展望未来，采用GaN制程的RF PA将成为输出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技术，LDMOS制程的市场份额则会明显萎缩。
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5G GaN
意法半导体SLLIMM™-nano系列IPM产品新增五款节省空间的贴装智能功率模块(IPM)，提供IGBT或MOSFET输出选择，用于电机内置驱动器或其它的空间受限的驱动器，输出功率范围从低功率到最高100W。 新模块的导通能效和开关能效都很高，特别是在最高20kHz硬开关电路内表现更为出色。通过管理开关电压和电流上升率 (dV/dt, di/dt)，内部栅驱动电路能够将电磁辐射(EMI)抑制到最低。高散热效率封装提升产品的可靠性，支持无散热器设计，同时2.7mm爬电距离和2.0
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意法半导体 IPM
集成的智能功率模块(IPM)将在汽车功能电子化中发挥关键作用，促成新一代紧凑的、高能效和高可靠性的电机驱动器，实现在内燃机中省去耗能的机械式驱动负荷。IPM的主要促成元素有场截止沟槽IGBT、STEALTH 二极管、HVIC、LVIC和DBC技术等。
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IPM 智能功率模块 汽车 电机驱动器 内燃机 201707
什么是MOCVD?
MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
MOCVD设备主要用于半导体材料衬底的外延生长，是LED以及半导体器件的关键设备。
根据Technavio统计，全球MOCVD市场的复合年平均增长率将在2021年之前增长到14%，市场规模将从201
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MOCVD GaN
随着无线通信的带宽、用户数目以及地理覆盖范围扩展，基地台收发器的功率放大器(PA) 部份对于更高效率的需求也不断成长。无线功率放大器所消耗的功率超过了基地台运作所需功率的一半。透过提高效率来减少功耗具有多项优势，首先，最明显的好 处是降低运营成本；同时，更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。
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GaN AMO 放率放大器 LINC DPDm
GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代
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GaN SiC 第三代半导体材料
MACOM是半导体行业的支柱型企业，在60多年的蓬勃发展历程中，公司敢于采用大胆的技术手段，为客户提供真正的竞争优势并为投资者带来卓越的价值，致力于构筑更加美好的世界。
在基础设施的建设领域中，MACOM的技术提高了移动互联网的速度和覆盖率，让光纤网络得以向企业、家庭和数据中心传输以前无法想象的巨大通信量，让数百万人在生活中每时每刻方便地交流沟通。
日前在上海举办的EDICON展会上，MACOM展出了一系列应用在基础设施领域中的射频功率晶体管产品，根据客户的需求及痛点提供一站式解决方案。
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MACOM GaN
汽车功率电子产品正成为半导体行业的关键驱动因素之一。这些电子产品包括功率元器件，是支撑新型电动汽车续航里程达到至少200英里的核心部件。
虽然智能手机的出货量远高于汽车(2015年为14亿部[1]，汽车销量为8,800万辆[2])，但汽车的半导体零件含量却高得多。汽车功率IC稳健增长，2015-2020年该行业的年复合增长率预计将达8%[3]。尤其是电池驱动的电动汽车在该行业成为强劲增长推动力，2015年5月Teardown.com针对宝马i3电动车的报告显示，该车型物料清单中包含100多个电源
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SiC GaN
相较于过去所使用的硅晶体管，氮化镓(GaN)能够让新的电源应用在同等电压条件下，以更高的切换频率运作。 这代表在相同条件下，GaN能够较以硅为基础的解决方案实现更高的效率。
电源供应设计
德州仪器(TI)的LMG5200全整合式原型，让工程师能够轻松地将GaN技术设计至电源解决方案中，进而超越传统上功率密度限制。 基于数十年的电源测试专业经验，TI针对GaN进行了数百万小时的加速测试，并建立了能够实现基于GaN电源设计的生态系统。
GaN将在功率密集的应用中大展身手，它能够在保持或提
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德州仪器 GaN
虽然智能手机的出货量远高于汽车(2015年为14亿部[1]，汽车销量为8,800万辆[2])，但汽车的半导体零件含量却高得多。汽车功率IC稳健增长，2015 - 2020年该行业的年复合增长率预计将达8%[3]。尤其是电池驱动的电动汽车在该行业成为强劲增长推动力，2015年5月Teardown.com针对宝马i3电动车的报告显示，该车型物料清单中包含100多个电源相关芯片。 与遵循摩尔定律不断缩小尺寸的先进逻辑晶体管不同，功率元器件FET通常运用更老的技术节点，使用200毫米(和
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SiC GaN
2017电源市场需求和技术趋势风向如何?来e星球，与超六万的专业人士一起把握潮流! 需求往往是推动创新的源泉，无论是时尚、金融亦或是我们熟悉的电源领域都存在这样的现象。抓住了用户需求，潜在的创新动力才会被激发，也只有适应需求的创新才是最具生命周期的。2017年电源需求在哪?创新着力点在哪?带着疑问与期盼请来亚洲第一大电子展——2017年慕尼黑上海电子展一探究竟吧!3月14日-16日将有超过6万多名的专业观众以及众多的国内外领先电源厂商集聚上海新国际博览中心，深度探讨2017年中国电源市场需求与走势，
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SiC GaN
引言 太阳能不再是一项新兴技术，而是正在经历重大技术变革的技术，日趋成熟。我们朝着电网平价(太阳能成本与传统能源发电类型的成本相当)，并且改进传统能源发电类型构成的目标前进，因为将面板中的直流电转换为可用交流电的过程变得更加高效且经济实惠。 但是，虽然太阳能面板在近几年价格显著降低，但下一波太阳能发展浪潮将由功率转换器系统的新技术推动。先进复杂的多级功率开关拓扑的兴起将基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)材料，加上更高的工作电压(最高1600 VDC)，实现更加快速的功率开关，与传统系
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光伏逆变器 GaN
日本三菱化学及富士电机、丰田中央研究所、京都大学、产业技术综合研究所的联合团队成功解决了在氮化镓(GaN)芯片上形成GaN元件功率半导体关键技术。GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。日本通过发光二极管的开发积累了GaN元件技术，GaN芯片生产量占据世界最高份额。若做到现有技术的实用化，将处于世界优势地位。
功率半导体有利于家电、汽车、电车等的节能，产业需求很大。GaN功率半导体中，硅基板上形成横型GaN系的高电子迁移率晶体管等设备已经量产，但是，GaN基板上形成GaN的金属-氧化物半
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GaN MOSFET
通信、汽车驱动市场增长，国有品牌竞争力提升
市场规模继续扩大，增速较2015年有所回升
2016年，中国电子信息制造业生产总体平稳，增速有所加快，受此影响，中国功率器件市场规模持续扩大，市场规模预计达到1496.1亿元，同比增长7.2%，增速较2015年有所回升。
通信、汽车成为2016年市场增长亮点
从下游应用产品的需求来看，通信和汽车领域是推动功率器件市场增长的主要驱动力。
从通信主要产品产量来看，1-10月，我国生产手机17亿部，同比增长19.9%，其中智能手机12
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功率器件 GaN
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