- 与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源...
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SiC 功率元件 GaN 导通电阻
- 硅上GaN LED不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这些芯片安装到器件中，使得内量子效率接近40%。硅衬底在
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GaN LED 分析
- ViXS Systems今日宣布，其正在与高通创锐讯合作开发n-Screen家庭多媒体网关平台，这一平台可以在广泛使用的任何家庭网络，包括Wi-Fi、Multimedia over Coax Alliance (同轴电缆多媒体联盟MoCA)、HomePlug电力线和以太网上，将多条高清数据流无缝传送到移动和固定屏幕设备中。
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ViXS Systems 家庭网络 n-Screen
- 日本Touch Panel Systems投产了5款带触摸面板的15～21.5英寸液晶显示器新产品，以及带触摸面板的55英寸数字标牌用大尺寸液晶显示器。
Touch Panel Systems对5款带触摸面板的15～21.5英寸液晶显示器新产品的定位是，通过提供多种画面尺寸和触摸面板方式选项，广泛满足使用POS系统及Kiosk终端的店铺及流通领域和待客服务领域的需求。此次投产了画面尺寸为15英寸的“1515L”、17英寸的“1715L”、15.6英
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Touch Panel Systems 触摸屏 液晶显示器
- 如果你想要得到显著的掺杂剖面结构及低阻值的p型GaN，那么就要考虑把你的载体气体由氢气置换成氩气。作者：Vla...
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GaN LED
- 在当今社会，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上个月发生的案例来说：英国伦敦一位名叫DamilolaTaylor的十岁男孩...
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GaN LED
- 超级半导体材料GaN(氮化镓)的时代正开启。它比传统的硅和GaAs(砷化镓)更加耐压，已成为大功率LED的关键材料之...
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LED GaN MOSFET
- 1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是...
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LED芯片 硅衬底 GaN
- Ⅲ族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管，高密度光学存储用的紫光激光器，紫外光探测器，...
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MOCVD GaN LED芯片
- 摘要：氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点，使其具有带宽宽，高效特性等优点。为了研究GaN功率放大器的特点，使用了Agilent ADS等仿真软件，进行电路仿真设计，设计制作了一种S波段宽带GaN功率放大器。详述了电
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GaN S波段 宽带 放大器
- 摘要：为了实现GaN基量子阱红外探测器，利用自洽的薛定谔-泊松方法对GaN基多量子阱结构的能带结构进行了研究。考虑了GaN基材料中的自发极化和压电极化效应，通过设计适当的量子阱结构，利用自发极化和压电极化的互补
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设计 探测器 红外 量子 GaN
- 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一，由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点，被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点，基于Agilent ADS仿真软件，利用负载／源牵引方法设计制作了一种S波段GaN宽禁带功率放大器(10W)。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试，数据表明放大器在2．3～2．4 GHz范围内可实现功率超过15W，附加效率超过67％的输出。实验结果证实，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。
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设计 功率放大器 GaN 一种
- IAR Systems今日宣布在为Renesas RX定制的IAR Embedded Workbench集成开发环境中支持应用程序二进制(ABI)接口，从而能够兼容于其他Renesas RX工具链的输出。当编译器对于软件重用放低门槛后，基于组件的应用程序开发将变得更为简单，并大大节约了开发时间和工程成本。
任何与Renesas RX ABI 相兼容的工具链所编译的软件都可以被链接到IAR Embedded Workbench集成开发环境中。比如，原先在Renesas的专用工具上开发完成的硬件驱动
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IAR Systems
- 目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
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GaN LED 衬底 功率型
- 美国iSuppli公布了关于GaN(氮化镓)功率半导体市场将迅速增长的调查报告)。报告显示，2010年的市场规模近乎为零，但3年后到2013年将猛增至1.836亿美元。各厂商将以替代现有功率MOSFET的方式，不断扩大市场规模。iSuppli预测，该产品在高性能服务器、笔记本电脑、手机及有线通信设备等方面的应用将取得进展。
目前，GaN功率半导体正处于在研究室评测阶段，或者刚开始商用化的阶段。不过，GaN功率半导体与采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有导通电阻较低等优点，可提高电源电路的转
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GaN MOSFET
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