十多年前，半导体设计与应用工程师在有了可行 CMOS 硅芯片时高兴得相互击掌庆祝，因为它可在 80% 的良率下实现 100uV 以下的放大器输入失调电压。当时，Allen Bradley、John Deere、Rockwell Automation 以及 Siemens 等工业领域巨头都考虑将 CMOS 放大器作为较低成本的平台，但它们很少将其用于实现高性能。
尽管双极性技术依然盛行，但新型 CMOS 放大器正在以先进的设计技巧、高级的微调方法以及提高的良率逐渐打破工艺局限性。
以往，双极
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CMOS 放大器
三星、SK海力士及美光三大DRAM厂明年制程进入20纳米世代，尽管市场忧心恐造成供给大增、压抑价格走势，但DRAM业者强调，制程微缩并非一、两天可以完成，期间将遭遇技术瓶颈与整量产能缩减等问题，因此尽管资本支出庞大，明年DRAM价格仍可望持稳，业者仍会稳定获利。
集邦协理吴雅婷表示，三星及SK海力士在制程推进至25纳米期间，都吃足苦头，预料美光借重华亚科从30纳米制程直接切入20纳米制程，同样也将面临极大的挑战。三星首次进入28纳米制程时，因良率无法有效提升，黯然宣告中止，部分产能转回35纳米，
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三星 SK海力士 美光 DRAM
DRAM行情出现反转讯号，专业报价机构集邦科技昨(17)日公布11月上旬DRAM合约价终止连续半年涨势，最高较10月下旬下跌4.5%，预期明年首季将续跌5%至7%，法人忧心随著报价走弱，恐不利南亚科、华亚科短期营运。
尽管合约价走势露疲态，南亚科资深副总经理李培瑛强调，目前DRAM市况稳定，个人计算机及服务器市场仍供不应求，但低功率、消费及现货市况持平。他预估，南亚科本季整体产品平均售价估计将较第3季下滑3%至5%，整体营运还是会不错。
据悉，三星日前与个人计算机大厂惠普，协议第4季标准型
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DRAM 三星
韩国国际广播电台报道：韩国企业在世界半导体DRAM市场的占比已逼近70%，创历来最高纪录。
据半导体电子交易网“Dramexchange”发布的报告显示，今年第三季度在世界半导体DRAM市场上的占有率，韩国为69.7%，美国为24.2%，中国台湾为6.1%。
这是韩国继2012年第四季度创下69.6%纪录后的最高纪录。半导体业界认为，随着三星电子和SK海力士的产量持续增加，韩国占比将有望超过70%。
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三星 DRAM
根据DRAM研调机构DRAMeXchange最新研究报告显示，第三季三大DRAM厂积极调配旗下产能以应付苹果iPhone新机庞大行动式存储器的需求﹔在排挤效应下，标准型存储器产出减少，带动第三季合约价格持续上涨，供货吃紧下标准型存储器蝉联毛利最高的DRAM产品。DRAMeXchange表示，明年虽然平均销售单价将逐季往下，但在位元产出仍持续增加的拉抬下，DRAM整体产值将持续攀升。
该机构表示，今年第三季DRAM产值达120亿美元，较上季成长11%，单季营收再度创下新高。在产业寡占结构下，市场仍
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美光 DRAM 存储器
随著大陆市场近几年的蓬勃发展与政策开放，GDP成长率呈现高度的成长，伴随而来的就是惊人的消费潜力﹔无论是PC、智能型手机与平板市场都把大陆市场列入第一战区。根据存储器研调机构DRAMeXchange最新研究显示，以2Gb颗粒来换算，2014年大陆市场在DRAM的消化量已经高达47.89亿美元，占全球产能19.2%。
从DRAM市场来观察，PC-DRAM在大陆市场的消化量已经来到15%，内需市场的强劲让PC龙头联想逐渐壮大，以并购的方式挤身一线大厂之列﹔目前全球PC出货量与惠普在伯仲之间，在大陆市
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DRAM PC-DRAM
TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新研究报告显示， 2014年第三季三大DRAM厂积极调配旗下产能，以因应苹果(Apple) iPhone 新机庞大行动式记忆体的需求，在排挤效应下，标准型记忆体产出减少，带动第三季合约价格持续上涨，供货吃紧下标准型记忆体蝉联毛利最高的DRAM产品。DRAMeXchange表示，2014年第三季DRAM产值达120亿美元，较上季成长11%，单季营收再度创下新高。
在各DRAM厂产品比重调配得宜与先进制程产出增加下，其获利能力皆
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DRAM 海力士 三星
IC通路商大联大积极扩大物联网、工业及车用市场布局，旗下世平近日再新增代理无线射频晶片厂RFaxis的主要产品线CMOS RFeIC;由于RFaxis已获联发科、展讯公板设计的协力厂商，为大联大在亚太市场布局物联网增添实力。
RFaxis指出，物联网感测器节点的单价，应该低于1美元才有可能获得大规模普及，这意味着传统的GaAs(砷化镓)或SiGe(矽锗)无线射频晶片，几乎难有任何利润的空间，而RFaxis所推出的纯CMOS的裸片解决方案，不论在封装规格、性能与成本等各方面，更符合其价格需求。
