根据美国商业资讯报导，世界领先的系统到晶片积体电路设计顾问公司之一的英盛德(Sondrel)认为，FinFET技术使用的日趋盛行将为积体电路设计商带来新的挑战，因为这些设计商希望从新构架带来的尺寸优势中受惠。
工程部副总裁Kevin Steptoe解释说：「最近，在德州召开的设计自动化大会(Design Automation Conference)上，展场中讨论FinFET技术的声音不绝于耳。同样，我们发现我们的客户——包括消费、电脑和图形产业领域的最知名企业&mdash
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Sondrel FinFET
一线晶圆厂正纷纷以混搭20纳米制程的方式，加速14或16纳米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14纳米FinFET前段闸极结合20纳米后段金属导线制程的方式达 成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16纳米FinFET世代，初版方案亦可望采用类似的混搭技术，足见此设计方式已成为晶圆厂进入 FinFET世代的共通策略。
联华电子市场行销处处长黄克勤提到，各家厂商在16/
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晶圆 FinFET
一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后段金属导线制程的方式达成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用类似的混搭技术，足见此设计方式已成为晶圆厂进入FinFET世代的共通策略。
联华电子市场行销处处长黄克勤提到，各家厂商在16/14奈
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晶圆 FinFET
晶圆代工厂迈入高投资与技术门槛的鳍式场效电晶体(FinFET)制程世代后，与整合元件制造商(IDM)的竞争将更为激烈，因此台积电正积极筹组大联盟(Grand Alliance)，串连矽智财(IP)、半导体设备/材料，以及电子设计自动化(EDA)供应商等合作夥伴的力量，强化在FinFET市场的竞争力。
台积电董事长暨总执行长张忠谋提到，今年台积电虽屡创季营收新高，但第四季因客户调整库存可能出现微幅下滑的情形。
台积电董事长暨总执行长张忠谋表示，台积电在20奈米(nm)市场仍未看到具威胁性的对
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台积电 FinFET
联华电子与全球半导体设计制造提供软件、IP与服务的领导厂商新思科技(Synopsys)，日前(26日)共同宣布，两家公司的合作已获得成果。采用新思科技DesignWare®逻辑库的IP组合及 Galaxy™实作平台的一部分-寄生StarRC™萃取方案，成功完成了联华电子第一个14奈米FinFET制程验证工具的设计定案。
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联华 新思 FinFET
联华电子与IBM日前(13日)共同宣布，联华电子将加入IBM技术开发联盟，共同开发10奈米CMOS制程技术。
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联华 IBM FinFET
里昂证券出具报告表示，看好台积电(2330-TW)先进技术2015年量产，将可供应20奈米设备和16奈米FinFET制程，预估其资本支出将再2014年达到高峰，虽然近期密集产能扩张，但2015年将会衰退10%，考量现金流和回报率，给予买进，并将目标价从126元上调140元。
FinFET制程部分，里昂证券指出，FinFET技术是半导体产业在解决转进20奈米瓶颈的相关技术，结构性改变将使封装具有更好效能和较低耗电量，台积电预计在2015年前，积极抢进16奈米FinFET晶片制造
里昂证券也指
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台积电 FinFET
FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术，是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件可以提供更显著的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的FinFET技术，同时许多晶圆厂也正在准备16纳米或14纳米的FinFET工艺。
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Cadence FinFET 晶圆 201304
ARM 与晶圆代工大厂台积电(TSMC)共同宣布，完成首件采用 FinFET 制程技术生产的 ARM Cortex-A57 处理器产品设计定案(tape-out)。Cortex-A57 处理器为能进一步提升未来行动与企业运算产品的效能，包括高阶电脑、平板电脑与伺服器等具备高度运算应用的产品，此次合作展现了双方在台积公司FinFET制程技术上，共同优化64位元ARMv8处理器系列产品所缔造的全新里程碑。
藉由 ARM Artisan 实体IP、台积电记忆体巨集以及开放创新平台(Open Innov
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ARM FinFET
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该里程碑有助于加速对FinFET技术的采用，以实现更快和更高能效的系统级芯片(SoC)
该合作为3D器件建模和物理设计规则支持奠定了基础
测试芯片验证了FinFET工艺和Synopsys® DesignWare®嵌入式存储器的成功采用
为芯片和电子系统加速创新提供软件、知识产权(IP)及服务的全球性领先供应商新思科技公司(Synopsys, Inc.， 纳斯达克股票市场代码：SNPS)日前宣布：该公司与三星在FinFET技术上的多年合作已经实现了一个关键
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Synopsys FinFET
三星21日宣布成功试产第1颗导入3D 鳍式场效晶体管(FinFET)的14纳米测试芯片，进度领先台积电，显示在苹果「去三星化」趋势已定下，三星力拚台积电的野心只增不减。
韩联社报导，三星与安谋(ARM)、益华(Cadence)、明导(Mentor)与新思(Synopsis)共同合作，成功试产出旗下第1颗采用FinFET技术的14纳米测试芯片。
三星系统芯片部门主管表示，14纳米FinFET制程技术可提升电子装置效能并降低耗电量，进一步改善行动环境，这也是IBM之后，第2家搭载安谋处理器架构
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三星 FinFET 14纳米
半导体产业正在转换到3D结构，进而导致关键薄膜层对高速原子层沉积(ALD)的需求日益升高。过去在平面元件中虽可使用几个 PVD 与 CVD 步骤，但就闸极堆叠的观点而言，过渡到 FinFET 元件将需要全方位的 ALD 解决方案。
就 FinFET 而言，以其尺寸及控制关键元件参数对后闸极 (gate last) 处理的需求来说，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 层。半导体设备大厂 ASM International (ASMI) 针对此一趋势，与《电子工程专辑》谈到了ALD 技术在先进半导
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半导体 FinFET ALD
联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子IC制造商机。
联电执行长孙世伟表示，14nmFinFET制程技术将会是联电切入未来次世代通讯运算市场的最佳利器。
联电执行长孙世伟表示，由于晶圆从28跨入20nm制程以下的微缩过程中，势必得使用双重曝光(DoublePatterning)微影技术才能实现，而此
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联电 处理器 14nm FinFET
电子设计企业Cadence Design Systems, Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶体管技术，已经成功流片了14nm工艺的ARM Cortex-M0处理器试验芯片。
Cadence、ARM、IBM三者之间已经达成了多年的合作协议
Cadence、ARM、IBM三者之间已经达成了多年的合作协议，共同开发14nm以及更先进的半导体工艺，14nm芯片和生态系统就是三方合作的一个重要里程碑。
这次的试验芯片主要是用来对14nm工艺设计IP的
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Cadence 芯片 FinFET
台积电在本周二(10月16日)的年度大会中，宣布制订了20nm平面、16nm FinFET和2.5D发展蓝图。台积电也将使用ARM的第一款64位元处理器V8来测试16nm FinFET制程，并可望在未来一年内推出首款测试晶片。
台积电与其合作伙伴们表示，用于20nm和16nm FinFET的双重图形技术对晶片设计人员带来了极大挑战。台积电的发展蓝图大致与竞争对手Globalfoundries 类似，都希望能在明年启动20nm制程，2014开始14nm FinFET制程。
台积电的目标提前在
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台积电 FinFET ARM V8
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