- 日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架构的14nm-XM技术，其全球销售和市场营销执行副总裁Michael Noonen近日接受媒体访问，对有关问题进行了解读。
XM 是 eXtreme Mobility 的缩写，作为业界领先的非平面结构，它真正为移动系统级芯片(SoC)设计做了优化，能提供从晶体管到系统级的全方位产品解决方案。与目前20纳米节点的二维平面晶体管相比，该技术可望实现电池功耗效率提升 40%~60%。
Noonen表示：“201
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FinFET 14nm
- 台积电最近表示，其首个 FinFET 制程将会搭配16nm节点，而且可能会在2015年下半年量产。不过，台积电也会在20nm后段制程中使用 FinFET ，因此，该公司的 FinFET 时程表可能还会有变数。
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台积电 FinFET
- 随着半导体产业向22纳米技术节点外观的发展，一些制造商正在考虑从平面CMOS晶体管向三维（3D）FinFET器件结构的过渡。相对于平面晶体管，FinFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效应。当平面晶体管的栅极在沟道之上，FinFET的栅极环绕沟道，从双向提供静电控制。
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SOI 体硅 FinFET
- 自从Intel正式对外公布22nm制程节点将启用Finfet垂直型晶体管结构，吸引了众人的注意之后，台积电，GlobalFoundries等芯片代工厂最近纷纷表态称芯片代工市场在未来一段时间内(至少到下一个节点制程时)仍将采用传统基于平面型晶体管结构的技术。他们给出的理由是，Intel手上只有少数几套芯片产品，因此Intel方面要实现到Finfet的晶体管架构升迁时，在芯片设计与制造方面需要作出的改动相对较小，而芯片代工商则情况 完全不同。
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台积电 Finfet
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