氮化镓（GaN）是一种III／V族宽能隙化合物半导体材料，能隙为3.4eV，电子迁移率为1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和电子迁移率则分别为1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，让组件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻，亦即相较于同尺寸的硅基组件，GaN可处理更大的负载、效能更高，而且物料清单成本更低。在过去的十多年里，产业专家和分析人士一直在预测，GaN功率开关组件的黄金时期即将到来。相较于应用广泛的MOSFET硅功率组件，GaN功率组件具备更高的效率和更强的功耗处理能力，这
关键字：
ST Exagan GaN
氮化镓快充火爆的背后，除了受消费者需求影响，是否还有其他原因？为什么快充会率先用到氮化镓呢？
关键字：
氮化镓 快充 GaN
财联社6月24日讯，据媒体报道，IC设计业者透露，明年初晶圆代工价格已经敲定，不仅联电8英寸和12英寸的晶圆代工价格续涨，晶圆代工龙头台积电也涨价，部分8英寸和12英寸制程价格上涨一到两成，且12英寸制程涨幅高于8英寸。台积电发言窗口表示，不评论价格问题。
关键字：
IC 晶圆厂 台积电
空间应用电源需要在抗辐射技术环境中运行，防止极端粒子相互作用及太阳和电磁事件的影响，因为这类事件会降低空间系统的性能并干扰运行。为满足这一要求，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗辐射型250V、0.21欧姆Rds（on）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）获得了商业航天和国防空间应用认证。Microchip耐辐射M6 MRH25N12U3 MOSFET为电源转换电路提供了主要的开关元件，包括负载点转换器、DC-DC转换器、电
关键字：
MOSFET LET IC MCU
据WSTS统计，21Q1全球半导体市场销售值1,231亿美元，较上季(20Q4)成长3.6%，较2020年同期(20Q1)成长17.8%；销售量达2,748亿颗，较上季成长4.9%，较去年同期成长22.7%；ASP为0.448美元，较上季衰退1.2%，较去年同期(20Q1)衰退4.0%。区域市场方面，中国大陆市场销售值成长幅度最高，较上季(20Q4)成长8.9%，达到434亿美元，较去年同期(20Q1)成长25.6%；欧洲市场次之，较上季(20Q4)成长8.8%，达到110亿美元，较去年同期成长8.7%；
关键字：
IC
德州仪器(TI)今日宣布与中国领先的轨道交通设备制造商中车株洲电力机车研究所有限公司（后简称“株洲所”）签署谅解备忘录，升级共同运营的联合设计实验室，实现更广泛、更深层次的合作。此次合作旨在帮助中车株洲所运用TI广泛的模拟和嵌入式处理产品和技术，加速包括轨道交通，电动汽车等方面的应用设计以助力中国新基建关键领域建设。合作还将拓展至太阳能和风能等可再生能源方面的应用，以响应中国在2060年实现碳中和的宏伟目标。德州仪器(TI)与中车株洲电力机车研究所合作备忘录签约仪式“新基建将推动中国城际轨道交通系统的快速
关键字：
德州仪器 GaN
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
关键字：
Nexperia MOSFET GaN
南方科技大学深港微电子学院拥有未来通信集成电路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半导体器件重点实验室，围绕中国半导体产业链，培养工程专业人才，搭建跨国跨区域的校企合作与人才教育平台，建立以工程创新能力为核心指标的多元化机制，致力于对大湾区乃至全国的集成电路产业发展提供强有力的支撑作用。其科研成果、产业推广和人才培养成绩斐然，在国产芯片发展浪潮中引人瞩目。
关键字：
集成电路 微电子 氮化镓器件 宽禁带 IC GaN 202103
近年来，谐振变换器的热度越来越高，被广泛用于计算机服务器、电信设备、灯具和消费电子等各种应用场景。谐振变换器可以很容易地实现高能效，其固有的较宽的软开关范围很容易实现高频开关，这是一个关键的吸引人的特性。本文着重介绍一个以半桥LCC谐振变换数字控制和同步整流为特性的300W电源。图1所示的STEVAL-LLL009V1是一个数控300W电源。原边组件包括PFC级和DC-DC功率级(半桥LCC谐振变换器)，副边组件包括同步整流电路和STM32F334微控制器，其中STM32F334微控制器对DC-DC功率级
