- 南韩第二大记忆体厂SK海力士(SKHynix)首季超越劲敌美光，成为全球PC用动态随机记忆体(DRAM)第一大厂。
市调机构iSuppli数据显示，SK海力士PC用DRAM首季市占率33.2%，重新夺回全球排名首位，而原居领先位置的美光则自前季的36.4%下滑至32.1%。另外，三星电子拿下26.3%的市占率，位居第三。
在伺服器用DRAM的市占率排名上，遥遥领先的三星拿下43.5%、SK海力士34.1%居次、美光则为21%。
美光在行动装置市场以29.8%的市占率上板回
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海力士 DRAM
- 英飞凌科技股份公司近日宣布，其用于智能电话和平板电脑的射频开关的出货量已经突破10亿大关。这凸显了英飞凌作为发展速度最快的射频开关领先供应商之一的地位。预计，今后数年，随着新一代智能电话和平板电脑集成越来越多的LTE频段，射频开关需求将呈两位数增长。 随着4G/LTE手机可支持的工作频段和运行模式越来越多，其射频前端部件设计日益复杂、苛刻。除形形色色的频段或模式选择应用之外，天线开关也是射频前端至关重要的主要组件。这些天线开关要么可以选择连接至4G/LTE主用天线的发射(TX)/接收(RX)通道，要
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英飞凌 LTE CMOS
- 专注于为无线连接和蜂窝移动市场开发创新型下一代射频(RF)解决方案的领先无晶圆半导体公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，该公司用于无线局域网络(WLAN)应用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量产。 RFX241最新加入RFaxis瞄准快速增长的无线接入点(AP)、路由器(Router)、机顶盒(STB)、家庭网关(HGW)、热点(Hotspot)等无线基础设施市场的纯CMOS大功率CMOS PA产品系列。RFX241可与包括RTC6649E在内的目前市场上
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RFaxis RF CMOS
- 80C186XL16位嵌入式微处理器是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一，已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内，集成有DRAM RCU单元，即DRAM刷新控制单元。RCU单元可以自动产生DRAM刷新总线周期，它工作于微处理器的增益模式下。经适当编程后，RCU将向将处理器的 BIU(总线接口)单元产生存储器读请求。对微处理器的存储器范围编程后，BIU单元执行刷新周期时，被编程的存储器范围片选有效。
存储器是嵌入式计算机系统的重要组成部分之一。通常采用静态
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CPLD DRAM VHDL
- 美光半导体技术有限公司移动 DRAM 架构总监 Daniel Skinner荣获JEDEC(即“固态技术协会”)最高荣誉“卓越奖”。 该殊荣是对其担任LPDDR3 和 LPDDR4 任务组主席期间所展现出的杰出领导力的高度认可。
“卓越奖”是由JEDEC颁发最具声望的奖项，该奖项旨在对长期服务于 JEDEC 和标准委员会的个人予以表彰。Daniel Skinner 先生是第十位获此殊荣的人士。
JEDEC 总裁John
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美光 DRAM LPDDR3
- 全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，由于DRAM大厂持续将产能从标准型记忆体转移至行动式记忆体，加上部份DRAM厂转进25nm制程良率偏低及20nm制程转进有延宕的情形下，2014下半年已有供货吃紧的迹象。
以需求端来观察，由于PCOEM库存水位普遍不高，采购策略上除了希望原厂提供的颗粒外，亦向记忆体模组厂寻求更多的支援，DRAM市场已经酝酿第三季合约价格上涨的氛围;从现货价格来观察，目前4GB报价约在36美元间，5月合约均价在30.5美元，
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存储器 DRAM
- Ziptronix Inc. 与 EV Group(简称“EVG ”)于2014年5月28日宣布已成功地在客户提供的 300 毫米 DRAM 晶圆实现亚微米键合后对准精度。方法是在 EVG Gemini® FB 产品融合键合机和 SmartView ® NT 键合对准机上采用 Ziptronix 的 DBI® 混合键合技术。这种方法可用于制造各种应用的微间距3D集成电路，包括堆栈存储器、高级图像传感器和堆栈式系统芯片 (SoC)。 Ziptronix 的首席技术官兼工程副总裁 Paul Enquis
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EVG DRAM 3D
- 在地热生产和石油生产过程中温度通常会超过200℃，高于设备所用的传统微芯片一般能耐受的最高温度。德国弗劳恩霍夫微电子电路与系统研究所(IMS)的研究人员近日开发出一种新型的高温工艺，可以制造出超紧凑型微芯片，这种微芯片在高达300℃的温度下也能正常工作。
传统的CMOS芯片有时能耐受250℃的高温，但其性能与可靠性会迅速下降。还有一种方法是对热敏感的微芯片实施持续冷却，但是很难实现。此外，市场上也存在专门的高温芯片，但是尺寸过大(最小尺寸也达1微米)。
IMS开发的微芯片尺寸仅有0
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微芯片 CMOS
- 因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准，于是采用衬底驱动技术进行模拟电路设计就成为较好的解决方案[1].衬底驱动技术的原理是：在栅极和源极之间加上足够大的固定电压，以形成反型层，输入信号加在衬底和源极之间，这样阈值电压就可以减小或从信号通路上得以避开。衬底驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟
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MOS CMOS
- 当平面工艺已经无法满足对于性能提升的需求时，3D架构是业界首先能想到的提升方式。
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CMOS 纳米
- 2013年全球半导体市场统计结果出炉，与我们先前预估吻合，2013年全球半导体市场较2012年成长4.9%，扭转2012年衰退2.4%颓势。半导体市场成长，是由DRAM及NANDFlash带动，DRAM及NAND年成长率分别高达32.5%及24.2%。
统计2013年全球半导体市场营业额达3181亿美元，较2012年的3031亿美元成长4.9%。
2013年全球前25大半导体公司合计营业额2253亿美元，占整体半导体营业额71%，较2012年的69%上升2个百分点。2013年全球最
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DRAM 半导体
- DRAM最大的增长动力应该是来自云计算的硬件需求，其次是移动设备向64位的前进。
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PC DRAM
- 作为专注在WiFi、蓝牙、GPS连接性射频芯片技术供应商，卓胜微电子今日宣布，公司GPSLNA芯片产品MXDLN16S在三星累计出货超过2000万颗。
“卓胜微电子的GPSLNA产品能够给三星大批量供货体现了我们产品的卓越性能。”卓胜微电子总经理许志翰表示：“作为全球智能手机市场的领先者，三星对产品的创新和品质有着不懈追求，同时它对合作伙伴也有着非常高的品质和供货能力的要求。这么大批量的稳定出货证明了我们的能力。”
卓胜微电子的GPS
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卓胜微电子 CMOS
- DRAM供给吃紧，有厂家已准备上调价格，而手机存储器MobileRAM供给则更为吃紧，主要是智能手机大厂均已开始进入新品备货旺季。
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存储器 DRAM
- 2014年5月5日，作为专注在WiFi，蓝牙，GPS连接性射频芯片技术供应商，卓胜微电子宣布其GPSLNA芯片产品MXDLN16S在三星累计出货超过2000万颗。
“卓胜微电子的GPSLNA产品能够给三星大批量供货体现了我们产品的卓越性能。”卓胜微电子总经理许志翰表示：“作为全球智能手机市场的领先者，三星对产品的创新和品质有着不懈追求，同时它对合作伙伴也有着非常高的品质和供货能力的要求。这么大批量的稳定出货证明了我们的能力。”
卓胜微电子的G
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GPSLNA 卓胜 RF CMOS
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