据日本《读卖新闻》报道，日本芯片制造商尔必达将与美国竞争对手美光科技展开资本合作，共同应对市场恶化和韩国企业的激烈竞争。
尔必达是日本硕果仅存的DRAM厂商，但随着消费者正在转向使用闪存的平板电脑，导致该公司在这一竞争激烈的市场面临价格骤降的压力。
《读卖新闻》称，尔必达已经通知了主要贷款银行，称该公司计划与美光科技建立联盟，确保二者的合并DRAM市场份额能够超过20%，从而与市场领导者三星(微博)电子更好地展开竞争。
尔必达和美光科技尚未立刻对此置评。
受此消息影响，尔必达股
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尔必达 DRAM
在单反摄影上，23倍光学变焦是不可能实现的天涯镜。这是因为数字单反相机相对庞大的传感器（CMOS），高要求的成像质量。后者详细来说，太大的变焦比，需要更多的光学镜片实现。定焦无狗头的说法在于定焦的光学结构简单，光线在入射过程中，不会因太多镜片而发生色散、相差。但这个道理对摄像机并不适用。
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单反 光学变焦 CMOS 23倍
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件，CMOS则应
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原理 应用 传感器 图像 CMOS 新型
标准型DRAM产业经营环境陷入困境，就连龙头大厂三星电子拥有市占率与技术的优势下，也直喊很辛苦。研究机构集邦科技认为，今年DRAM市场的发展将出现重大变革，除核心技术仍将攸关获利表现之外，产品应用是否能搭上产业成长趋势，也是持续生存下去的关键。
综观过去整体DRAM市场的获利关键，几乎取决于产能的扩充与制程不断的再精进，从早期的90nm、65nm制程至今已来到30nm、甚至20nm制程，制程的微缩虽使成本持续下降，但同时伴随着是颗粒数的高成长，加上近年PC出货年成长已大幅趋缓，记忆体搭载容量亦失
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三星半导体 DRAM
据台湾媒体报道，最近有市场传言称，内存芯片厂商尔必达目前正在与东芝举行谈判，商讨合并事宜，日本政府将会在促成这项交易过程中发挥重要作用。之前，有报道称，尔必达目前财务吃紧，无力偿还债务。尔必达和东芝高层均拒绝对此发表评论。
业内消息人士指出，日本政府有意促成尔必达和东芝达成某种形式的合并，前者是日本唯一一家DRAM厂商，后者则是闪存芯片的主要供应商。随着韩国半导体企业在全球的业务不断扩张，日本政府打算整合尔必达和东芝的DRAM、闪存及逻辑集成电路(IC)技术和资产，来增强日本在半导体行业的地位，
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尔必达 DRAM
概述：以CMOS探测器为记录介质的数字化射线检测技术，检测精度高、温度适应性好、结构适应性强。CMOS射线扫描探测器探测单元排成线阵列，需要在检测时进行相对扫描运动，逐线采集并拼成完整的透照投影图像。介绍了检测工装设计，完成了探测器的固定、位置调节及实现与检测工件的相对运动。介绍了检测应用中的探测器配置与校准、透照方式选取、运动速度控制、检测参数优化、缺陷定量分析和图像存档管理等。应用结果表明，经过工艺优化，CMOS探测器能够实现大多数产品零部件的射线检测。最后分析了应用中存在的问题及后续研究方向。
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CMOS图像通道在超声诊断仪中的应用,1 引言 随着医疗诊断仪器小型化、便携化的进程，高性能32位微处理器正在越来越多地应用于各类小型医疗影像设备中，但是如何利用这些微处理器传送和处理实时图像，却是一个丞待解决的问题。从ARM 7系列开始，ARM处理器
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CMOS 图像 超声诊断仪 中的应用
据《日经产业新闻》报道，日本芯片厂商尔必达将于下月与中国台湾的竞争对手南亚科技展开合作谈判。
此举是尔必达创建日台芯片联盟计划的一部分，希望在DRAM市场受到冲击的背景下借此对抗韩国巨头。这两家公司在全球DRAM市场的合并份额达到19.3%，而韩国三星(微博)和海力士的份额分别为41.6%和23.4%。
尔必达发布公告称，该报道并非基于公司的声明，并补充道，该公司正在考虑多种财务选择，包括通过债务融资以及要求客户支付预付款。
南亚科技董事长称，两家公司并未展开合作谈判。受此消息推动，
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尔必达 DRAM
据IHS iSuppli公司的DRAM市场简报，需求增长乏力和增长前景黯淡，已在困扰DRAM产业，如今又面临库存急剧上升的问题。库存劲增可能导致DRAM产业继续下滑。
第三季度IHS iSuppli DRAM库存指数为12.75周，如图2所示。这比第二季度的9.8周激增了30.8%，是2010年第一季度6.1周的两倍以上。该库存指数在2010年第一季度降至近期低位。第三季度库存指数也明显高于9.23周的长期平均水平。
DRAM库存指数用于衡量每个季度末的库存金额相对于当季销售额的情况。该指
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IHS iSuppli DRAM
北京时间12月22日早间消息，美国第一大电脑存储芯片厂商美光科技周三发布公告称，由于PC需求疲软导致存储芯片价格下滑，该公司连续第二财季亏损。
在截至12月1日的第一财季内，美光科技净亏损1.87亿美元，折合每股亏损0.19美元，去年同期实现净利润1.55亿美元，折合每股收益0.15美元;实现营业收入20.9亿美元，同比下滑7.2%。分析师此前平均预计该公司每股亏损0.08美元，营业收入为21.2亿美元。
美国投资公司Raymond James & Associates分析师汉斯&
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美光 DRAM
在过去五年中，汽车行业中驾驶辅助系统（automotivedriverassistancesystems，ADAS）领域取得了显著进步，真正...
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CMOS ADAS 汽车电子
高增长的经济体如巴西、印度尼西亚、印度和中国已出现新兴中产阶级和快速增长的汽车市场。这些市场要求汽车零售价相对较低，因此给汽车组件带来很大的成本压力。此外，在发达经济体如美国、欧洲国家和日本的汽车市场
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CMOS 接收器 芯片设计 汽车
DirectRambusDRAM的信号连接关系如图所示。与DDR-SDRAM最大的不同在于信号线是漏极开路输出以及时钟是以...
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直接总线 DRAM 信号连接
CL102型CMOS-LED数码显示器电路图CMOS-LED数码显示器的，亦叫十进制技术、译码驱动显示器，是一种功能齐全，使用 ...
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CL102 CMOS-LED 数码显示器
来自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大学(Chalmers University of Technology)的研究人员发现，以碳纳米管来填充采用硅穿孔技术(TSV)连结的 3D芯片堆栈，效果会比铜来得更好。
TSV是将芯片以3D堆栈方式形成一个系统，而非将它们平行排列在电路板上，以提高芯片之间通讯的速度;但遗憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的铜，却会导致热膨胀(thermal expansion)的问题，因为铜遇热会比周围的硅材料膨胀更多。
「碳纳米管的许多特性都优于铜，包括热
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TSV芯片 CMOS
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