- 摘要：氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点，使其具有带宽宽，高效特性等优点。为了研究GaN功率放大器的特点，使用了Agilent ADS等仿真软件，进行电路仿真设计，设计制作了一种S波段宽带GaN功率放大器。详述了电
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GaN S波段 宽带 放大器
- 摘要：为了实现GaN基量子阱红外探测器，利用自洽的薛定谔-泊松方法对GaN基多量子阱结构的能带结构进行了研究。考虑了GaN基材料中的自发极化和压电极化效应，通过设计适当的量子阱结构，利用自发极化和压电极化的互补
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设计 探测器 红外 量子 GaN
- 过去10年中，尽管永磁同步马达(PMSM)备受推崇，使用率也日益增加，但标准三相感应马达(IM)仍然是使用得最广泛的马达。启动IM最简单的办法是把马达直接接入三相交流电，以往业界采用星三角(Star-Delta)启动和软启
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三相 感应 马达 IM 驱动 IPM 智能 功率 模块 利用
- 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一，由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点，被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点，基于Agilent ADS仿真软件，利用负载／源牵引方法设计制作了一种S波段GaN宽禁带功率放大器(10W)。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试，数据表明放大器在2．3～2．4 GHz范围内可实现功率超过15W，附加效率超过67％的输出。实验结果证实，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。
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设计 功率放大器 GaN 一种
- 目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
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GaN LED 衬底 功率型
- 美国iSuppli公布了关于GaN(氮化镓)功率半导体市场将迅速增长的调查报告)。报告显示，2010年的市场规模近乎为零，但3年后到2013年将猛增至1.836亿美元。各厂商将以替代现有功率MOSFET的方式，不断扩大市场规模。iSuppli预测，该产品在高性能服务器、笔记本电脑、手机及有线通信设备等方面的应用将取得进展。
目前，GaN功率半导体正处于在研究室评测阶段，或者刚开始商用化的阶段。不过，GaN功率半导体与采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有导通电阻较低等优点，可提高电源电路的转
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GaN MOSFET
- 结合三相电机的调速控制原理，对高速数字信号处理器(DSP)TMS320F2812和三菱智能功率模块DIP-IPM进行了详细的介绍，提出了完整的的通用变频电路设计方案。实验结果表明，该方法控制精度高，工作稳定，能够实现多种类型变频调速。
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DIP-IPM 2812 TMS 32
- O 引言
无刷直流电机因其体积小，重量轻，维护方便，高效节能等一系列优点，被广泛用于各个领域。尤其随着高性能的单片机和专门用途的DSP(Digital Signal Processor)微处理器和集IGBT模块及其驱动和保护于一身的
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IPM 无刷直流电动机 智能功率模块 DSP 驱动 放大器 BLDC
- 使用国产6H―SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型，利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC，研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片，连续波测试显示，频率为9．1～10．1 GHz时连续波输出功率大于10W，带内增益大于12 dB，增益平坦度为±0．2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 衬底
- 摘要：介绍一种基于DSP和IPM的变频调速系统的硬件设计。该系统采用“自举”电路，采用DSP直接驱动IPM，结构紧凑。该系统已投入批量生产，并经过数年连续运行。实际运行表明，该系统稳定可靠，满足使用要求。
关键词：DSP；IPM；变频调速；硬件
引言
变频调速技术广泛应用于工业领域。随着电力电子控制技术及元器件的不断发展，变频调速系统的集成度、智能化程度越来越高，硬件构成也越来越紧凑、简单。DSP(数字信号处理器)＋IPM（智能功率模块）就是变频调速系统最新的发展方向之一
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DSP IPM 200812
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布，成功开发出一种革命性的GaN功率器件技术平台。与此前最先进的硅基技术平台相比，该技术平台可将关键特定设备的品质因子 (FOM) 提高1/10，显著提高计算和通信、汽车和电器等终端设备的性能，并降低能耗。
开拓性GaN功率器件技术平台是IR基于该公司的GaN器件专利技术，历经5年研发而成的成果。
IR的GaN功率器件技术平台有助于实现电源转换解决方案的革命性进步。通过有效利用公司60年来在电源转换专业知识方面
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IR 功率器件 GaN 终端
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