- 为提高高压电源系统能源效率，半导体业者无不积极研发经济型高性能功率场效应电晶体（FET）；其中，采用Cascode结构的...
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Cascode GaN 场效应管
- GaN被认为是下一代的功率元件，被赋予了代替SiC的神圣使命。但是近日，来自英飞凌的MarkMuenzer表示，其前景虽好，但是还没到广泛使用的时候，因它还有很多未被探索出来的部分。
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GaN.功率元件
- 与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也
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SiC GaN
- 与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就
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GaN 功率半导体
- 发光二极体(LED)的发光效率远高于传统光源，耗电量仅约同亮度传统光源的20%，并具有体积小、寿命长、效率高、不...
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GaN on GaN LED
- GaN和SiC将区分使用 2015年，市场上或许就可以稳定采购到功率元件用6英寸SiC基板。并且，届时GaN类功率元件 ...
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功率 半导体 SiC GaN
- 中国科学院近日发布的一份报告称，中国研究人员利用应变工程已将150mA的电流注入了530nm发光的二极管（LED），光的...
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LED GaN MOCVD
- 2013年9月5日，首届“第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”在深圳成功召开，来自中科院半导体研究所、南...
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Si基 GaN 功率器件
- 传统的氮化镓（GaN）LED元件通常以蓝宝石或碳化硅（SiC）为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为...
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GaN LED 光萃取技术
- GaN是什么?
什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化学元素来解释就是V族化合物。六方晶系铅锌矿型结构，为直接带隙半导体。室温禁带宽度3.39eV。电子和空穴有效惯性质量分别为0.19和0.6。电阻率>107Ω·m，电子迁移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化学气相淀积法制备。
GaN材料的研究与应用是全球半导体研究的热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被
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GaN 功率器件
- 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开(Normally-off)，相比于同等耐压规格的硅功率器件，品质因数(FOM)可降低近一半。
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富士通 功率器件 GaN MB51T008A
- SiC企业不断增多，成本不断下降”一文中，作者根津在开篇写道：“下一代功率半导体已经不再特别。”这是因为，随着使用SiC和GaN等“下一代功率半导体”的大量发布，在学会和展会的舞台上，这种功率半导体逐渐带上了“当代”的色彩。
那么，在使用功率半导体的制造现场，情况又是如何呢?虽然使用SiC和GaN的产品目前尚处开始增加的阶段，仍属于“下一代”，但在功率半导体使用者的心目中，此类产品已逐渐由
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SiC GaN
- 赛灵思(Xilinx)将以20纳米(nm)、3D IC制程做为核心战力，加快FPGA取代ASIC、ASSP的脚步。ASIC及ASSP导入先进制程后，设计成本将高得吓人，使得系统厂转搭可编程逻辑元件(PLD)的意愿已愈来愈高，因此赛灵思已加快20纳
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Smarter Systems 20 nm
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