随着去年Dialog取得了台湾敦宏科技40%的股份后，国际Fabless业者Dialog于今日又有重要动作。此次的重大发布是与晶圆代工龙头台积电(TSMC)在GaN(氮化镓)元件的合作。
Dialog企业发展及策略资深副总裁Mark Tyndall
透过台积电以六寸晶圆厂的技术，Dialog推出了DA8801，Dialog企业发展及策略资深副总裁Mark Tyndall在会后接受CTIMES采访时表示，该款元件为目前产业界首款将逻辑元件与GaN FET整合为单一
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Dialog GaN
德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer IAF)近日开发出实现5G网路不可或缺的建构模组：以氮化镓(GaN)技术制造的高功率放大器电晶体...
下一代行动无线网路——5G，将为需要极低延迟的间和/或高达10Gbps资料传输速率的创新应用提供平台。德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日开发出实现5G网路不可或缺的一种建构模组
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GaN 5G
众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板。
GaN、SiC、Si电源配接电路比较图 (source：www.nedo.go.jp)
不过，姑且不论摩尔定律(Moors’ Law)能否持续下去，有些电子系统的轻便度仍待改进提升，例如笔电出门经常要带着一个厚重占体积的电源配接器(Power Ad
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GaN SiC
当诺贝尔奖委员会在2014年宣布物理奖得主是发明蓝光LED而得奖的日本学者赤崎勇、天野浩与中村修二三位学者后，掀起日本人对LED及氮化镓(GaN)注意，也让相关研究单位及研究计划获得更多的支持与关注。
比方2015年以诺贝尔奖得主天野浩带头的新单位─名古屋大学GaN联盟，便有29家企业、14所大学、与2个技术研发基金会加入;日本产业技术总和研究所(AIST)与名古屋大学(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立产总研名大氮化镓半导体先进零组件开创研究实验室(GaN-OIL)，都是
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GaN LED
当诺贝尔奖委员会在2014年宣布物理奖得主是发明蓝光LED而得奖的日本学者赤崎勇、天野浩与中村修二三位学者后，掀起日本人对LED及氮化镓(GaN)注意，也让相关研究单位及研究计划获得更多的支持与关注。
比方2015年以诺贝尔奖得主天野浩带头的新单位─名古屋大学GaN联盟，便有29家企业、14所大学、与2个技术研发基金会加入;日本产业技术总和研究所(AIST)与名古屋大学(Nagoya University)合作，在2016年成立产总研名大氮化镓半导体先进零组件开创研究实验室(GaN-OIL)，都
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GaN 蓝光LED
当前，全球半导体产业正处于深度变革，化合物半导体成为产业发展新的关注点，我国应加紧产业布局，抢占发展的主动权。
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GaAs GaN
台湾台积电(TSMC)在“ISPSD 2016”上公开了受托生产服务的蓝图及试制元件的特性等。该公司将采用在直径150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN层的“硅基氮化镓”(GaN on Si)技术生产GaN晶体管。
台积电打算开展受托生产的GaN晶体管有三种类型：(1)常开型(Normal On)MISFET、(2)常开型HEMT、(3)常关型(Normal Off)。按耐压高低来分有40V、100V和650V产品。
其中，耐压650V的常关
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台积电 GaN
移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化镓(GaN)晶体管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，专门设计用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能。
Qorvo 国防与航空航天产品总经理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶体管系列通过提供更高功率增益和功率附加效率来提升系统性能。Qorvo可以更好地实现相位阵列雷达等先进设备的要求，提供
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Qorvo GaN
氮化镓 (GaN) 技术由于其出色的开关特性和不断提升的品质，近期逐渐得到了电力转换应用的青睐。具有低寄生电容和零反向恢复的安全GaN可实现更高的开关频率和效率，从而为全新应用和拓扑选项打开了大门。连续传导模式 (CCM)图腾柱PFC就是一个得益于GaN优点的拓扑。与通常使用的双升压无桥PFC拓扑相比，CCM图腾柱无桥PFC能够使半导体开关和升压电感器的数量减半，同时又能将峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉区域内出现电流尖峰的根本原因，并给出了相应的解决方案。一个750W图腾柱PFC原型机被
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GaN PFC
基于数十年的电源管理创新经验，德州仪器(TI)近日宣布推出一款600V氮化镓(GaN)70 mÙ场效应晶体管(FET)功率级工程样片，从而使TI成为首家，也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的GaN解决方案的半导体厂商。与基于硅材料FET的解决方案相比，这款全新的12A LMG3410功率级与TI的模拟与数字电力转换控制器组合在一起，能使设计人员创造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的设计。而这些优势在隔离式高压工业、电信、企业计算和可再生能源应用中都特别重要。如需了解更多信息
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TI GaN
氮化镓(GaN)是一种新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势，被称为第三代半导体材料，用于电源系统的设计如功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC、各种终端应用如电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等，可实现硅器件难以达到的更高电源转换效率和更高的功率密度水平，为开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用带来性能飞跃。 GaN的优势 从表1可见，GaN具备出色的击穿能力、更高的电子密度及速度，和更高的工作温度。GaN提供高电子迁移率，这意味着开关过程的反向恢复时间可忽略不计
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安森美 GaN
英国雪菲尔大学(SheffieldUniversity)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(AppliedPhysicsLetter)期刊上发布在半极性氮化镓(GaN)或蓝宝石基材上生长LED的最新成果。
利用在M-Plane蓝宝石基板上生长的GaN制造的微柱阵列模板，研究人员能在其上过度生长的半极性GaN(11-22)上生长出具有更高量子效益的LED。
相较于在C-Plane蓝宝石基板上生长的商用LED，该研究团队在半极性材料上所生长的绿光LED显示发光波长的蓝位移随着驱动电流增加而
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GaN LED
英国雪菲尔大学(Sheffield University)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(Applied Physics Letter)期刊上发布在半极性氮化镓(GaN)或蓝宝石基材上生长LED的最新成果。 利用在M-Plane蓝宝石基板上生长的GaN制造的微柱阵列模板，研究人员能在其上过度生长的半极性GaN(11-22)上生长出具有更高量子效益的LED。 相较于在C-Plane蓝宝石基板上生长的商用LED，该研究团队在半极性材料上所生长的绿光LED显示发光波
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GaN LED
由美国波音公司和通用汽车公司拥有的研发实验室-HRL实验室已经宣布其实现互补金属氧化物半导体(CMOS)FET技术的首次展示。该研究结果发表于2016年1月6日的inieee电子器件快报上。
在此过程中，该实验室已经确定半导体的卓越晶体管性能可以在集成电路中加以利用。这一突破为氮化镓成为目前以硅为原材料的电源转换电路的备选技术铺平了道路。
氮化镓晶体管在电源开关和微波/毫米波应用中有出色的表现，但该潜力还未用于集成功率转换。“除非快速切换GaN功率晶体管在电源电路中故意放缓，否
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GaN 场效应晶体管
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