作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心，这些应用还包括 HVAC 系统、通信电源、光伏逆变器和笔记本电脑充电电源。 了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限 德州仪器 GaN 产品线负责人 David Snook 表示：“氮化镓是提高功率密
1. CPU Vcore 简介:VCORE转换器（调节器）是在台式个人电脑、笔记本式个人电脑、服务器、工业电脑等计算类设备中为CPU（中央处理器）内核或GPU（图形处理器）内核供电的器件，与普通的POL（负载点）调节器相比，它们要满足完全不同的需要：CPU/GPU都表现为变化超快的负载，需要以极高的精度实现动态电压定位 (Dynamic Voltage Positioning) ，需要满足一定的负载线要求，需要在不同的节能状态之间转换，需要提供不同的参数测量和监控。在VCORE转换器与CPU之间通常以串列
在之前的文章中，我们讨论了需要具有高输入阻抗的放大器才能成功地从压电传感元件中提取加速度信息。对于一些压电加速度计，放大器内置在传感器外壳中。现代 IC 通常由来自各个领域的元素组成。还有各种片上系统 (SoC) 和系统级封装 (SiP) 技术，包括单个 IC 上的每个 IC 设计域，或包含各种半导体工艺和子 IC 的封装。本简介概述了典型混合信号 IC 设计流程中的步骤。在本文中，我们系列文章中短的一篇，我们将给出混合信号 IC 设计流程的视图——同时具有模拟和数字电路的 IC 设计流程。数据转换器——
自上世纪五十年代以来，以硅材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了以集成电路为核心的微电子领域迅速发展。随着时间的流逝，尽管目前业内仍然以 Si 材料作为主流半导体材料，但第二代、第三代甚至是第四代半导体材料都纷沓而至。这其中又以第三代半导体材料——氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）受到大众关注。近段时间，GaN 方面又有了新进展。本土 GaN 企业快速发展3 月 2 日，英飞凌宣布收购氮化镓公司 GaN Systems，交易总值 8.3 亿美元（约 57.3 亿人民币）。根据公告，英飞凌计划
传统的功率半导体被设计用来提升系统的效率以及减少能量损失。可是实际上，出于两个方面的原因-传导和开关切换，设备可能会出现能量损失。GaN FET为第三代功率半导体技术，其改善开关切换的延迟时间。纳微（Navitas）半导体公司是世界上第一家的氮化镓（ GaN ）功率芯片公司。所谓的氮化镓功率芯片，其中 GaN 驱动器、GaN FET 和 GaN 逻辑单元的单片集成，并全部采用 650V GaN 工艺，从而实现许多软开关拓扑和应用中的高速、高频率、高效率操作。该方案采用NV6115 与 NV6117 氮化镓
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