关键字：
MOSFET IC
西门子数字化工业软件宣布与日月光（ASE）合作推出新的设计验证解决方案，旨在帮助双方共同客户更便捷地建立和评估多样复杂的集成电路（IC）封装技术与高密度连接的设计，且能在执行物理设计之前和设计期间使用更具兼容性与稳定性的物理设计验证环境。新的高密度先进封装（HDAP）支持解决方案源于日月光参与的西门子半导体封装联盟 （Siemens OSAT Alliance），该联盟旨在推动下一代IC设计更快地采用新的高密度先进封装技术，包括2.5D、3D IC 和扇出型晶圆级封装（FOWLP）。日月光是半导体封装和测
关键字：
IC ASE
要点： 作为新思科技Fusion Platform的一部分，IC Compiler II凭借其行业领先的容量和吞吐量，加速实现了包含超过590亿个晶体管的超大规模Colossus IPU新思科技RTL-to-GDS流程中针对AI硬件设计的创新优化技术提供了同类最佳的性能、功率和区域（PPA）指标集成式黄金签核技术带来可预测且收敛的融合设计，同时实现零裕度流程新思科技（Synopsys, Inc., 纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，其行业领先的IC Compiler™ II布局布线解决方案成
关键字：
新思科技 IC Compiler II Graphcore
GaN（氮化镓）作为新一代半导体材料，正有越来越广泛的应用。近日，德州仪器（TI）宣布其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的GaN FET，分别面向车用充电器和工业电源，可以实现2倍的功率密度和高达99%的效率。TI如何看待GaN在汽车和工业方面的机会？此次GaN FET的突破性技术是什么？为此，电子产品世界记者线上采访了TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom。TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom1 GaN在电源领
关键字：
GaN FET SiC
John Grabowski：安森美半导体电源方案部门的首席应用和市场工程师，部门位于美国密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半导体，此前他曾在福特汽车公司研究实验室工作30年。他一直从事电路和软件设计，应用于电气、混合动力汽车和汽车动力总成系统。最近，他的团队积极推动将高功率半导体应用于汽车电子化。引言为应对气候变化，汽车减排降油耗势在必行。如今，许多国家/地区的法律强制要求汽车制造商做出这些改变。为实现这一目标，其中一种方式就是采用混合动力，即在汽油或柴油车辆的传动链中
关键字：
GaN 48V
日前， KLA公司 宣布推出Kronos™ 1190晶圆级封装检测系统、ICOS™ F160XP芯片分拣和检测系统以及下一代的ICOS™ T3 / T7系列封装集成电路（IC）组件检测及量测系统。这些新系统具有更高的灵敏度和产量，并包含下一代增强算法，旨在应对特征尺寸缩小、3D结构和异构集成所带来的复杂性，从而在封装阶段推进半导体元件制造。凭借更可靠地实施这些先进封装技术，KLA的客户将无需依赖缩小硅设计节点就能够提高产品性能。该产品组合的性能提升将提供良率和质量保证，帮助
关键字：
IC EPC
延续9月4日以来的火热行情，9月17日，A股第三代半导体概念股持续强劲，双良节能、易事特涨停，多只概念股个股涨超7%。证券时报·e公司记者梳理发现，截至9月17日，已通过深交所互动易或公告形式披露公司确有第三代半导体产业链业务，或已积累相关技术专利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半导体方面有实际业务，或已出货相关产品，但多数为小批量出货，销售收入占上市公司比例较小。三代半导体概念持续火热近段时间以来，以碳化硅、氮化镓、金刚石为代表的第三代半导体产业概念股异军突起，成为低迷震荡行情下一道亮
关键字：
第三代芯片 三代半导体 GaN
gan ic介绍
您好，目前还没有人创建词条gan ic!
欢迎您创建该词条，阐述对gan ic的理解，并与今后在此搜索gan ic的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473