
gan-on-si介绍
您好，目前还没有人创建词条gan-on-si!
欢迎您创建该词条，阐述对gan-on-si的理解，并与今后在此搜索gan-on-si的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
