虽然增加可再生能源是全球的大趋势，但这还不够，能源效率是另一个重点领域，这是因为服务器及其冷却系统对能源消耗，占据了数据中心将近40%的运营成本。GaN具有独特的优势，提供卓越的性能和效率，并彻底改变数据中心的配电和转换、节能、减少对冷却系统的需求，并最终使数据中心更具成本效益和可扩展性。数字化和云端服务的快速建置推动了全球数据服务器的产业规模的成长。今天，数据服务器消耗了全球近1%的电力，这个数字预计会不断的成长下去。次世代的产业趋势，例如虚拟世界、增强实境和虚拟现实，所消耗大量电力将远超现今地球上所能
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GaN 数据服务器 效率
在电力电子应用中，为了满足更高能效和更高开关频率的要求，功率密度正在成为关键的指标之一。基于硅（Si）的技术日趋接近发展极限，高频性能和能量密度不断下降，功率半导体材料也在从第一代的硅基材料发展到第二代的砷化镓后，正式开启了第三代宽禁带技术如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的应用之门。SiC的耐高压能力是硅的10倍，耐高温能力是硅的2倍，高频能力是硅的2倍。相同电气参数产品，采用SiC材料可缩小体积50%，降低能量损耗80%。同样，GaN也有着许多出色的性能，它的带隙为3.2eV，几乎比硅的1.1eV带
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贸泽电子 GaN
和传统的硅功率半导体相比，GaN（氮化镓）和 SiC（碳化硅）有着更高的电压能力、更快的开关速度、更高的工作温度、更低导通电阻、功率耗散小、能效高等共同的优异的性能 , 是近几年来新兴的半导体材料。但他们也存在着各自不同的特性，简单来说，GaN
的开关速度比 SiC 快，SiC 工作电压比 GaN 更高。GaN
的寄生参数极小，开关速度极高，比较适合高频应用，例如：电动汽车的 DC-DC（直流 - 直流）转换电路、OBC（车载充电）、低功率开关电源以及蜂窝基站功率放大器、雷达、卫星发射器和通用射频放大
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202207 东芝 共源共栅 GaN
· 西门子先进的混合信号仿真平台可加速混合信号验证，助力提升生产效率多达10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先进的数字验证方法学，适用于当今前沿的混合信号设计 西门子数字化工业软件近日推出 Symphony™ Pro 平台，基于原有的 Symphony 混合信号验证能力，进一步扩展功能，以全面、直观的可视化调试集成环境支持新的Accellera 标准化验证方法学，使得生产效率比传统解决方案提升
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西门子 混合信号 IC 验证
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件扩充了其表面贴装封装产品系列。这款全新高功率表面贴装器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封装的650V SuperGaN®场效应晶体管 (FET)，典型导通阻抗为50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，丰富了目前面向中低功率应用的PQFN器件。TP65H050G4BS通过了J
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Transphorm GaN
受访人：亚德诺半导体 大规模数据中心、企业服务器和5G电信基站、电动汽车充电站、新能源等基础设施的广泛部署使得功耗快速增长，因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。近年来，以氮化镓(GaN)和碳化硅（SiC）晶体管为代表的第三代功率器件已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。新型和未来的SiC/GaN功率开关将会给方方面面带来巨大进步，其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率，将有助于实现更紧凑、更具成本效益的功率应用。好马
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202207 ADI 第三代半导体 IC 功率器件
受访人：黄文源 东芝电子元件（上海）有限公司半导体技术统括部技术企划部高级经理1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？ 回答：自从半导体产品面世以来，硅一直是半导体世界的代名词。但是，近些年，随着化合物半导体的出现，这种情况正在被逐渐改变。通常，半导体业界将硅（Si）作为第一代半导体的代表，将砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)作为第二代半导体的
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东芝 GaN 级联共源共栅
受访人：Robert Taylor是德州仪器(TI)系统工程营销组的应用经理，负责工业和个人电子市场的定制电源设计。他的团队每年负责500项设计，并在过去20年中设计了15000个电源。Robert于2002年加入TI，大部分时间都在担任各种应用的电源设计师。Robert拥有佛罗里达大学的电气工程学士学位和硕士学位。1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？
