- 1、引言小型会议系统或语音群聊系统是由多路音频电路组成的.为了使通话井然有序,需要通过音频交换电路来控制各路音频信号的输出。音频交换电路主要用于完成语音信号的切换。以实现同频终端的话音通信。经对可靠性、经
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知识 解析 方案 相关 各种 单片 集成电路 MT8816AE CMOS
- 1、发展形势
传统结构DRAM、Flash需要设计和制造技术紧密配合，已形成少数大型IDM公司垄断的局面，在主流分立产品上我国正面切入的难度相当大。
目前，国内外客户对高速SRAM的需求量越来越大，其主要应用包括USB3.0、甚高速数字用户环路(VDSL)、 机顶盒(STB)和基带(Baseband)等。但高速SRAM IP和低功耗SRAM IP绝大部分由欧美公司提供，许可费用昂贵。
2、主要挑战
目前，我国企业在产品推广中遇到的挑战主要在市场端。由于国内缺少制造和封装测试环节
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DRAM
- 1、 NAND flash
市场最大，接下来几年增长速度会最快，但是在中国目前没有投入设计和制造;做存储卡的小公司很多，但均是直接购买国外存储芯片来组装为成品。
2、DRAM
市场份额很大，与CPU 并列为计算机两大核心芯片。
在DRAM芯片设计开发方面，原奇梦达在西安建有中国研发中心，可从事DRAM完整的设计测试开发，金融危机后，被山东华芯半导体收购并更名为西安华芯半导体，继续从事存储器的开发。另外，美光在上海建有中国研发中心(独资)，从事DRAM和NOR flash的设计。
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DRAM
- 1. DRAM
DRAM单元和电路结构已成为经典，目前看不到替代技术的苗头。DRAM核心技术在于高质量电容的优化(密度与漏电)，工艺与设计结合是DRAM制胜的关键，因此DRAM市场主要是IDM公司的天下。未来，复杂结构上的高质量High-k、与FinFET结合3-D Cell等是技术发展的趋势。
从DRAM产品来看，三星、海力士、尔必达、美光和南亚均已切换到主流DDR3产品线，而台湾厂商多以Niche Market(即低次代)产品为主。
从工艺平台角度来看，在40纳米工艺平台上，尔必
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DRAM
- 摘要 基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工艺设计了一种ESD保护电路。整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工艺的工艺库(06mixddct02 x24)仿真，基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工艺完成版图设计，并在一款多功能故
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ESD 保护 电路设计 芯片 数字 CMOS 多功能 基于
- 摘要：设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12～14bit精度，100MS／s采样频率的高速流
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CMOS 增益提高 运算 放大器设计
- CMOS针对CCD最主要的优势就是非常省电，不像由二极管组成的CCD，CMOS 电路几乎没有静态电量消耗，只有在电路接通时才有电量的消耗。这就使得CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右，这有助于改善人们心目中数码相机是ld
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传感器 哪里 区别 CMOS CCD
- CMOS传感器的感光度一般在6到15Lux的范围内，CMOS传感器有固定比CCD传感器高10倍的噪音，固定的图案噪音始终停留在屏幕上好像那就是一个图案，因为CMOS传感器在10Lux以下基本没用，因此大量应用的所有摄像机都是用了
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CMOS 摄像机 什么
- CMOS传感器CMOS传感器是一种通常比CCD传感器低10倍感光度的传感器。光度一般在6到15Lux的范围内，CMOS传感器有固定比CCD传感器高10倍的噪音，固定的图案噪音始终停留在屏幕上好像那就是一个图案，因为CMOS传感器在10
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/SDDS 传感器 CMOS 什么
- 每年生产10多亿部手机的手机市场已成为半导体产业中竞争最激烈的领域。一直有这种说法：诸如砷化镓（GaAs）、横向 ...
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CMOS 功率放大器 单芯片手机
- 根据台湾《电子时报》报道，业内传闻三星电子近期积极考虑提升DRAM内存模组价格，预计目标是在2012年底之前提升单条4GB DDR3内存合约价至25-27美元。但这一计划被业内观察评论人士看低，毕竟全球经济形势不容乐观，三星强行提价可能反受其害。
今年一月下旬以来，DRAM合约价格在去年的低谷水平上持续回升。但五月底这一势头得到减缓，评论人士引用独立调查数据称目前4GB DDR3内存的平均合约价大概在21.50美元左右。
目前DRAM芯片供应商仍然在与OEM客户谈判6月的合约价格，观察人士
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三星 DRAM
- AMD公司高级副总裁兼首席技术官Mark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生产工艺将有重大变化，将完全从现有的SOI制造工艺切换到28nm Bulk CMOS工艺。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改变。目前南方群岛系列GPU，已经采用台积电28nm工艺，而AMD秋季即将推出的海岛系列GPU将继续采用相同工艺，海岛系列GPU已经进入样品试生产阶段，在2012年年底开始生批量生产，在2013年第一季度正式发布。
在评论异构系统架构(HSA)联盟，是否用来应对英特尔和NVIDI
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ARM CMOS
- 摘要：由于CMOS器件静电损伤90％是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CMOS
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研究 措施 抗静电 器件 CMOS
- 摘要：为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理
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输出 缓冲 电路设计 芯片 数字 工艺 多功能 CMOS
- 摘要：设计了一种基于流水线模／数转换系统应用的低压高速CMOS全差分运算放大器。该运放采用了折叠式共源共栅放大结构与一种新型连续时间共模反馈电路相结合以达到高速度及较好的稳定性。设计基于SMIC 0．25mu;m CM
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