中国上海（2023 年 3 月 28 日）– 德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）今日宣布推出业内先进的独立式有源电磁干扰 (EMI) 滤波器集成电路 (IC)，能够帮助工程师实施更小、更轻量的 EMI 滤波器，从而以更低的系统成本增强系统功能，同时满足 EMI 监管标准。 随着电气系统变得愈发密集，以及互连程度的提高，缓解 EMI 成为工程师的一项关键系统设计考虑因素。得益于德州仪器研发实验室 Kilby Labs 针对新概念和突破性想法的创新开发，新的独立式有源 EMI 滤波器 I
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德州仪器 有源 EMI 滤波器 IC 电源设计
自上世纪五十年代以来，以硅材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了以集成电路为核心的微电子领域迅速发展。随着时间的流逝，尽管目前业内仍然以 Si 材料作为主流半导体材料，但第二代、第三代甚至是第四代半导体材料都纷沓而至。这其中又以第三代半导体材料——氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）受到大众关注。近段时间，GaN 方面又有了新进展。本土 GaN 企业快速发展3 月 2 日，英飞凌宣布收购氮化镓公司 GaN Systems，交易总值 8.3 亿美元（约 57.3 亿人民币）。根据公告，英飞凌计划
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GaN SiC
传统的功率半导体被设计用来提升系统的效率以及减少能量损失。可是实际上，出于两个方面的原因-传导和开关切换，设备可能会出现能量损失。GaN FET为第三代功率半导体技术，其改善开关切换的延迟时间。纳微（Navitas）半导体公司是世界上第一家的氮化镓（ GaN ）功率芯片公司。所谓的氮化镓功率芯片，其中 GaN 驱动器、GaN FET 和 GaN 逻辑单元的单片集成，并全部采用 650V GaN 工艺，从而实现许多软开关拓扑和应用中的高速、高频率、高效率操作。该方案采用NV6115 与 NV6117 氮化镓
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NAVITAS NV6115 NV6117 GAN
GaN 要快速扩散至各应用领域，仍有层层关卡待突破。
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GaN
以碳化硅与氮化镓为代表的第三代半导体市场正如火如荼地发展着，而“围墙”之外的企业亦对此赛道十分看重。近日，中瓷电子资产重组重新恢复审核，其对第三代半导体业务的开拓有了新的进展。3月6日，中瓷电子发布了《发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（修订稿）》。根据该修订稿，中瓷电子拟以发行股份的方式，购买博威公司73.00%股权、氮化镓通信基站射频芯片业务资产及负债、国联万众94.6029%股权。事实上，除中瓷电子外，近来还有许多企业选择以收购的方式，布局或扩大第三代半导体业务。2023年3月2
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第三代半导体 收购 SiC GaN
IT之家 3 月 13 日消息，据台媒中央社报道，半导体产业景气反转向下，晶圆代工产能松动，IC 设计厂为强化供应链，同时因未来可能变化的需求，纷纷针对货源展开多元布局，晶圆代工报价恐将面临压力。台媒指出，晶圆代工厂今年来因为终端市场需求疲弱，供应链持续调整库存，产能明显松动，世界先进第一季度产能利用率恐较去年第四季度下滑 10 个百分点，力积电将降至 6 成多水准，联电第一季度产能利用率也将降至 7 成。IC 设计厂多数表示，晶圆代工厂并未调降代工价格，不过厂商针对配合预先投片备货的客户提供优
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晶圆代工 IC 设计
随着特斯拉宣布其下一代 EV 动力总成系统的 SiC 组件使用量减少 75%，预计第三代化合物半导体市场状况将发生变化，GaN 被认为会产生后续替代效应。据业内消息人士透露，这有望使台积电、世界先进半导体 (VIS) 和联华电子受益，它们已经进行了早期部署，并继续扩大其 8 英寸加工 GaN 器件的产能。GaN 和 SiC 的比较GaN 和 SiC 满足市场上不同的功率需求。SiC 器件可提供高达 1200V 的电压等级，并具备高载流能力，因此非常适合汽车和机车牵引逆变器、高功率太阳能发电场和大型三相电网
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GaN SiC
当今的行业需要紧凑且速度更快的电子电路，这些电路可以在高性能计算机、电动汽车、数据中心和高功率电机驱动等高功率应用中实施。实现这一壮举的方法是提高电子设备的功率密度。硅基MOSFET具有较低的开关速度和热效率；因此，如果不增加尺寸并因此影响功率密度，它们就不能用于高功率应用。这就是基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 用于制造高功率密度电子产品的地方，适用于各行各业的不同应用。当今的行业需要紧凑且速度更快的电子电路，这些电路可以在高性能计算机、电动汽车、数据中心和高功率电机驱动等高功
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GaN HEMT 短路保护
