- 在历史上，半导体产业的成长仰赖制程节点每一次微缩所带来的电晶体成本下降;但下一代晶片恐怕不会再伴随着成本下降，这将会是半导体产业近20~30年来面临的最严重挑战。
具体来说，新一代的20奈米块状高介电金属闸极(bulk high-K metal gate，HKMG) CMOS制程，与16/14奈米 FinFET 将催生更小的电晶体，不过每个逻辑闸的成本也将高出目前的28奈米块状HKMG CMOS制程。此成本问题部分源自于在新制程节点，难以维持高参数良率(parametric yields)以
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FinFET 半导体
- 重点： · 认证确保精确性方面不受影响，并包含用于65纳米至14纳米FinFET制程的物理验证签收的先进技术 · 双方共同的客户可通过它与Cadence Virtuoso及Encounter平台的无缝集成进行版图设计和验证版图 全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司今天宣布Cadence® Physical Verification System (PVS)通过了GLOBALFOUNDRIES的认证，可用于65纳米
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Cadence FinFET Virtuoso Encounte
- 大量的金钱和精力都花在探索FinFET工艺，它会持续多久和为什么要替代他们?
在近期内，从先进的芯片工艺路线图中看已经相当清楚。芯片会基于今天的FinFET工艺技术或者另一种FD SOI工艺的平面技术，有望可缩小到10nm节点。但是到7nm及以下时，目前的CMOS工艺路线图已经不十分清晰。
半导体业已经探索了一些下一代晶体管技术的候选者。例如在7nm时，采用高迁移率的FinFET，及用III-V族元素作沟道材料来提高电荷的迁移率。然后，到5nm时，可能会有两种技术，其中一种是环栅F
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晶体管 FinFET
- 几乎所有继续依靠先进半导体工艺来带给自己芯片性能与功耗竞争优势的厂商，纷纷将自己的设计瞄准了即将全面量产的FINFET技术。在这一市场需求推动下，似乎20nm这一代，成为很多代工厂眼中的鸡肋，巴不得直接跨越20nm，直奔16/14nm的FINFET。
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TSMC FINFET 智能手机 201401
- FinFET给芯片设计业带来的改变几乎是革命性的，带来了各种新的要求，同时也推动了各种创新。
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SoC FinFET
- 大家都在谈论FinFET——可以说，这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人，都认为20nm节点以后，FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言，其未来会怎样呢?
回答这一问题最好的方法应该是说清楚FinFET对于模拟和数字电路设计人员以及SoC设计人员究竟意味着什么。从这些信息中，我们可以推断出FinFET在系统级意味着什么。
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SoC FinFET
- 全球IC矽智财供应商新思科技(Synopsys)力挺台积电的16纳米FinFET(鳍式场效晶体管)，全力协助台积电加入导入这项新制程量产行列。
新思科技是「台积电大同盟」成员之一，昨天也宣布获台积电颁发开放创创新平台(OIP)「2013年度最佳伙伴奖」，以表彰对台积电先进制程的贡献。
台积电16纳米FinFET制程，是对抗英特尔及三星等劲敌的重要技术，台积电将以大同盟的阵营，联合IP、自动化工具、设备及芯片设计业的力量应战。台积电16纳米预定明年第4季试产，2015年第1季量产。
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Synopsys FinFET
- 由于ASIC的研发成本居高不下，加上近来FPGA不断整合更多的功能，同时也突破了过往功耗过高的问题，尤其当进入28奈米制程之后，其性价比开始逼近ASSP与ASIC，促使FPGA开始取代部分ASIC市场，应用范围也逐步扩张。
附图: Xilinx揭露未来市场竞争状况。 资料来源：Xilinx
掌握这样的趋势，让FPGA大厂Xilinx在28奈米的产品营收持续成长。 Xilinx企业策略与行销资深副总裁Steve Glaser指出，预估今年在28奈米产品线将会有1亿美元的营收，市占率高
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Xilinx FinFET
- 比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下，以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。
随着晶片微缩即将接近原子级的限制，业界致力于提高晶片性能与降低功耗的各种方法逐渐面临瓶颈。透过为矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高载子速度与更高驱动电流的III-V族电晶体通道，这种新的化合物半导体可望超越矽晶本身性能，持续微缩至更制程。
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FinFET 矽材料
- Mentor Graphics公司(纳斯达克代码：MENT)日前宣布它已完成其用于台积电16纳米FinFET制程的数字成套工具。台积电16纳米参考流程包含一些新功能，用于Olympus-SoC™布局与布线系统的16纳米设计，以及Calibre®物理验证和可制造性设计(DFM)平台。
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Mentor FinFET
- FinFET称为鳍式场效晶体管，由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计，变革了传统晶体管结构，其控制电流通过的闸门被设计成类似鱼鳍的叉状3D架构，将原来的单侧控制电路接通与断开变革为两侧。
FinFET这样创新设计的意义，在于改善了电路控制并减少漏电流，缩短了晶体管的闸长，对于制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法等产生重要影响与变革。FinFET技术升温，使得半导体业战火重燃，尤其是以Fi
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FinFET 半导体制造
- 半导体业界已发展出运用FinFET的半导体制造技术，对制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法产生极大变化。特别是IDM业者与晶圆代工厂正竞相加码研发以FinFET生产应用处理器的技术，促使市场竞争态势急速升温。
过去数10年来，互补式金属氧化物半导体(CMOS)平面电晶体一直是电子产品的主要建构材料，电晶体几何结构则一代比一代小，因此能开发出高效能且更便宜的半导体晶片。
然而，电晶体在空间上的线性微缩已达极限，电晶体缩小到20奈米(nm)以下，会降低通道闸极控制效果，造成汲极(Dr
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半导体 FinFET
- 日前，SeMind举办了圆桌论坛，邀请半导体设计与制造的专家齐聚一堂，共同探讨未来晶体管、工艺和制造方面的挑战，专家包括GLOBALFOUNDRIES的高级技术架构副总裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技术官Carlos Mazure，Intermolecular半导体事业部高级副总裁兼总经理Raj Jammy以及Lam公司副总裁Girish Dixit。
SMD ：从你们的角度来看，工艺升级短期内的挑战是什么?
Kengeri ：眼下，我们正在谈论的28nm到2
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FinFET 3D
- 鳍式电晶体(FinFET)将成晶圆厂新角力战场。为卡位16/14纳米市场商机，台积、联电和格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)正倾力投资FinFET技术，并各自祭出供应链联合作战策略，预计将于2014～2015年陆续投入量产，让晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。
FinFET制程将成晶圆厂新的角力战场。为卡位16/14纳米市场商机，并建立10纳米发展优势，台积电、联电和格罗方德正倾力投资FinFET技术，并已将开战时刻设定于2014?2015年;同时也各自祭出供应链联合作战策略，期抗衡英特尔和三星
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FinFET 晶圆
- 英格兰锡尔--(美国商业资讯)--世界领先的系统到芯片集成电路设计咨询公司之一的英盛德认为，FinFET技术使用的日趋盛行将为集成电路设计商带来新的挑战，因为这些设计商希望从新构架带来的尺寸优势中受益。
工程部副总裁Kevin Steptoe解释说：“最近，在德州召开的设计自动化大会(Design Automation Conference)上，展厅中讨论FinFET技术的声音不绝于耳。同样，我们发现我们的客户——包括消费、电脑和图形行业领域的最知名企业&md
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集成电路设计 FinFET
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