铜柱凸点和微焊点将改变倒装芯片的市场和供应链。之所以这样说，是因为除了移动产品用处理器和内存外，其他CMOS半导体也需要在比现在更小的芯片面积上实现更多的I/O个数以及更高的带宽，并采取更好的散热措施。
目前全球倒装芯片市场规模为200亿美元，以年增长率为9%计算，到2018年将达到350米亿美元。在加工完成的倒装芯片和晶圆中，铜柱凸点式封装的年增长率将达到19%。到2014年，已形成凸点的晶圆中将有50%使用铜柱凸点，从数量上来说，铜柱凸点式封装将占到倒装芯片封装市场的2/3。
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CMOS 倒装芯片
高介电常数(High-k) 金属闸极应用于先进互补式金氧半导体(CMOS) 技术的关键挑战是什么?
高介电常数/金属闸极(HKMG) 技术的引进是用来解决标准SiO2/SiON 闸极介电质缩减所存在的问题。虽然使用高介电常数介电质能够持续缩减等效氧化物厚度(EOT)，整合这些材料需对NMOS及PMOS 元件采用不同的金属闸极。为了以最低临界电压(从而为最低功率)操作元件，NMOS元件必须使用低工作函数金属而PMOS 元件则必须使用高工作函数金属。即便有许多种金属可供挑选，但其中仅有少数具有稳定的
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ASM CMOS
2013年9月4日下午3点半左右，位于江苏无锡新区的韩资企业海力士-意法半导体(中国)有限公司一车间突然发生火灾，冒起的滚滚浓烟蔓延周边数公里。
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意法 海力士 晶圆 DRAM
东芝公司（Toshiba Corporation） （TOKYO:6502）已经扩充了其200mA单输出CMOS-LDO稳压器阵容。该系列产品专为移动 ...
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移动设备 CMOS-LDO
电压的准确测量需要尽量减小至被测试电路之仪器接线的影响。典型的数字电压表 (DVM) 采用 10M 电阻器网络以把负载效应保持在不显眼的水平，即使这会引起显著的误差，尤其是在包含高电阻的较高电压电路中。
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凌力尔特 LTC6090 CMOS 放大器 电阻器
台湾第3季IC封测产业产值可较第2季成长4.5%。展望第3季台湾半导体封装测试产业趋势，IEK ITIS计划预估，第3季台湾封装及测试业产值分别可达新台币757亿元和336亿元，分别较第2季微幅成长4.6%和4.3%。
IEK ITIS计划指出，展望第3季，高阶智慧型手机市场反应趋弱，封测厂蒙上一层阴影;第3季智慧型手机、平板电脑以及大型数位电视终端产品需求可能趋缓，汰旧换新动能略有转弱，整体电子业库存调整时间可能拉长。
展望今年全年IC封装测试产业表现，IEK ITIS计划指出，虽然高阶
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IC封测 CMOS
根据全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示，第二季智能型手机出货季成长约7%，总出货来到约两亿两千余万支(222.7M)，加上为后续旺季来临前所作的备货准备，行动式内存的总营收已逼近30亿美元，季增约11%，占总体DRAM营收的34%。
综观各家DRAM厂在行动式内存领域的市占排名，其中季成长最为显著的为排名第二的SK海力士，营收与上季相较成长超越30%，其主因受惠中国市场手机出货需求强劲及一线手机厂持续下单，市占较上季成长4%来到25.7%。后
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SK海力士 DRAM
IC Insights：DRAM市场将进入成熟期
根据ICInsights公司的观点，自Intel公司于1970年推出首款DRAM产品以来，经过多年的发展，DRAM市场最终进入了成熟期。目前这个市场仅留有三个主要的厂商，分别为三星、SKHynix以及MicronTechnology。
根据预测，2013年DRAM市场的资本支出将会达到40亿美元，相比2009年的39亿美元增幅并不大，而这也表明这个市场目前已经进入了成熟期。DRAM市场规模2013年预计将会达到3
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三星 DRAM
美国记忆体大厂美光科技(Micron Technology Inc.)最高营运负责人(CEO)Mark Duncan于7月31日接受访谈时表示，在获得美光的奥援下，正进行破产重整的全球第3大DRAM厂尔必达(Elpida)将领先三星电子(Samsung Electronis)等南韩厂商于今(2013)年内量产全球最先端、采用20nm制程技术的DRAM产品(现行最高为25nm)。Mark Duncan表示，将融合美光及尔必达的技术，利用尔必达旗下主力12寸晶圆厂「广岛工厂」量产上述20nm产品，初期将生
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尔必达 20nm DRAM
CMOS图像传感器能够快速发展，一是基于XMOS技术的成熟，二是得益于固体图像传感器技术的研究成果。进入20世纪90年代，关于CMOS图像传感器的研究工作开始活跃起来。苏格兰爱丁堡大学和瑞典Linkoping大学的研究人员分别进行了低成本的单芯片成像系统开发，美国喷气推进实验室研究开发了高性能成像系统，其目标是满足NASA对高度小型化、低功耗成像系统的需要。他们在CMOS图像传感器研究方面取得了令人满意的结果，并推动了CMOS图像传感器的快速发展。
当前研究开发CMOS图像传感器的机构很多，其中
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CMOS 图像传感器
联电29日宣布，12寸URAM嵌入式存储器技术获得中国大陆数码电视解调器芯片设计公司高拓讯达(AltoBeam)的订单，未来将运用在高拓讯达推出的DVB-T2/T/C/S2/S解调器ATBM7812，以因应未来数码电视市场需求。
联电亚洲销售副总经理王国雍表示，高拓讯达在大陆市场具领导地位，联电在先进技术优势上与大陆芯片设计公司进一步合作，将提供全方位的技术解决方案，包含已验证量产的12寸URAM制程，藉此提高高拓讯达的市场竞争力。
联电表示，URAM制程是一项获得专利的嵌入式DRAM技术
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联电 存储器 DRAM
据市调公司IC Insights日前报告，今年在美国经济增长率仅能与去年持平(仍增长2.2%)的影响下，导致世界GDP从原来预计的增长3.1%调整为3.0%(去年为2.7%)。从过去几年看，世界半导体市场的成长与GDP成长存在着密切的关系，因而公司预计今年世界半导体市场的增长率也将从6%下行到5%，同时还给出了一个3%～7%的增长范畴。
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半导体 DRAM 201308
高动态范围(HDR)高动态范围(HDR)成像的一个特色，是可用来拍摄最亮和最暗区域之间具有宽对比度的图像。通过扩展动态范围，它有助于使此类图像看起来更为自然。东芝公司的图像传感器已开发了HDR功能，可以纠正对比度高
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渲染 技术 光照 动态 图像 传感器 CMOS
Avago Technologies (Nasdaq: AVGO)为有线、无线和工业应用模拟接口零组件领先供应商宣布其28nm串行/解串器(SerDes)核心已经达到32Gbps的性能，并且可以承受高达40dB的通道损耗，这个最新的SerDes核心不仅仅重新定义了芯片到芯片、连接端口和背板等接口可达到的数据率，并且反映了Avago为数据中心和企业应用提供领先解决方案的持续承诺。
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Avago CMOS SerDes
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