GaN（氮化镓）作为新兴的第三代宽禁带半导体材料，以高频、高压等为特色。但长期以来，由于工艺、成本等因素制约，GaN还处于Si（硅）和SiC（碳化硅）应用的夹缝之间。在新的一年里，GaN的市场前景将如何？GaN技术和应用有何新突破？为此，本媒体邀请了部分GaN资深企业，介绍一下GaN功率器件的新动向。
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202201 GaN
GaN（氮化镓）作为新兴的第三代宽禁带半导体材料，以高频、高压等为特色。但是长期以来，在功率电源领域，处于常规的Si（硅）和热门的SiC（碳化硅）应用夹缝之间。GaN产品的市场前景如何？GaN技术有何新突破？不久前，消费类GaN（氮化镓）功率解决方案供应商——纳微半导体宣布推出全球首款智能GaNFast™功率芯片，采用了专利的GaNSense™技术。值此机会，电子产品世界的记者采访了销售营运总监李铭钊、高级应用总监黄秀成、高级研发总监徐迎春。图 从左至右：纳微半导体级的高级应用总监黄秀成、销售营运总监李铭
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GaN 集成 202201
10月19日消息，据The Verge报道，苹果公司向其证实，新上架的140W USB-C电源适配器是苹果首款GaN充电器。 与传统充电器相比，GaN充电器的更小、更轻，同时支持大功率。 此外，苹果公司还确认，140W电源适配器支持USB-C Power Delivery 3.1标准，这意味着该充电器可以为其他支持该标准的设备充电。 新的140W USB-C电源适配器和新款MagSafe连接线现已在苹果中国官网上架。 其中，140W USB-C电源适配器的价格为729元，USB-C转MagSa
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苹果 电源适配器 GaN 充电器
以GaN和SiC为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段，Si和GaAs等第一、二代半导体材料也仍在产业中大规模应用。但不可否认，第三代半导体确实具有更多的性能优势。
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碳化硅 SiC 氮化镓 GaN 宽禁带 WBG
2021年9月21日Power Integrations推出适用于USB Type-C、USB功率传输(PD)和USB数字控制电源(PPS)适配器应用的集成度一流的解决方案——InnoSwitch™3-PD系列IC。本次InnoSwitch™3-PD电源解决方案的亮点在于它是唯一的USB PD单芯片解决方案，不仅继承了InnoSwitch3系列效率极高、低空载功耗、完善的保护等卓越性能，同时还能显著减少BOM，非常适合要求具备超薄小巧外形的应用设计。 新IC采用超薄InSOP™-24D封装，内部集成
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PI InnoSwitch™3-PD GaN
TI领先的功率密度、全新架构与高度集成帮助工程师解决企业服务器的设计难题，降低总所有成本
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GAN TI 电源供应器
TrendForce集邦咨询表示，2021年随着各国于5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升，驱使如基站、能源转换器(Converter)及充电桩等应用需求大增，使得第三代半导体GaN及SiC元件及模组需求强劲。其中，以GaN功率元件成长幅度最高，预估今年营收将达8,300万美元，年增率高达73%。据TrendForce集邦咨询研究，GaN功率元件，其主要应用大宗在于消费性产品，至2025年市场规模将达8.5亿美元，年复合成长率高达78%。前三大应用占比分别为消费性电子60%、新能源车20
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新能源车 GaN 功率元件
氮化镓（GaN）是一种III／V族宽能隙化合物半导体材料，能隙为3.4eV，电子迁移率为1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和电子迁移率则分别为1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，让组件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻，亦即相较于同尺寸的硅基组件，GaN可处理更大的负载、效能更高，而且物料清单成本更低。在过去的十多年里，产业专家和分析人士一直在预测，GaN功率开关组件的黄金时期即将到来。相较于应用广泛的MOSFET硅功率组件，GaN功率组件具备更高的效率和更强的功耗处理能力，这
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ST Exagan GaN
氮化镓快充火爆的背后，除了受消费者需求影响，是否还有其他原因？为什么快充会率先用到氮化镓呢？
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氮化镓 快充 GaN
1 中小功率市场，IPM开始流行随着物联网的普及及用户体验的提升，需要产品有更长的待机时间或工作时间，这无疑会增加电能的消耗，这就要求功率转换产品的效率越来越高；与此同时，新产品的开发周期越来越短，需要快速的电源设计。因此，适合高效率且低功耗的、模块化的智能功率模块（IPM）开始普及。IPM 不同于普通的功率模块。普通功率模块是把需要用到的功率器件集成在一个封装里。对于应用工程师，还需要匹配驱动等外围电路。IPM 不仅把功率器件集成进去了，还把驱动电路以及周边的保护电路全部集成到了
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202106 智能功率模块 IPM
1 低碳时代驱动功率转换的变革当前，世界各国以全球协约的方式减排温室气体，我国也提出了碳达峰和碳中和的目标，这对电子产品的降低能耗提出了巨大挑战。因为随着物联网的普及，产品需要有更长的待机时间；由于产品的性能提高和功能丰富，也会增加工作能耗。这就需要功率转换元器件和模块的效率进一步提升，因此，近年来IPM（智能功率器件）开始盛行。2 适合小功率电机的IPM IPM的优势是高效率、低功耗、模块化。以空调市场为例，全球空调市场的出货量这两年约1.5亿台
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IPM IGBT
德州仪器(TI)今日宣布与中国领先的轨道交通设备制造商中车株洲电力机车研究所有限公司（后简称“株洲所”）签署谅解备忘录，升级共同运营的联合设计实验室，实现更广泛、更深层次的合作。此次合作旨在帮助中车株洲所运用TI广泛的模拟和嵌入式处理产品和技术，加速包括轨道交通，电动汽车等方面的应用设计以助力中国新基建关键领域建设。合作还将拓展至太阳能和风能等可再生能源方面的应用，以响应中国在2060年实现碳中和的宏伟目标。德州仪器(TI)与中车株洲电力机车研究所合作备忘录签约仪式“新基建将推动中国城际轨道交通系统的快速
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德州仪器 GaN
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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Nexperia MOSFET GaN
南方科技大学深港微电子学院拥有未来通信集成电路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半导体器件重点实验室，围绕中国半导体产业链，培养工程专业人才，搭建跨国跨区域的校企合作与人才教育平台，建立以工程创新能力为核心指标的多元化机制，致力于对大湾区乃至全国的集成电路产业发展提供强有力的支撑作用。其科研成果、产业推广和人才培养成绩斐然，在国产芯片发展浪潮中引人瞩目。
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集成电路 微电子 氮化镓器件 宽禁带 IC GaN 202103
1 电机驱动系统的关键是可靠性和能效电机在现代生活中无处不在， 从气候控制、电器和商业制冷到汽车、工厂和基础设施。根据国际能源署 (International Energy Agency) 的数据，电机占全球总电力消耗的45％，因此电机驱动电子设备的可靠性和能效会对世界各地的舒适、便利和环境及各种应用产生影响。工业自动化和机器人是电机最重要的应用之一，随着传统机器人、协作机器人和自主移动机器人的采用，我们看到工厂和其他设施变得更加自动化。一种提高电机驱动系统能效的方法是，以基于三相
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MOSFET IPM 202103
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