- 美国iSuppli公布了关于GaN(氮化镓)功率半导体市场将迅速增长的调查报告)。报告显示，2010年的市场规模近乎为零，但3年后到2013年将猛增至1.836亿美元。各厂商将以替代现有功率MOSFET的方式，不断扩大市场规模。iSuppli预测，该产品在高性能服务器、笔记本电脑、手机及有线通信设备等方面的应用将取得进展。
目前，GaN功率半导体正处于在研究室评测阶段，或者刚开始商用化的阶段。不过，GaN功率半导体与采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有导通电阻较低等优点，可提高电源电路的转
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GaN MOSFET
- 结合三相电机的调速控制原理，对高速数字信号处理器(DSP)TMS320F2812和三菱智能功率模块DIP-IPM进行了详细的介绍，提出了完整的的通用变频电路设计方案。实验结果表明，该方法控制精度高，工作稳定，能够实现多种类型变频调速。
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DIP-IPM 2812 TMS 32
- O 引言
无刷直流电机因其体积小，重量轻，维护方便，高效节能等一系列优点，被广泛用于各个领域。尤其随着高性能的单片机和专门用途的DSP(Digital Signal Processor)微处理器和集IGBT模块及其驱动和保护于一身的
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IPM 无刷直流电动机 智能功率模块 DSP 驱动 放大器 BLDC
- 使用国产6H―SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型，利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC，研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片，连续波测试显示，频率为9．1～10．1 GHz时连续波输出功率大于10W，带内增益大于12 dB，增益平坦度为±0．2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 衬底
- 摘要：介绍一种基于DSP和IPM的变频调速系统的硬件设计。该系统采用“自举”电路，采用DSP直接驱动IPM，结构紧凑。该系统已投入批量生产，并经过数年连续运行。实际运行表明，该系统稳定可靠，满足使用要求。
关键词：DSP；IPM；变频调速；硬件
引言
变频调速技术广泛应用于工业领域。随着电力电子控制技术及元器件的不断发展，变频调速系统的集成度、智能化程度越来越高，硬件构成也越来越紧凑、简单。DSP(数字信号处理器)＋IPM（智能功率模块）就是变频调速系统最新的发展方向之一
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DSP IPM 200812
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布，成功开发出一种革命性的GaN功率器件技术平台。与此前最先进的硅基技术平台相比，该技术平台可将关键特定设备的品质因子 (FOM) 提高1/10，显著提高计算和通信、汽车和电器等终端设备的性能，并降低能耗。
开拓性GaN功率器件技术平台是IR基于该公司的GaN器件专利技术，历经5年研发而成的成果。
IR的GaN功率器件技术平台有助于实现电源转换解决方案的革命性进步。通过有效利用公司60年来在电源转换专业知识方面
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IR 功率器件 GaN 终端
- 要预测客户对一款手机性能的接受程度，从而预测手机设计的品质，需要进行实际使用测试。使用测试是一种很有价值...
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GAN 蜂窝 话音质量
- 改善洗衣机、电冰箱以及空调等家用电器能源使用效率的需求正在增加。从传统的固定转速马达转换到变速马达可以节省能耗30%之多。但这种设计的难度较大，虽已经出现了几种方案来降低此类项目的数字设计工作难度，但是设计人员仍需要集成模块和相关的设计工具来促进功率级的设计。
为了使低成本变速马达控制器成为可能，元器件供应商设法通过简化设计和降低结构复杂度来减少变速控制器的成本。例如，已经出现了几种数字信号控制平台，它们结合了DSP和集成PWM和马达控制外围设备的RISC处理器。这些平台可运行第三方或者自行开发
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电动机 IPM DSP PWM 马达
- Cree发布了两款突破性的GaN HEMT三极管，用于覆盖4.9-5.8GHz频带的WiMAX。新款三极管CGH55015F与CGH55030F是首次发布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX产品，其性能级别进一步证实了Cree在GaN技术上的的领导地位。
新款15-watt与30-watt器件的重要潜在特性包括：
1. 相比于类似功率级的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍
2. 相比于商业可用硅LDMOS，提高了工作频率
3. 在免授权的5.8G
- 关键字：
三极管 WiMAX Cree GaN
- 研究人员介绍，他们第一次在200mm硅（111）晶圆上沉积了无裂缝的AlGaN/GaN结构。高清晰XRD测量显示出很高的晶体质量，并且研究人员还报告了“出色的”表面形貌和均匀性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron应用实验室的300mmCRIUS金属-有机化学气相外延（MOVPE）反应腔中生长的。
“对实现在大尺寸硅晶圆上制作GaN器件的目标来说，在200mm硅晶圆上生长出
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硅晶圆 GaN 200mm MEMC
- 要预测客户对一款手机性能的接受程度，从而预测手机设计的品质，需要进行实际使用测试。使用测试是一种很有价值的工具，本文将介绍如何进行此类测试。
UMA/GAN是一种能让移动电话在传输话音、数据、既有话音也有数据或既无话音也无数据时在蜂窝网络(例如 GERAN--GSM/EDGE 无线接入网)和IP接入网络(例如无线 LAN)之间无缝切换的系统。作为网络融合发展过程中一项里程碑式的技术，UMA/GAN能让手机用户得以享受固定宽带网提供的服务。UMA/GAN最初叫做免许可移动接入(UMA)网，之后被3
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移动电话 UMA GAN SEGW WLAN
- 由青岛杰生电气有限公司承担的国家863半导体照明工程重点项目“氮化镓-MOCVD深紫外”LED材料生长设备研制取得突破，我国首台具有自主知识产权的并能同时生长6片外延片的MOCVD设备研制成功。
该设备在高亮度的蓝光发光二极管(LED)、激光器(LD)、紫外光电探测器、高效率太阳能电池、高频大功率电子器件领域具有广泛应用。MOCVD是半导体照明上游关键设备，目前国内半导体照明产业的研发和生产所需设备全部依赖进口。在此之前，杰生电气已先后研发出2英寸单片和2英寸3片的
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青岛杰生电气 MOCVD LED LD GaN
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