- 所有MOS集成电路（包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路）都有一层绝缘栅，以防止电压...
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MOS集成电路 CMOS NMOS
- 随着计算机科学和自动控制技术的发展，越来越多的不同种类的智能机器人出现在工厂、生活当中，机器人视觉系 ...
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CMOS 智能机器人 视觉系统
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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罗姆 RF-CMOS HEMS 特定小功率无线模块
- 2012年，3D IC集成及封装技术不仅从实验室走向了工厂制造生产线，而且在2013年更将出现第一波量产高潮。经济、市场以及技术相整合的力量，驱动着Intel、IBM、Micron、高通、三星、ST-Microelectronics以及赛灵思等全球半导体领导企业在3D IC技术上不断突破。
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赛灵思 3D DRAM
- 据国外媒体报道，市场研究公司IDC发布最新半导体应用预测报告称，今年全球半导体营收为3040亿美元，增幅不足1%，但是明年全球半导体营收将增长4.9%达3190亿美元。IDC预计，2011年到2016年全球半导体营收年复合增长率将达4.1%，2016年全球半导体营收将达3680亿美元。
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半导体 DRAM
- 据IHS iSuppli公司的DRAM市场动态简报，第三季度移动DRAM市场爆发，厂商抓紧为平板电脑和智能手机生产内存芯片，迎接圣诞销售旺季。但不是所有供应商都表现同样良好。
第三季度移动DRAM的全球出货量环比大增37%，这是两年来的最佳表现。在之前的八个季度，增长率最低达负3%，最高是24%，如图3所示。但直到最近，还没有一个季度的增长率能够接近46%，这是2010年第三季度创出的移动DRAM出货量增长率。
今年第三季度强劲增长，帮助移动DRAM扩大了在整体DRAM市场中的份额。整体D
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三星 DRAM 芯片
- 据韩联社12月23日消息，据市场调研机构iSuppli的统计数据，三星电子今年1-3季度销售的移动动态随机存储器(DRAM)以1Gb为基准计算达21.025亿个，在全球DRAM市场中的份额达57.05%。 三星电子今年前三季度的销量和去年全年总销量相比增长了28.6%，预计到年底可超过去年总销量的50%。
从各季度销量来看，第一季度为6.4050亿个，第二季度为7.3050亿个，第三季度为7.3150亿个，呈现不断增加的走势。第一季度的市场占有率为28.6%，第二季度和第三季度则分别为57.3%
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三星 DRAM
- 中芯国际宣布在背照式CMOS成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式CMOS成像传感测试芯片一次流片即获得成功，在低照度下同样获得高质量的清晰图像。这标志着中芯国际自主开发的背照式CMOS成像传感芯片全套晶圆工艺核心技术接近成熟，步入产业化阶段，更好地满足高端智能移动终端的需要。该技术将于2013年与客户伙伴进行试产。
背照式CMOS成像传感芯片工艺技术开发的成功，有助于中芯国际进一步拓展晶圆代工业务，支持国内外客户500万像素以上高分辨率智能手机用图像传感芯片、以及高性能视频影像传感芯片
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中芯国际 传感芯片 CMOS
- 据IHS iSuppli公司的DRAM市场动态简报，第三季度DRAM市场再度受挫，PC市场疲软带来的价格下行压力，拖累所有DRAM厂商的获利能力。
不包括三星在内，第三季度DRAM产业的现金余额降至45亿美元，比第二季度时的52亿美元减少13.5%。三星是第三季度唯一一家利润率为正数的厂商。产业营业亏损从3.484亿美元扩大到6.715亿美元，第一季度曾高达11亿美元。
整体来看，第三季度DRAM产业的营业利润率从负5.1%降至负10.7%，营业收入为64亿美元。这些数据表明DRAM厂商的
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三星 PC DRAM
- 中芯国际集成电路制造有限公司("中芯国际"，纽约证交所代码：SMI，香港联交所代码：981)，中国规模最大、技术最先进的集成电路代工厂，日前宣布在背照式 CMOS 成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式 CMOS 成像传感测试芯片一次流片即获得成功，在低照度下同样获得高质量的清晰图像。
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中芯国际 CMOS
- 12月19消息，据国外媒体报道，据InfoStor杂志对存储行业专家进行的调查，专家提出的2013年存储行业的10大预测如下：
1. 大数据将变得更加重要。非结构化数据将继续强劲增长是不言而喻的。因此，我们将继续看到集成的分析和非结构化数据存储的新产品。
Spectra Logic首席营销官莫丽·雷克托(Molly Rector)表示，随着用户需要更多的性能选择和寻求替代的产品以满足自己具体的大数据需求，大数据将扩展到以分布式计算为重点的市场。
2. 云备份技术成熟起来
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Mozy 云备份 DRAM
- 摘要：给出了一种结构简单的低功耗振荡器电路的设计方法，该电路由RC充放电回路、偏置电路组成。与传统振荡器电路相比，该电路具有精度高、电路结构简单以及输出占空比可调等优点。采用0．35 mu;m BCD工艺并利用Cad
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振荡器电路 低功耗 RC振荡器 CMOS
- 摘要：为了应对低功耗电路设计要求，提出了一个在低功耗要求下CMOS低噪声放大器的设计方法。使用该方法在0.18μm CMOS集成工艺下，设计一款低噪声放大器，并在ADS中进行前仿真。
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CMOS 放大器 LNA 201212
- 根据市调公司IC Insights发表的最新数据看，世界半导体市场上增长最快的产品三年来年年变化，2010年是DRAM，2011年是无线通信专用逻辑电路/微程序寄存器，2012年则是有线通信专用模拟电路。
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Insights 半导体 DRAM 201212
- 引言 随着便携式电子设备的广泛使用，系统集成度越来越高。对于数／模混合的片上系统中，数字电路对模拟电路的 ...
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全集成 CMOS LDO
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