本文深入探讨物联网电池技术，并提出设计人员可能面临的一些电源问题，以及ADI提供的解决方案。这些高效的解决方案可以协助克服物联网装置中的其他问题，包括尺寸、重量和温度。随着物联网装置越来越密集地应用于工业设备、家庭自动化和医疗应用中，透过减小外形尺寸、提高效率、改善电流消耗，或者加快充电时间（对于可携式物联网装置）来优化这些装置的电源管理的压力也越来越大。相关的要求是所有这些都必须以小尺寸实现，既不能影响散热，也不能干扰装置实现无线通信。 物联网装置的应用领域几乎没有止境，每天都会考虑新的装置和使用情况。
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IC 电源管理 物联网 ADI
【2023 年 03 月 03日，德国慕尼黑和加拿大渥太华讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）和氮化镓系统公司（GaN Systems）联合宣布，双方已签署最终协议。根据该协议，英飞凌将斥资 8.3 亿美元收购氮化镓系统公司。氮化镓系统公司是全球领先的科技公司，致力于为功率转换应用开发基于氮化镓的解决方案。该公司总部位于加拿大渥太华，拥有 200 多名员工。 英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化镓技术为打造更加
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英飞凌将 氮化镓系统公司 GaN Systems 氮化镓产品
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。之前我们简单介绍过氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要，本文将为大家重点说明利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路必须考虑的 PCB 设计注意事项。本设计文档其余部分引用的布线示例将使用含有源极开尔文连接引脚的 GaNFET 封装。VDD 电容VDD 引脚应有两个尽可能靠近 VDD 引脚放置的陶瓷电容。如图 7 所示，较低值的高频旁路电
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安森美 GaN 驱动器 PCB
IT之家 2 月 27 日消息，据台湾地区经济日报报道，半导体库存问题不仅 IC 设计厂商需要面对，下游 IC 渠道商为顾及长期合作关系，也常要与芯片原厂“共渡难关”。即便目前陆续传出部分芯片有小量急单需求，有 IC 渠道厂商坦言，目前库存去化速度还是比原本估计慢。IC 渠道厂商分析，市场目前的短单是否是昙花一现，通货膨胀、美联储加息状况、俄乌冲突以及国内是否会有报复性买盘需求等是观察重点。不具名的 IC 渠道厂商透露，目前库存去化状况不如预期，假设原本估计的库存去化速度是进 0.5 个月的货，
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IC 市场
小耳朵卫星天线,在于一些偏远地区常见,用于收看卫星电视节目,由于卫星电视的信号非常微弱，所以我们需要一个抛物面天线来聚焦信号，还需要一个高频头，也称为LNB或LNBF，通常LNB和馈源安装在天线的焦点上来收集信号。LNB又叫高频头(Low Noise Block)，即低噪声下变频器，其功能是将由馈源传送的卫星信号经过放大和下变频，把Ku或C波段信号变成L波段，经同轴电缆传送给卫星接收机,每只LNB只能用于某一波段，因为S、C和KU波段需要不同的波导管。也有一些类型是用于圆极化和线极化信号接收的，它们主要在
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Richtek 升压 LNB STB Power IC
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”） 功率开关。只有合理设计能够支持这种功率开关转换的印刷电路板 (PCB) ，才能实现实现高电压、高频率、快速dV/dt边沿速率开关的全部性能优势。本文将简单介绍NCP51820及利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路的 PCB 设计要点。NCP51820 是一款全功能专用驱动器，为充分发挥高电子迁移率晶体管 (HEMT) GaNFET 的开关性能而
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安森美 GaN PCB
前言现阶段的大多数 GaN 电源系统都是由多个芯片组成。GaN 器件在电路板上组装前采用分立式的元件组装会产生寄生电感，从而影响器件的性能。例如驱动器会在单独的芯片上带有驱动器的分立晶体管，受到驱动器输出级和晶体管输入之间以及半桥开关节点之间的寄生电感的影响，同时GaN HEMT 具有非常高的开关速度，如果寄生电感未被抑制，将会导致信号传输的波动。近日，纳芯微推出了两款全新的GaN相关产品，分别是GaN驱动NSD2621，一颗高压半桥栅极驱动芯片，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管；集成化的
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GaN 纳芯微 半桥驱动芯片
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