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大联大 物联网 CMOS
TrendForce最新研究报告显示，随着中国市场近几年的蓬勃发展与政策开放，GDP成长率呈现高度的成长，所伴随而来的就是惊人的消费潜力，无论是PC、智能型手机与平板市场都把中国市场列入第一战区。TrendForce旗下权威内存研究机构DRAMeXchange最新数据显示，以2Gb颗粒来换算，2014年中国市场在DRAM与NAND的消化量已经高达47.89亿与70.36亿，分别占全球产能19.2%与20.6%。
从DRAM市场来观察，PC-DRAM在中国市场的消化量已经来到15%，内需市场的强劲
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内存 DRAM Flash
韩系半导体大厂SK海力士(SK Hynix)为量产CMOS影像传感器(CIS)，将引进研究用途系统芯片(SoC)用12吋晶圆蒸镀设备，吸引业界关注。CIS为智能型手机相机模块、医学用摄影设备等IT、数字装置广泛使用的非内存芯片，近来使用范围也扩大到车用半导体。
据南韩MT News报导，SK海力士近来向南韩一半导体设备制造厂采购非内存用分区化学气相沉积(Space Divided Plasma CVD;SDPCVD)设备。该设备将设置在SK海力士利川工厂研究园区中，进行CIS研究开发。
S
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海力士 CMOS CIS
全球半导体市场第3季，以870亿美元创下史上最高营收纪录，景气持续乐观。其中亚太地区比前年增加12.0%成长最多，南韩业者营收屡创新高，然而日本地区却出现成长衰退迹象。
据Digital Times报导，日前美国半导体产业协会(SIA)宣布，第3季半导体产业全球营收，与前年同期相比成长8.0%，以870亿美元创下史上单季最高纪录。不但比第2季增加5.7%，也高于世界半导体贸易统计组织(WSTS)在7月预测的年度成长值6.5%。
SIA CEO Brian C. Toohey表示，第3季半导
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半导体 DRAM NAND
高性能线性和电源解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司 (Micrel, Inc.) 和先进的光学与微机械传感器系统制造商 Silicon Micro Systems (SMS) 今天发布用于汽车和工业系统的全新 HDR-CMOS 百万像素以太网摄像头。这款可投入生产的摄像头由摄像头专家 SMS(First Sensor 子公司 Silicon Micro Sensors GmbH)设计和制造，采用了麦瑞半导体独特的低放射网络解决方案。
First
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麦瑞半导体 Silicon Micro Sensors HDR-CMOS
美国半导体企业美光科技(Micron Technology)将增产用于智慧手机等产品的半导体记忆体。将向去年收购的原尔必达记忆体位于日本广岛的工厂投资1千亿日元，力争2015财年(截 至15年8月)内将产能提高20%。今年美光科技在该工厂时隔3年重启大规模投资，计划通过积极投资来追赶在相关领域位居全球首位的韩国三星电子。
美光科技将在广岛增产使用最尖端微细加工技术(线宽为20奈米)的DRAM。和上一代25奈米线宽相比，从1枚晶圆上可以获得的半导体晶片数量将增加约 20%，生产效率将大幅提高。美光
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美光科技 存储器 DRAM
随着来自社交网站、电子商务以及各种行动装置的数位资讯流暴增，巨量资料(big data)已经为IT基础建设带来压力;而当物联网(IoT)不断发展、可穿戴式装置开始兴盛，对记忆体以及快闪记忆体储存装置来的压力又是什么?
很明显的是，新一代装置将对记忆体以及资料储存元件的功耗、性能以及外形有独特的需求;在此同时，众多物联网设备与可穿戴式装置的功能，会只是单纯的收集与传送资讯到云端或资料中心，以进行处理。
IHS分析师Cliff Leimbach表示，在物联网世界，记忆体将会被非常广泛地使用，出
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物联网 存储器 DRAM
是德科技公司日前宣布赞助台湾大学(NTU)高速射频与毫米波技术中心的 B4G MIMO 实验室。是德科技同时参加了揭牌仪式后举行的 B4G/5G 技术论坛。B4G MIMO 实验室是台湾大学高速射频与毫米波技术中心实施的项目之一，旨在开发未来 4G 和 5G 移动通信系统的关键元器件。
5G 正在逐步成为满足移动互联网使用需求的核心技术，为此台湾当局主管部门鼓励学术界开发未来技术，并号召台湾大学这所知名学府：1. 建立高速射频和毫米波技术中心，2. 研究先进技术，3. 进一步推动当地产业发展。是
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是德科技 B4G CMOS
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