TI领先的功率密度、全新架构与高度集成帮助工程师解决企业服务器的设计难题，降低总所有成本
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GAN TI 电源供应器
经晶圆厂认证的全生命周期可靠性签核有助于预防汽车、医疗和5G芯片设计中的过度设计和昂贵的后期ECO（工程变更指令） 要点： 经过验证的技术统一工作流程在整个产品生命周期内提供符合ISO 26262等标准的高性能可靠性分析 与PrimeSim™ Continuum解决方案整合可无缝使用业界领先的仿真器进行电迁移/IR压降分析、MOS老化、高西格玛Monte Carlo、模拟故障和其他可靠性分析 与PrimeWave™设计环境整合
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可靠性分析 IC
TrendForce集邦咨询表示，2021年随着各国于5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升，驱使如基站、能源转换器(Converter)及充电桩等应用需求大增，使得第三代半导体GaN及SiC元件及模组需求强劲。其中，以GaN功率元件成长幅度最高，预估今年营收将达8,300万美元，年增率高达73%。据TrendForce集邦咨询研究，GaN功率元件，其主要应用大宗在于消费性产品，至2025年市场规模将达8.5亿美元，年复合成长率高达78%。前三大应用占比分别为消费性电子60%、新能源车20
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新能源车 GaN 功率元件
原标题：多家IC设计厂商证实：收到台积电涨价通知 强调不影响合作关系 8月25日，市场几度传出台积电即将全线涨价，从最初的明年成熟制程上涨15%至20%、先进制程涨幅达10%，到全面涨价20%，并从即日起生效。 对此，据中央社报道，多家IC设计厂商证实收到台积电涨价通知，并表示不会因而影响与台积电的合作关系。 IC设计业者指出，台积电包含7纳米及5纳米的先进制程涨价约7%至9%，其余成熟制程代工价格涨幅约20%。 此外，台积电罕见未给客户缓冲期，今天通知涨价随即于今天生效，供应链也紧急寻求因应
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IC 台积电 涨价
氮化镓（GaN）是一种III／V族宽能隙化合物半导体材料，能隙为3.4eV，电子迁移率为1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和电子迁移率则分别为1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，让组件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻，亦即相较于同尺寸的硅基组件，GaN可处理更大的负载、效能更高，而且物料清单成本更低。在过去的十多年里，产业专家和分析人士一直在预测，GaN功率开关组件的黄金时期即将到来。相较于应用广泛的MOSFET硅功率组件，GaN功率组件具备更高的效率和更强的功耗处理能力，这
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氮化镓快充火爆的背后，除了受消费者需求影响，是否还有其他原因？为什么快充会率先用到氮化镓呢？
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氮化镓 快充 GaN
财联社6月24日讯，据媒体报道，IC设计业者透露，明年初晶圆代工价格已经敲定，不仅联电8英寸和12英寸的晶圆代工价格续涨，晶圆代工龙头台积电也涨价，部分8英寸和12英寸制程价格上涨一到两成，且12英寸制程涨幅高于8英寸。台积电发言窗口表示，不评论价格问题。
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IC 晶圆厂 台积电
空间应用电源需要在抗辐射技术环境中运行，防止极端粒子相互作用及太阳和电磁事件的影响，因为这类事件会降低空间系统的性能并干扰运行。为满足这一要求，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗辐射型250V、0.21欧姆Rds（on）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）获得了商业航天和国防空间应用认证。Microchip耐辐射M6 MRH25N12U3 MOSFET为电源转换电路提供了主要的开关元件，包括负载点转换器、DC-DC转换器、电
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据WSTS统计，21Q1全球半导体市场销售值1,231亿美元，较上季(20Q4)成长3.6%，较2020年同期(20Q1)成长17.8%；销售量达2,748亿颗，较上季成长4.9%，较去年同期成长22.7%；ASP为0.448美元，较上季衰退1.2%，较去年同期(20Q1)衰退4.0%。区域市场方面，中国大陆市场销售值成长幅度最高，较上季(20Q4)成长8.9%，达到434亿美元，较去年同期(20Q1)成长25.6%；欧洲市场次之，较上季(20Q4)成长8.8%，达到110亿美元，较去年同期成长8.7%；
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IC
德州仪器(TI)今日宣布与中国领先的轨道交通设备制造商中车株洲电力机车研究所有限公司（后简称“株洲所”）签署谅解备忘录，升级共同运营的联合设计实验室，实现更广泛、更深层次的合作。此次合作旨在帮助中车株洲所运用TI广泛的模拟和嵌入式处理产品和技术，加速包括轨道交通，电动汽车等方面的应用设计以助力中国新基建关键领域建设。合作还将拓展至太阳能和风能等可再生能源方面的应用，以响应中国在2060年实现碳中和的宏伟目标。德州仪器(TI)与中车株洲电力机车研究所合作备忘录签约仪式“新基建将推动中国城际轨道交通系统的快速
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基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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Nexperia MOSFET GaN
南方科技大学深港微电子学院拥有未来通信集成电路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半导体器件重点实验室，围绕中国半导体产业链，培养工程专业人才，搭建跨国跨区域的校企合作与人才教育平台，建立以工程创新能力为核心指标的多元化机制，致力于对大湾区乃至全国的集成电路产业发展提供强有力的支撑作用。其科研成果、产业推广和人才培养成绩斐然，在国产芯片发展浪潮中引人瞩目。
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集成电路 微电子 氮化镓器件 宽禁带 IC GaN 202103
近年来，谐振变换器的热度越来越高，被广泛用于计算机服务器、电信设备、灯具和消费电子等各种应用场景。谐振变换器可以很容易地实现高能效，其固有的较宽的软开关范围很容易实现高频开关，这是一个关键的吸引人的特性。本文着重介绍一个以半桥LCC谐振变换数字控制和同步整流为特性的300W电源。图1所示的STEVAL-LLL009V1是一个数控300W电源。原边组件包括PFC级和DC-DC功率级(半桥LCC谐振变换器)，副边组件包括同步整流电路和STM32F334微控制器，其中STM32F334微控制器对DC-DC功率级
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MOSFET IC
西门子数字化工业软件宣布与日月光（ASE）合作推出新的设计验证解决方案，旨在帮助双方共同客户更便捷地建立和评估多样复杂的集成电路（IC）封装技术与高密度连接的设计，且能在执行物理设计之前和设计期间使用更具兼容性与稳定性的物理设计验证环境。新的高密度先进封装（HDAP）支持解决方案源于日月光参与的西门子半导体封装联盟 （Siemens OSAT Alliance），该联盟旨在推动下一代IC设计更快地采用新的高密度先进封装技术，包括2.5D、3D IC 和扇出型晶圆级封装（FOWLP）。日月光是半导体封装和测
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IC ASE
要点： 作为新思科技Fusion Platform的一部分，IC Compiler II凭借其行业领先的容量和吞吐量，加速实现了包含超过590亿个晶体管的超大规模Colossus IPU新思科技RTL-to-GDS流程中针对AI硬件设计的创新优化技术提供了同类最佳的性能、功率和区域（PPA）指标集成式黄金签核技术带来可预测且收敛的融合设计，同时实现零裕度流程新思科技（Synopsys, Inc., 纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，其行业领先的IC Compiler™ II布局布线解决方案成
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新思科技 IC Compiler II Graphcore
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