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TI 第三代半导体 GaN SiC
IT之家 7 月 15 日消息，TrendForce 集邦咨询报告显示，在供需失衡、库存高涨的状况下，预计第三季度驱动 IC 的价格降幅将扩大至 8%-10% 不等，且不排除将一路跌至年底。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨询进一步表示，中国面板驱动 IC 供货商为了巩固供货动能，更愿意配合面板厂的要求，价格降幅可达到 10%-15%。报告指出，在需求短期间难以好转下，面板驱动 IC 价格不排除将持续下跌，且有极大可能会比预估的时间更早回到 2019 年的起涨点。此外，TrendFor
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IC TrendForce 市场
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。令我惊讶的是，没有人询问硅是否具有可靠性。毕竟仍然有新的硅产品不断问世，电源设计人员对硅功率器件的可靠性也很关心。事实上，GaN行业已经在可靠性方面投入了大量精力和时间。而人们对于硅可靠性方面的问题措辞则不同，比如“这是否通过了鉴定？”尽管GaN器件也通过了硅鉴定，但电源制造商仍不相信采用硅方法可以确保GaN FET的可靠性。这是一个合理的观点，因
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GaN FET 电源 可靠性
可靠的电压监控器IC始终是工业界的行业需求，因为它可以提高系统可靠性，并在电压瞬变和电源故障时提升系统性能。半导体制造商也在不断提高电压监控器IC的性能。监控器IC需要一个称为上电复位（VPOR）的最低电压来生成明确或可靠的复位信号，而在该最低电源电压到来之前，复位信号的状态是不确定的。一般来说，我们将其称之为复位毛刺。复位引脚主要有两种不同的拓扑结构，即开漏和推挽（图1），两种拓扑结构都使用NMOS作为下拉MOSFET。图1. 复位拓扑的开漏配置和推挽配置图2. 复位电压如何与上拉电压（VPULLUP）
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ADI IC
SiC、GaN 作为最新一代功率半导体器件具有远优于传统 Si 器件的特性，能够使得功率变换器获得更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。但同时，SiC、GaN极快的开关速度也给工程师带来了使用和测量的挑战，稍有不慎就无法获得正确的波形，从而严重影响到器件评估的准确、电路设计的性能和安全、项目完成的速度。SiC、GaN动态特性测量中，最难的部分就是对半桥电路中上桥臂器件驱动电压VGS的测量，包括两个部分：开关过程和Crosstalk。此时是无法使用无源探头进行测量的，这会导致设备和人员危险，同时还会由
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SiC GaN 栅极动态测试 光隔离探头
比利时微电子研究中心（imec）于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会（VLSI Symposium），首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）结构，将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨（buried power rail）上。微缩化的鳍式场效晶体管（FinFET）透过这些埋入式电源轨（BPR）实现互连，性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔（nTSV）与埋入式电源轨（BPR）连接至晶圆背面，与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对
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imec 晶背供电 逻辑IC 布线 3D IC
集成电路是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，是世界主要国家和地区抢占工业经济制高点的必争领域。为了进一步鼓励我国具有市场竞争实力和投资价值的集成电路企业健康快速发展，进一步总结企业发展的成功模式，挖掘我国集成电路领域的优秀创新企业，对优秀企业进行系统化估值，提升企业的国际和国内影响力。在连续成功举办四届遴选活动的基础上，由赛迪顾问股份有限公司、北京芯合汇科技有限公司联合主办的2021-2022（第五届）中国IC独角兽遴选活动历时两个月，收到企业自荐及机构推荐
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IC 独角兽
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起开始分销GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板。这种紧凑的氮化镓 (GaN) 增强模式 (e-mode) 半桥评估板性能优异，同时减少了组件总数，节省了宝贵的电路板空间。 贸泽电子分销的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有两个HEY1011-L12C GaN FET驱动器和两
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贸泽电子 GaN 半桥双极驱动开关
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