- 随着高级工艺的演进，电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时，他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分给设计实施过程带来了许多重大布局限制，另外为降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶体管使之更加复杂，因为它对摆设和布线流程带来了更多的限制。下面就随模拟电子小编一起来了解一下相关内容吧。
FinFET布局和布线要经受各种挑战
随着高级工艺的演进，电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时，他们同样面临许多新的设
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FinFET
- 英特尔(Intel)宣布将在2017年底之前启动全新22纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程22 FFL，相关开发套件(PDK)在接下来几个月也将陆续到位，市场上认为22 FFL的推出，显然是针对GlobalFoundries等业者以全空乏绝缘上覆硅(FD-SOI)为移动装置及物联网(IoT)应用所生产之同类芯片而来。
据EE Times Asia报导，英特尔称自家22 FFL是市场上首款为低功耗IoT应用及移动装置产品而开发出来的FinFET技术，能打造出高效能及低功耗的电晶体，漏电流(le
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英特尔 FinFET
- 继网罗到蒋尚义这位台湾半导体大将后，大陆半导体产业又有新动作。据报道，传大陆行业领头羊中芯国际要将梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯国际 CTO 或 COO。和蒋尚义一样，梁孟松同样来自台积电技术研发高层，他曾任台积电资深研发处长。
之前蒋尚义加入中芯时，已经是半导体行业的一枚重磅炸弹了，毕竟无论是从他 40 多年的行业经验还是在台积电的任职时间来看，他都堪称元老。在台积电，蒋尚义参与主导了从0.25微米、0.18微米直至16纳米制程技术的研发，张忠谋曾感激他为“台积电16年
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中芯国际 FinFET
- 潘文渊文教基金会日前举行“潘文渊奖”颁奖典礼，2016年的得奖人是加州大学柏克莱分校讲座教授胡正明，他曾回台担任台积电首任技术长，也是工研院院士，他所研发的3D鳍式晶体管(FinFET)突破物理极限，堪称半导体工业40多年来的最大变革。
胡正明目前仍深耕学术教育，为产学研界培育众多优秀人才。 在颁奖典礼中，胡正明与清华大学前校长刘炯朗以“创新人才培育─迈向科技新世代”为题进行高峰论坛，两人提出许多深具启发性的见解。
肯定自己 解决问题就是创新
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FinFET
- 近日格罗方德12英寸晶圆厂落户中国成都引起业界关注，为何?因为FD-SOI技术。
众所周知，当栅极长度逼近20nm大关时，对电流控制能力急剧下降，漏电率相应提高。FinFET与FD-SOI恰是半导体微缩时代续命的高招。
尽管FinFET与FD-SOI师出同门，但是，两者却被“阵营化”，FinFET阵营占据绝对优势。格罗方德是为数不多的FD-SOI技术坚守与推动者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格罗方德12英寸晶圆厂能给出答案。
今天我们就来谈谈Fi
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FinFET FD-SOI
- 中国半导体业发展可能关键不在于方向在那里?而是确定方向之后，如何踏实去干，去解决一个一个难题。任何进步没有捷径，其中骨干企业的责任尤为重要。
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SOI finFET
- 2016年12月7日，高通宣布在服务器领域的最新进展：其首款10nm服务器芯片Qualcomm Centriq 2400开始商用送样，预计在2017年下半年实现商用。作为Qualcomm Centriq系列的首款产品，Centriq 2400采用最先进的10nm FinFET制程技术，这也是全球首款10nm处理器芯片，最高可配置48个核心。
高通官方介绍，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制内核——Qualcomm® Fa
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高通 FinFET
- 最近，中国微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组，利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属化源漏(MSD)，能显著降低源漏寄生电阻，从而将N/PMOS器件性能提高大约30倍，使得驱动性能达到了国际先进水平。
基于本研究成果的论文被2016年IEEE国际电子器件大会(IEDM)接收，并在IEDM的关键分会场之一——硅基先导CMOS 工艺和制造技术(PMT)上，由张青竹
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FinFET 摩尔定律
- 由于技术和商业上的原因，摩尔定律也失去了效力，而且受制于光刻技术、硅材料的极限等因素，芯片制程提升很可能会遭遇瓶颈，这种情况下胡正明教授的FinFET研究就尤为重要。
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半导体 FinFET
- 格罗方德公司今天宣布，已证实运用14纳米FinFET工艺在硅芯片上实现真正长距离56Gbps SerDes性能。作为格罗方德高性能ASIC产品系列的一部分，FX-14™ 具有56Gbps SerDes，致力于为提高功率和性能的客户需求而生，亦为应对最严苛的长距离高性能应用需求而准备。 格罗方德56Gbps SerDes 内核同时支持 PAM4 和 NRZ 信号传导，可补偿超过35dB的插入损耗，因而无须在目前极
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格罗方德 FinFET
- 尽管距离国际标准化组织确定的2020年5G商用仍有3年时间之久，现在的4G网络还有潜力挖掘和价值提升的空间，然而全球“大T”们(运营商)的发展焦点已经向5G转移，纷纷从技术研发、标准制定、产业储备等方面入手，对5G进行全面布局。
“预计2022年全球将有5.5亿5G用户，其中北美和亚太将成为发展最快的两大地区。”鉴于全球运营商的积极行动，业界纷纷调高了对5G发展速度的预期，爱立信在近期发布的《移动市场报告》中就给出了2020年5.5亿用户的预期。
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三星 FinFET
- 半导体领域FinFET技术发明人胡正明说，由于半导体技术的突破，网际网路的速度和普及度还有千百倍的成长空间。
在中国大陆乌镇举行的第3届世界互联网大会，今年首次举办“世界互联网领先科技成果发布活动”，由海内外网路专家组成的专家征集并评选出15项最尖端的技术成果和最具创新性的商业模式。胡正明及其率领的研究团队，在半导体微型化的突破成就是其中之一。
胡正明率领的美国加州大学柏克莱分校团队，将平面二维晶体管创新制作成垂直三维的“鳍式电晶体”，让半导
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FinFET
- 大家都在谈论FinFET——可以说，这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人，都认为20 nm节点以后，FinFET将成为SoC的未来。但
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SoC FinFET MOSFET
- 所有大型晶圆代工厂都已宣布 FinFET 技术为其最先进的工艺。Intel 在 22 nm 节点上采用该晶体管，TSMC 在其 16 nm 工艺上使用，而 Samsung 和 GlobalFoundries 则将其用于 14 nm 工艺中。
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FinFET 电路设计
- 要判定FinFET、FD-SOI与平面半导体制程各自的市场版图还为时过早…
尽管产量仍然非常少，全空乏绝缘上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)制程有可能继Globalfoundries宣布12奈米计画(参考阅读)之后快速成长;而市 场研究机构International Business Strategies (IBS)资深分析师Handel Jones表示，三星(Samsung)或将在中国上海成立的一座新晶圆厂是否会采用FD
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制程 FinFET
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